公共文化服务平台

阎有花: 作品数：30 被引量：16H指数：3; 供职机构：安泰科技股份有限公司更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>; 相关领域：电气工程一般工业技术理学电子电信更多>>

合作作者

高容量Mg-Ni-Cu-La储氢合金及其制备方法: 本发明公开了一种高容量Mg-Ni-Cu-La储氢合金，该储氢合金由Mg、Ni、Cu、La四种组分组成，各组分在所述储氢合金中的原子百分比含量如下：Mg，77％；Ni，10～15％；Cu，5～10％；La，3％。本发明还公...; 武英吕玉洁张宝阎有花况春江周少雄

氮气流量对CuInS2薄膜微结构的影响: 2007年; 采用硫化法制备出具有多晶结构的光吸收层CuInS2薄膜，研究了硫源处N2流量对CuInS2薄膜微结构的影响。利用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分，采用XRD表征了薄膜的结构。结果表明：N2流量增大到600ml／min制得具有黄铜矿结构且沿（112）晶向择优生长的CuInS2薄膜，晶粒尺寸为230nm。; 阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄

薄膜太阳能电池组件拼接组装方法和设备: 本发明提供了一种拼接组装薄膜太阳能电池组件的方法，包括：将下层覆膜引导并连续地输出到被加热的输送表面上；将多个电池条带引导并相继地输出到下层覆膜上，每个电池条带具有导电的正面以及与该正面相反的背面，首先将第一个电池条带与...; 卢志超方玲周少雄李德仁朱景森刘迎春阎有花邓俊民张博王冰; 文献传递

薄膜太阳能电池组件拼接组装方法和设备及由其生产的产品: 本发明提供了一种拼接组装薄膜太阳能电池组件的方法，包括：将下层覆膜引导并连续地输出到被加热的输送表面上；将多个电池条带引导并相继地输出到下层覆膜上，每个电池条带具有导电的正面以及与该正面相反的背面，首先将第一个电池条带与...; 卢志超方玲周少雄李德仁朱景森刘迎春阎有花邓俊民张博王冰; 文献传递

高容量Mg‑Ni‑Cu‑La储氢合金及其制备方法: 本发明公开了一种高容量Mg‑Ni‑Cu‑La储氢合金，该储氢合金由Mg、Ni、Cu、La四种组分组成，各组分在所述储氢合金中的原子百分比含量如下：Mg，77％；Ni，10～15％；Cu，5～10％；La，3％。本发明还公...; 武英吕玉洁张宝阎有花况春江周少雄; 文献传递

高压复合储氢装置用Ti-Zr-Cr-Mo-Mn储氢合金被引量：1: 2023年; 高压复合储氢装置将高压储氢技术与固态储氢材料相结合,具有高压气态储氢质量储氢密度高与固态储氢材料体积储氢密度高的双重优势,有效提升实用化高压复合储氢装置的能量储氢密度和空间利用率。发展适合于高压复合储氢装置用固态储氢材料是提升高压复合储氢装置性能的关键。本文研究了矿产资源丰富、低成本的AB2型Ti-Zr-Cr-Mo-Mn储氢合金,结果表明(Ti_(0.85)Zr_(0.15))_(1.1)Cr_(0.95)Mo_(0.05)Mn储氢合金在303,323和343 K放氢平台压分别为0.78,1.44和2.46 MPa,303 K下最大吸氢容量1.76%,吸氢平台压为1.02 MPa,滞后因子为0.27,吸氢焓变(ΔH)和熵变(ΔS)分别为21.5 kJ·mol^(-1)H_(2)和90.3 J·K^(-1)·mol^(-1)H_(2),适用于高压复合储氢装置用储氢合金。; 阎有花李众宇武英武英; 关键词：吸放氢性能

宽带隙缓冲层CuI薄膜的制备和性能研究: 采用喷射沉积工艺在普通玻璃和CuInS2(CIS)基底上制备出可见光区域平均透过率达78.9％，沿[111]晶向择优取向生长，具有γ态立方闪锌矿结构的CuI薄膜。采用喷射沉积制备CuI薄膜是一种有益的尝试，宽带隙结构的C...; 阎有花卢志超周少雄李正邦; 文献传递

硫化对Cu-In预制膜微结构的影响: 2008年; 采用电沉积-硫化法制备了CuInS2薄膜,考察了硫源温度对CuInS2薄膜微结构的影响,并分析了硫化过程中的反应动力学。采用扫描电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS）观察并分析了薄膜的表面形貌和组分,采用X射线衍射仪（XRD）表征了薄膜的组织结构。结果表明,硫化过程的生长动力学不同于硒化过程,CuInS2薄膜的生长遵循扩散机制,当硫源温度在300～340℃之间,均可制得单一黄铜矿相结构且沿（112）面择优取向生长的CuInS2薄膜,且硫源温度为340℃制备的CuInS2薄膜均匀、致密,晶粒尺寸约为1μm,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。; 阎有花刘迎春方玲赵海花朱景森李德仁卢志超周少雄

宽带隙缓冲层CuI薄膜的制备和性能研究: 采用喷射沉积工艺在普通玻璃和CuInS2(CIS)基底上制备出可见光区域平均透过率达78.9%沿[111]晶向择优取向生长,具有γ态立方闪锌矿结构的CuI薄膜。采用喷射沉积制备CuI薄膜是一种有益的尝试,宽带隙结构的Cu...; 阎有花卢志超周少雄李正邦; 关键词：缓冲层; 文献传递

氮气流量对CuInS2薄膜微结构的影响: 采用硫化法制备出具有多晶结构的光吸收层 CuInS薄膜,研究了硫源处 N流量对 CuInS薄膜微结构的影响．利用 SEM 和 EDS 观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用 XRD 表征了薄膜的结构。结果表明： N流量增...; 阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄; 文献传递