余煜玺
- 作品数：150 被引量：295H指数：10
- 供职机构：厦门大学更多>>
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- 相关领域：化学工程一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种玲珑球状纳米氧化钇的制备方法
- 一种玲珑球状纳米氧化钇的制备方法，涉及纳米氧化钇。在硝酸钇溶液中加入去离子水，得反应液A；固定[Y]和[NH<Sub>4</Sub>HCO<Sub>3</Sub>]的摩尔比，将相应质量的碳酸氢铵溶解于去离子水中，得反应液...
- 余煜玺颜少乐余洪哿
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- 一种SiCO微米级双四面体陶瓷的制备方法
- 一种SiCO微米级双四面体陶瓷的制备方法，涉及一种微米陶瓷。将0.4g模板剂F127溶解在5ml二甲苯溶液中，搅拌后，得混合液A；将0.8g的陶瓷先驱体聚乙烯基硅氮烷溶解在5ml乙醇中，加入0.032g的热交联剂过氧化二...
- 余煜玺刘逾罗珂
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- 先驱体法制备连续SiC自由薄膜及其发光性能
- 2009年
- 以聚碳硅烷(polycarbosilane,PCS)为先驱体,熔融纺出连续PCS自由原膜,并在190℃下对其进行1,2,3h和6h氧化交联,在900℃预烧及最终分别在1200℃和1300℃烧成,制得系列SiC自由薄膜。采用红外光谱、Raman光谱、X射线衍射、透射电镜与扫描电镜对薄膜进行微观结构与形貌分析。测量了薄膜的室温光致发光特性。结果表明:连续SiC自由膜均匀致密,含有β-SiC微晶、无定形SiOxCy及C簇;薄膜在410～450nm范围内有较强的蓝光发射,1200℃烧结的薄膜随交联时间增加,发光强度增大;而1300℃烧结的薄膜的发光强度相对下降,且交联时间越长强度下降越明显。412nm发光峰可归结于C簇发光;而435nm附近的峰则是薄膜中富含的Si—O,Si—C等键中的缺陷态构成的发光中心,在β-SiC晶粒中电子受到激发与缺陷态产生辐射复合引起发光以及量子表面效应共同作用的结果。
- 姚荣迁冯祖德张冰洁李思维余煜玺林宏毅
- 关键词：聚碳硅烷先驱体法光致发光
- SiC陶瓷纤维先驱体设计原则及合成研究进展被引量：5
- 2005年
- 总结阐述了S iC陶瓷纤维先驱体的设计原则,对国内外S iC陶瓷纤维先驱体的主要合成方法进行了总结。在设计原则的指导下,比较了各种合成方法的优缺点,包括先驱体的产率、杂元素含量、分子形态、分子量及其分布等结构参数,先驱体可纺性以及制备的S iC纤维的性能;并根据设计原则和研究进展提出,降低先驱体中杂元素含量,提高陶瓷产率并兼顾可纺性、稳定性要求是S iC陶瓷纤维先驱体分子设计的方向;指出国内S iC陶瓷纤维的发展要立足于创新,通过不同途径制备出符合要求的陶瓷先驱体。
- 郑春满李效东余煜玺曹峰
- 关键词：碳化硅陶瓷纤维先驱体聚碳硅烷
- PDC-SiCN陶瓷基无线无源温度传感器的制备被引量：5
- 2017年
- 为了解决航空发动机的温度检测问题,提出了一种以聚合物先驱体陶瓷SiCN(PDC-SiCN)为传感器介质材料的无线无源温度传感器,并搭建了无线无源温度传感器的测试系统。PDC-SiCN陶瓷基无线无源温度传感器是以聚合物先驱体陶瓷SiCN(PDC-SiCN)作为传感器介质材料,以金属铂作为谐振腔材料。分析了PDCSiCN陶瓷基无线无源温度传感器的谐振频率与测试温度之间的关系,传感器的测试温度达到了610℃。研究发现,PDC-SiCN陶瓷基无线无源温度传感器的谐振频率随测试温度升高呈单调递减变化,通过对传感器的谐振频率与温度的关系进行多项式拟合,610℃时传感器的灵敏度为0.4705 MHz/℃。PDC-SiCN陶瓷基无线无源传感器在高温恶劣环境具有广阔的应用前景。
- 李来超余煜玺黄奇凡韩清凯
- 关键词：SICN无线无源温度传感器
- 常压干燥制备疏水SiO2气凝胶的影响因素分析被引量：9
- 2012年
- 常压干燥制备SiO2气凝胶是近年来该领域的研究重点,工艺条件的优化是提高气凝胶性能的关键。以正硅酸乙酯为硅源,甲基三乙氧基硅烷为共前驱体,采用溶胶-凝胶法,结合老化和三甲基氯硅烷-正己烷-无水乙醇混合溶液的二次表面改性,通过常压干燥工艺制备疏水SiO2气凝胶。利用BET,FT-IR,SEM,TEM和接触角测试等手段对气凝胶进行表征,系统研究水解时间、老化时间、老化温度和改性剂用量对气凝胶性质的影响。结果表明:水解16h,凝胶于55℃下老化48h后,在三甲基氯硅烷与正硅酸乙酯的摩尔比为1.56的混合液下改性48h制备的SiO2气凝胶的性能最好,其孔隙率92%,比表面积969m2/g,接触角达157°。
- 罗凤钻吴国友邵再东程璇余煜玺
- 关键词：SIO2气凝胶常压干燥溶胶-凝胶
- 一种柔性多孔碳化硅微纳米纤维毡的制备方法
- 一种柔性多孔碳化硅微纳米纤维毡的制备方法，涉及碳化硅纤维。提供一种纤维直径小、纳米孔富集，可实现柔性多孔特点的柔性多孔碳化硅微纳米纤维毡的制备方法。将良溶剂与非溶剂按比例混合并搅拌均匀，得到混合溶剂；将碳化硅陶瓷先驱体含...
- 余煜玺陈勇
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- 一种SiCO微米级多孔中空陶瓷球的制备方法
- 一种SiCO微米级多孔中空陶瓷球的制备方法，涉及微米陶瓷。步骤：将陶瓷先驱体聚乙烯基硅氮烷PVSZ溶解在乙醇溶液中，加入热交联剂过氧化二异丙苯，氮气气氛保护下磁力搅拌得到溶液A；将结构导向剂嵌段共聚物F127溶解在二甲苯...
- 余煜玺夏范森
- 文献传递
- 聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究被引量：3
- 2008年
- 以聚碳硅烷（PCS）为先驱体，通过自行设计的喷膜板熔融纺出连续PCS自由薄膜，并对其进行氧化交联与高温裂解烧结可制得连续SiC自由薄膜。用扫描电镜分析薄膜表面和横断面的形貌，通过红外光谱（FTIR）分析氧化交联后薄膜的结构，通过拉曼光谱（Raman spectroscopy）、X射线衍射（XRD）与场发射高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对薄膜进行微观分析。结果表明，熔融纺膜与聚碳硅烷先驱体法相结合可制得均匀、致密的连续β-SiC自由薄膜，其厚度可通过调节喷膜板的喷膜口尺寸大小和纺膜速度进行控制，薄膜的厚度大约在10～30μm。
- 姚荣迁冯祖德余煜玺李思维陈立富张立同
- 关键词：聚碳硅烷先驱体法碳化硅
- 聚碳硅烷先驱体转化法制备SiC涂层研究被引量：16
- 2005年
- 以自合成的聚二甲基硅烷(PDMS)为原料,常压裂解合成聚碳硅烷(PCS),通过FT-IR分析PCS的结构,用GPC测定其分子量及分布,用熔点分析仪测定其熔点.在此基础上,采用聚碳硅烷先驱体转化法在石墨基体上制备SiC涂层,通过X射线衍射对涂层进行晶相分析,用扫描电镜分析涂层表面和横断面的形貌.结果表明,在石墨基体上形成了明显的β-SiC晶相,可以获得均匀、致密的SiC涂层,其厚度可通过涂层次数的改变进行调节,单次涂层最大厚度大约为2μm.
- 李春华黄可龙李效东曹峰余煜玺
- 关键词：聚碳硅烷浸渍碳化硅涂层
