余倩
- 作品数：6 被引量：14H指数：2
- 供职机构：河南科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 红外焦平面探测器碎裂研究
- 红外焦平面探测器（Infrared Focal Plane Array, IRFPA）在航空航天红外遥感、气象、国防和科学仪器等领域应用广泛。但热冲击下极低的成品率使得大面阵红外探测器仅仅在高级军用装备领域得到运用，其根...
- 余倩
- 关键词：红外焦平面探测器
- 文献传递
- InSb面阵探测器法线方向力学参数选取研究被引量：10
- 2012年
- 为明确InSb芯片前表面结构缺陷和背面减薄工艺对InSb芯片变形的影响,本文采用降低InSb芯片法线方向杨氏模量的方式,基于热冲击下InSb芯片的典型形变特征来探索InSb芯片力学参数的选取依据.模拟结果表明:当InSb芯片法线方向杨氏模量取体材料的30%时,最大Von Mises应力值和法线方向最大应变值均出现在N电极区域,且极值呈非连续分布,这与InSb焦平面探测器碎裂统计报告中典型裂纹起源于N电极区域及多条裂纹同时出现的结论相符合.此外,InSb芯片中铟柱上方区域向上凸起,台面结隔离槽区域往下凹陷,该形变分布也与典型碎裂照片中InSb芯片的应变分布保持一致.因此,基于InSb芯片法线方向应变的判据除了能够预测裂纹起源地及裂纹分布外,还能提供探测器阵列中心区域Z方向应变分布及N电极区域Z方向的应变增强效应,为InSb芯片力学参数的选取提供了依据.
- 孟庆端余倩张立文吕衍秋
- 关键词：焦平面锑化铟结构应力
- 128×128元锑化铟红外焦平面探测器热-应力耦合分析被引量：3
- 2013年
- 考虑探测器在热冲击过程中由于传导降温非均匀引起的温度梯度分布,借助ANSYS软件对温度梯度影响下的锑化铟探测器进行热-应力耦合分析。依据热分析结果得到了热冲击下探测器的降温时间曲线,以此为基础进行热-应力耦合分析得到了探测器的应力分布,并以温度、时间为参考量将热冲击过程中InSb芯片上应力最大值变化与传统均匀降温方式下的应力最大值变化进行对比,结果表明器件内部存在温度梯度时,InSb芯片上的应力增加呈现出先快后慢现象,明显不同于均匀降温的线性增加;且应力增加主要集中在热冲击初始0～0.5 s时间段,如此短时间段内应力的急剧增加将严重影响探测器的可靠性。最后对传导降温方式下应力变化可能引起InSb芯片失效的原因进行了初步探讨,这对预测裂纹的发生提供了一定的帮助。
- 李鹏飞张立文孟庆端余倩
- 关键词：锑化铟焦平面探测器有限元
- 一种红外面阵探测器结构建模及结构优化方法
- 本发明涉及一种红外面阵探测器结构建模及结构优化方法，首先根据红外面阵探测器的结构特点，将红外面阵探测器结构模型分割为两个部分，光敏元阵列区域和外围区域，分别设定光敏元阵列区域和外围区域的材料热膨胀系数及分析模型，基于等效...
- 张立文孟庆端张晓玲余倩吴景艳李鹏飞普杰信
- 一种红外面阵探测器结构建模及结构优化方法
- 本发明涉及一种红外面阵探测器结构建模及结构优化方法，首先根据红外面阵探测器的结构特点，将红外面阵探测器结构模型分割为两个部分，光敏元阵列区域和外围区域，分别设定光敏元阵列区域和外围区域的材料热膨胀系数及分析模型，基于等效...
- 张立文孟庆端张晓玲余倩吴景艳李鹏飞普杰信
- 文献传递
- 隔离槽深度对面阵探测器热应力影响研究被引量：2
- 2012年
- 热冲击下InSb面阵探测器的成品率制约着其适用性。为了解光敏元隔离槽深度对InSb芯片中热应力的影响,针对典型器件结构,借助ANSYS软件,分析了隔离槽深度对InSb芯片、底充胶和硅读出电路中Von Mises应力的影响。模拟结果表明:随着隔离槽深度的增加,InSb芯片上的热应力起初缓慢增加,之后增加速度越来越快,当隔离槽深度超过8μm后,InSb芯片上的热应力陡峭上升。对硅读出电路和底充胶来说,在热冲击下累积的热应力似乎与隔离槽深度无关,分别在370 MPa和190 MPa左右浮动。当隔离槽深度取4μm时,整个器件的热应力较小、且分布均匀,能够满足光学串扰及结构可靠性设计的需求。
- 孟庆端张晓玲张立文余倩
- 关键词：结构应力ANSYS
