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郭里辉

作品数：20 被引量：21H指数：4
供职机构：上海交通大学更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 12篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇电气工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 11篇光电
  • 11篇光电阴极
  • 7篇半导体
  • 5篇GAAS
  • 4篇透射
  • 4篇透射式
  • 4篇透射式GAA...
  • 4篇INP
  • 3篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 3篇红外
  • 3篇半导体材料
  • 3篇INGAAS...
  • 2篇液相外延
  • 2篇异质结
  • 2篇砷化镓
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇肖特基
  • 2篇光阴极
  • 2篇INGAAS...

机构

  • 16篇中国科学院
  • 4篇上海交通大学

作者

  • 20篇郭里辉
  • 11篇侯洵
  • 10篇李晋闽
  • 7篇张工力
  • 2篇候洵
  • 2篇张怡彬
  • 1篇孙铁囤
  • 1篇张济康
  • 1篇李相民
  • 1篇杨滨
  • 1篇王力鸣
  • 1篇高鸿楷
  • 1篇赛小锋
  • 1篇马俊

传媒

  • 4篇高速摄影与光...
  • 3篇太阳能学报
  • 2篇光学学报
  • 2篇光子学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 7篇1992
  • 5篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1989
  • 2篇1988
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MIS反型层太阳电池栅电极间距的研究
1995年
根据计算得出的ＭＩＳ／ＩＬＰ－Ｓｉ太阳电池的表面面电阻与固定正电荷、界面态间的关系，分析了太阳电池电极栅间距的尺寸范围，并实测了该电池的固定正电荷密度、界面态密度和表面面电阻及电极栅间距对其性能的影响。
张怡彬郭里辉徐秀琴
关键词：太阳能电池
透射式GaAs光电阴极抗光反射膜的研究
1991年
本文计算了在透射式GaAs光电阴极的窗玻璃和GaAlAs缓冲层之间引入Si_3N_4或SiO_2膜使光电阴极的入射光反射率所产生的变化,并测量了Si_3N_4膜、SiO_2膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜对阴极反射率的影响。理论计算和测量表明,Si_3N_4膜和SiO_2/Si_3N_4复合膜可有效地降低光电阴极对入射光的反射率。当Si_3N_4膜的厚度约为100nm时,可使光电阴极的反射率降低近60％。本文结果为科学地选择透射式GaAs光电阴极所需的的抗光反射膜提供了依据。
郭里辉赛小锋侯洵
关键词：GAAS光电阴极反射率
GaAs晶片表面的光辐射清洁及红外测温
1991年
本文介绍了在超高真空系统中对GaAs晶片进行光辐射清洁。这个实验是在实际研制的象增强器第三代管转移铟封系统上完成的,已具有实用价值。用这套清洁方法所制作的反射式GaAs光阴极积分灵敏度已达750μA/lm。
杨滨侯洵张济康郭里辉张功力
关键词：GAAS光电阴极光辐射测温
1.25μm InGaAsP光电阴极的研究
＜正＞ 使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的光电成像器件在光纤通讯、医学、夜视以及其它科研领域有着广泛的用途。其核心部件是二元、三元或四元化合物半导体材料光电阴极。国外在对阈波长为0.9μm的GaAs负电
李晋闽郭里辉张工力王存让候洵
文献传递
透射式GaAs光电阴极响应时间的理论分析被引量：2
1989年
本文以光生电子处于非稳态的观点,分析了透射式GaAs光电阴极的响应时间,从理论上解释了C.C.Phillips等人的测量结果。指出透射式GaAs光电阴极是一种可用于时间响应为皮秒量级的良好光电阴极。
郭里辉侯洵
关键词：GAAS光电阴极透射式
场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的理论计算被引量：7
1992年
本文对决定场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的诸因素进行了详细分析。基于电流连续性方程和量子力学的隧道效应,对阴极吸收层中的电子传输、发射层中的电子转移以及表面电子逸出几率等过程进行了定量计算,得到了在不同场助偏压时,波长与量子效率的关系曲线。计算结果表明,在场助偏压的作用下,可将半导体阴极在0.9—1.25μm范围的量子效率提高两个数量级以上。本文的计算结果对场助半导体阴极的结构设计及工作条件的优化具有一定的帮助。
李晋闽郭里辉侯洵
关键词：光电阴极量子效率半导体材料
场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极时间响应的计算被引量：1
1992年
一、引言 场助Ⅲ—Ⅴ族多元化合物半导体光电阴极与GaAs NEA(Negative electron affinity)光电阴极相比,具有可延伸光电探测的长波阈值、提高红外波段光谱灵敏度等优点,因此在光纤通信、微光夜视以及高速摄影等方面具有广泛的应用。虽然目前场助多元化合物半导体光电阴极的研究已取得了许多成果,但有关理论研究方面的报道却很少见。
李晋闽郭里辉侯洵
关键词：半导体光电阴极异质结
1.25μm近红外场助光阴极材料InGaAsP/InP的液相外延
1992年
本文简要阐述了近红外场助光阴极的原理及对外延材料的要求。利用液相外延工艺并采用独特的掺杂技术生长出了用于近红外光电阴极的InP/InGaAsP 异质结结构。显微分析。x射线双晶衍射、电子探针、电化学C-V等测试结果表明外延层的结晶质量及电学性能符合设计的特殊要求,在此基础上制作的场助光电阴极量子效率在1.20μm处为3.5×10^(-4),其响应波长可达1.25μm。
王存让李晋闽郭里辉侯洵李相民张工力高鸿楷
关键词：液相外延生长光阴极半导体材料
透射式光电阴极（GaAs）
郭里辉
红外InGaAsP光电阴极研究被引量：1
1991年
本文主要对阈值波长可达1.25μm的InGaAsP光电阴极进行了详细的研究。在国内首次实现了在0.5μm～1.25μm波段范围内具有光电响应的半导体光电阴极。用Cs和O_2激活后得到的光电阴极在1.06μm处的反射式光电灵敏度为3.4mA/W,量子效率为0.4％。本文还对激活表面及热清洁工艺进行了系统地分析,确定出了最佳的表面清洁温度及时间。
李晋闽郭里辉王力鸣王存让张工力候洵
关键词：光电阴极半导体发光效率
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