金洙吉
- 作品数：287 被引量：918H指数：16
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信机械工程化学工程更多>>
- 周向波度密封环预变形平面研磨加工中的变形分析被引量：8
- 2015年
- 端面周向波度密封是一种非接触机械密封,它具有泄漏低、刚度大和寿命长等优点,在核主泵和透平机械等旋转机械密封中有很好的应用前景。周向波度密封环端面面形非常复杂,加工极为困难。提出一种周向波度密封环的预变形平面研磨加工方法,并对其中最为关键的预变形过程进行了分析。通过对预变形过程中密封环变形特性的有限元分析,揭示了预紧力和密封环端面变形的关系,通过周期性反向扭矩的作用获得了满足要求的表面预变形。通过预变形夹具的研制和平面研磨工艺研究,完成了周向波度密封环的加工,证明了预变形平面研磨加工方法加工周向波度密封环的可行性。
- 周平戴恒震金洙吉王宇康仁科郭东明
- 关键词：预变形平面研磨有限元分析
- 一种四轴联动机械密封环磨削方法
- 一种四轴联动机械密封环磨削方法，属于复杂形面磨削技术领域。其特征是采用一个工件轴、一个杯形砂轮、一个砂轮轴、一个摆动工作台、一个X向直线移动平台和一个Z向直线移动平台，工件轴安装在Z向直线移动平台上，砂轮轴安装在摆动工作...
- 霍凤伟郭东明康仁科冯光金洙吉
- 文献传递
- 一种用于金属构筑成形的自动打磨清洁系统及方法
- 本发明公开了一种用于金属构筑成形的自动打磨清洁系统及方法，所述系统包括吊运模块、转运模块、自动打磨模块、自动清洁模块、控制模块和龙门式三轴运动平台；所述自动打磨模块和自动清洁模块分别安装在第一Z轴和第二Z轴上。本发明采用...
- 郭江赵勇冯健金洙吉冯冬菊
- 文献传递
- 钇铝石榴石晶体的机械抛光工艺被引量：1
- 2018年
- 钇铝石榴石(yttrium aluminum garnet,YAG)是性能优良的激光晶体,但其属于硬脆材料(莫氏硬度8.5),在抛光时易产生划痕及凹坑等缺陷。为去除YAG晶体的表面缺陷,用铜盘进行粗磨,并研究载荷和抛光盘转速对晶体平面度和表面粗糙度的影响。结果显示:铜盘可改善晶体表面缺陷,在转速70r/min、载荷15kPa时抛光45min可达到最佳加工效果。再使用IC1000进一步降低晶体表面粗糙度,在抛光盘转速为9r/min,抛光压力为15kPa的条件下抛光30min后,平面度PV可达100nm,表面粗糙度RMS可达0.9nm,在体视显微镜下观察无划痕及凹坑。
- 孙志明金洙吉韩晓龙范康男司立坤
- 关键词：平面度表面粗糙度
- 一种钨合金的研磨抛光方法
- 一种钨合金的研磨抛光方法，属于金属合金的超精密加工技术领域。具体步骤为：(1)粗研：选用去离子水为研磨液，抛光液流量设置为6～12ml/min，选用粒径20～50μm的金刚石固结磨粒研磨垫研磨，研磨加工时间设置为20～4...
- 郭江史晓琳宋传平金洙吉
- 文献传递
- 用于铜电化学机械抛光的羟基乙叉二膦酸基电解液反应机理研究
- 2020年
- 在铜电化学机械抛光(ECMP)工艺中,羟基乙叉二膦酸(HEDP)可与其他水处理剂协同抑制电解并使金属表面光滑,而传统的操作电位低于4 V(vs.SCE)限制了反应过程中的材料去除率。为解决此问题,在较高电位下对铜进行动电位腐蚀、静电位腐蚀和ECMP试验,研究工艺可行性并探索电解液的反应机理。结果表明:在6 V(vs.SCE)下,能最大程度地提高铜片的表面粗糙度和材料去除率。反应机理推测:从工作电极电离得到的铜离子与两个HEDP分子反应生成配位化合物[CuL2]6-后与K+结合形成配位化合物[KCuL2]5-。
- 吴由頁康仁科郭江刘作涛金洙吉
- 关键词：羟基乙叉二膦酸反应机理
- 一种调心滚子轴承内圈滚道型线优化方法
- 本发明公开了一种调心滚子轴承内圈滚道型线的优化方法，根据轴承实际受力情况对其进行建模仿真分析，获得轴承应力应变情况等仿真数据；通过轴承内圈滚道型线优化，改善轴承滚子与滚道受力不均情况；通过实际应用对轴承型线优化情况反馈，...
- 郭江赵勇张金龙金洙吉
- 磨料对铜化学机械抛光过程的影响研究被引量：9
- 2005年
- 利用CP-4型抛光试验机对直径为50.8 mm、表面沉积厚530 nm的铜硅片(表面粗糙度Ra为1.42 nm)进行化学机械抛光(CM P)试验,评价了CM P过程中不同磨料作用下的摩擦系数和材料去除率;利用ZYGO表面形貌分析系统测试含不同磨料抛光液抛光后的硅片表面粗糙度;采用扫描电子显微镜分析CM P后的铜硅片表面损伤形貌.结果表明,磨料的浓度和粒径直接影响CM P过程的摩擦系数:采用5%粒径25 nm硅溶胶为抛光液时的摩擦系数低于超纯水抛光时的摩擦系数;当磨料的添加量和粒度增加时摩擦系数增大.在相同试验条件下,采用10%粒径25 nm硅溶胶抛光材料的去除率为50.7 nm/m in;粒径为1μm白刚玉磨料的抛光材料去除率为246.3 nm/m in;单纯磨料使铜硅片表面变得粗糙,即用10%粒径25 nm硅溶胶抛光后的表面粗糙度仍大于原始表面(Ra值达3.43 nm);在单纯磨料或超纯水为抛光液抛光下铜硅片表面出现划伤.
- 李秀娟金洙吉康仁科郭东明
- 关键词：磨料材料去除机理
- 一种可见光辅助金刚石化学机械抛光液及抛光方法
- 本发明提供了一种可见光辅助金刚石化学机械抛光方法，属于超硬材料超精密加工领域。抛光液由磨料、氧化剂、可见光光催化剂、去离子水构成。在可见光光源照射下，使用抛光液对金刚石进行化学机械抛光，可见光光源置于抛光盘正上方10‑2...
- 金洙吉杨辉鹏王洪超牛林张笑宇
- 文献传递
- 大径厚比铜片的化学机械抛光被引量：2
- 2018年
- 以次氯酸钠为氧化剂,六偏磷酸钠为络合剂,OP-10乳化剂为表面活性剂,硅溶胶为磨料配制抛光液(pH 9),对粗抛光后的大径厚比铜片进行化学机械抛光。测量铜片抛光前后的平面度与表面粗糙度,用X射线能谱仪分析铜片表面的元素组成,用X射线衍射仪分析铜片表面的物相及残余应力。试验结果显示:铜片的平面度PV值由抛光前的4.813μm降至抛光后的2.917μm,表面粗糙度Ra值由抛光前的31.373nm降至抛光后的3.776nm;抛光前后铜片表面的元素组成及物相无明显变化,化学作用与机械作用达到了平衡,磨粒与抛光垫形成的机械作用能迅速去除铜片表面的氧化物层;且化学机械抛光显著降低铜片粗抛光后表面产生的残余应力。
- 万策金洙吉吴頔刘作涛司立坤
- 关键词：化学机械抛光物相残余应力
