闫利文
- 作品数：12 被引量：2H指数：1
- 供职机构：哈尔滨理工大学更多>>
- 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 纳米核壳粒子/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法和应用
- 纳米核壳粒子/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法和应用。现有用于制备高储能密度电容器的介电聚合物材料介电常数较低（<I>ε</I><3），难以满足市场需求。本发明方法包括：采用乙二醇还原法制备多形貌纳米Ag；利用Al<S...
- 翁凌闫利文刘立柱李红霞
- 文献传递
- 碳化钛/聚酰亚胺高介电复合薄膜的制备及性能研究被引量：1
- 2012年
- 采用机械共混法将经硅烷偶联剂改性的碳化钛粉体掺杂入聚酰亚胺中,制备了碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜。分析了不同碳化钛粒子含量对复合薄膜的显微结构、力学性能及介电性能的影响。实验结果表明,随着纳米TiC含量的不断升高,复合薄膜的拉伸强度呈现先上升后下降的趋势,复合薄膜的耐电击穿场强迅速下降。与此同时,复合材料的介电常数则显著提高。
- 翁凌闫利文景伟龚忠良
- 关键词：聚酰亚胺碳化钛高介电常数
- 有机小分子修饰的纳米碳化钛/聚酰亚胺复合材料
- <B>本发明涉及一种有机小分子修饰的纳米碳化钛</B> <B>/</B> <B>聚酰亚胺复合材料及其制作方法。随着微电子工业的不断发展，各类型电子器件的尺寸越来越小，集成度越来越高，这对电子材料的介电性能提出了更高的要求...
- 翁凌夏乾善闫利文刘立柱
- 文献传递
- 硅酸铝包覆银纳米核壳粒子及制备方法和用途
- <b>硅酸铝包覆银纳米核壳粒子及制备方法和用途。纳米</b><b>Ag</b><b>由于粒径小、比表面能高、表面活性点多而具有十分优异的杀菌效果。但将纳米<...
- 翁凌闫利文刘立柱李红霞夏乾善
- 文献传递
- 三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法
- 一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。传统聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中改善聚合物的介电性能；...
- 翁凌李红霞刘立柱鞠培海王婷闫利文
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- 银/聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备与性能研究
- 现代电子技术的发展，对嵌入式电容器提出了更高的要求。介电常数高、介电损耗低、加工性能良好的介电材料是制备高性能嵌入式电容器的核心。传统的铁电陶瓷/聚合物基复合材料由于填料含量过高而导致机械性能差，严重影响了其在嵌入式电容...
- 闫利文
- 关键词：纳米银聚酰亚胺介电常数介电性能原位聚合法
- 文献传递
- 硅酸铝包覆银纳米核壳粒子及制备方法和用途
- 硅酸铝包覆银纳米核壳粒子及制备方法和用途。纳米Ag由于粒径小、比表面能高、表面活性点多而具有十分优异的杀菌效果。但将纳米Ag应用于防污、杀菌涂料时，与涂料的相容性是一个难以解决的问题。本发明方法包括：该方法包括三步：第一...
- 翁凌闫利文刘立柱李红霞夏乾善
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- 三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法
- <b>一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。传统</b><b>聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介...
- 翁凌李红霞刘立柱鞠培海王婷闫利文
- 聚酰胺酸盐法制备纳米SiO_2/PI复合薄膜被引量：1
- 2014年
- 以均苯四甲酸二酐和4,4'-二胺基二苯醚为聚合单体,制备聚酰胺酸,利用有机碱三乙胺与聚酰胺酸中—COOH的中和反应,制备具有水溶性的聚酰亚胺前驱体———聚酰胺酸盐;将正硅酸乙酯的水溶液加入聚酰胺中,利用正硅酸乙酯的水解使得水解产物SiO2以纳米尺寸均匀分散在聚酰胺中,经热亚胺化处理制备出SiO2质量分数不同的SiO2/PI复合薄膜.采用扫描电子显微镜对复合薄膜的断面微观结构进行分析,实验结果表明,SiO2在PI基体内分散均匀.当SiO2质量分数为20%时,仍未出现团聚现象.复合薄膜的力学性能、热性能及电性能测试结果显示,由于SiO2的生成,复合薄膜的力学性能稍有下降;薄膜的热分解温度随着SiO2质量分数的增大逐渐升高;复合薄膜的电击穿场强由纯PI薄膜的160.0 kV/mm提高到229.8 kV/mm(SiO2质量分数16%),随着SiO2质量分数的增大,复合薄膜的体积电阻率和表面电阻率均呈先增后减趋势;引入SiO2显著提高了复合薄膜的绝缘性,拓展了其在电气绝缘领域的应用.
- 闫利文翁凌李红霞夏乾善崔巍巍刘立柱
- 关键词：氧化硅热分解绝缘性
- PI/TiC@Al_2O_3复合薄膜的制备及其电性能研究
- 2013年
- 随着电子元件集成度的不断提高,对新型有机/无机功能电介质复合材料的研究已成为热点.利用异丙醇铝的水解,在TiC粒子表面生成一层氧化铝(Al2O3),获得分散均匀的TiC@Al2O3纳米粒子.采用机械共混法将改性后的TiC@Al2O3粒子掺杂入聚酰亚胺基体中,制备出PI/TiC@Al2O3复合薄膜.对改性后TiC@Al2O3粒子的形貌及其热分解机理进行了研究,重点分析了TiC@Al2O3纳米粒子的引入对复合薄膜的表面形貌和电性能的影响规律.实验结果表明,当TiC与异丙醇铝摩尔比为1:1时粉体的分散效果最好,此时TiC@Al2O3纳米粒子的热失重过程出现明显的AlOOH分解现象,表明在TiC表面已生成Al2O3.复合薄膜的表面SEM分析结果表明,当TiC@Al2O3粉体体积分数低于15%时,无机相粒子在薄膜中的分散性保持得较好,未出现明显的团聚现象.电性能测试结果表明,随着TiC@Al2O3纳米粒子含量的增加,复合薄膜的体积电阻率、表面电阻率和电击穿场强均逐渐下降,表明TiC@Al2O3纳米粒子的引入显著提高了复合薄膜的导电性.
- 翁凌闫利文夏乾善
- 关键词：聚酰亚胺碳化钛电性能
