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赵起越

作品数：14 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 9篇半导体
  • 5篇晶体管
  • 5篇击穿电压
  • 4篇电离
  • 4篇电离率
  • 4篇双极型
  • 4篇双极型晶体管
  • 4篇功率半导体
  • 4篇功率半导体器...
  • 4篇功率器件
  • 4篇半导体功率器...
  • 4篇半导体器件
  • 4篇VDMOS器...
  • 3篇受主
  • 3篇绝缘栅
  • 3篇绝缘栅双极型...
  • 3篇二极管
  • 3篇反向恢复
  • 3篇反向恢复时间
  • 3篇安全工作区

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇赵起越
  • 13篇李泽宏
  • 11篇张波
  • 11篇任敏
  • 11篇张金平
  • 6篇张蒙
  • 5篇邓光敏
  • 5篇李巍
  • 3篇张灵霞
  • 3篇夏小军
  • 2篇宋询奕
  • 2篇肖璇
  • 2篇张超
  • 2篇余士江
  • 1篇张鹏
  • 1篇李长安

年份

  • 1篇2013
  • 12篇2012
  • 1篇2011
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
1200V TRENCH-FS型IGBT的设计
Trench-FS结构是IGBT器件发展过程中所提出的一类非常重要结构，其通态损耗与开关损耗、通态损耗与器件耐压之间具有很好的折中关系，可广泛应用于消费、工业控制等领域。迄今为止，市场上所见的Trench-FS IGBT...
赵起越
关键词：IGBT器件参数测量
一种改进的平面绝缘栅双极型晶体管
一种改进的平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管中引入体电极结构，所述体电极结构位于两个P型基区5之间的N-漂移区中，由体电极二氧化硅氧化层所包围的和凹槽型多晶硅体...
李泽宏张超张蒙赵起越肖璇
一种积累型槽栅二极管
一种积累型槽栅二极管，属于半导体器件技术领域。包括N<Sup>+</Sup>衬底，N<Sup>+</Sup>衬底背面的金属化阴极，N<Sup>+</Sup>衬底正面的N<Sup>-</Sup>漂移区；N<Sup>-</S...
李泽宏赵起越余士江张金平任敏张波
文献传递
一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件
一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件，属功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS的超结结构中与外延区（3）导电类型相反的柱区（4）中掺入深能级杂质（对N沟道器件，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件，...
任敏赵起越邓光敏李巍张蒙张灵霞李泽宏张金平张波
文献传递
一种具有终端深能级杂质层的IGBT
一种具有终端深能级杂质层的IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar FS-IGBT基础上，在终端漂移区（14）注入一层深能级杂质层（15）。所述的深能级杂质层（15），随着器件温度升高，深能级杂质电...
李泽宏李巍夏小军赵起越张金平任敏张波
一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件
一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统超结VDMOS器件的超结结构中第二导电类型掺杂半导体柱区（4）的下方，引入一层二氧化硅介质层（12）。与传统超结VDMOS结构相比，通过二氧化...
任敏赵起越邓光敏张鹏宋询奕李泽宏张金平张波
文献传递
一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件
一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS器件超结结构的外延区（3）中掺入深能级杂质（对N沟道器件而言，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件而言，掺入受主杂质In、Ti...
任敏赵起越邓光敏李巍张蒙张灵霞李泽宏张金平张波
一种具有P型埋层结构的槽栅二极管
一种具有P型埋层结构的槽栅二极管，属于半导体器件技术领域。包括N<Sup>+</Sup>衬底、背面的金属化阴极和正面的N<Sup>-</Sup>漂移区；N<Sup>-</Sup>漂移区顶部两侧之外是槽型栅电极和栅氧化层；...
李泽宏赵起越余士江张金平任敏张波
文献传递
一种具有高温自保护功能的IGBT器件
一种具有高温自保护功能的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明是在传统IGBT器件的P型基区（5）中靠近多晶硅栅电极（9）的沟道区（A）中引入带有受主能级的深能级杂质（12），这些深能级杂质（12）在常温下电离...
李泽宏赵起越夏小军任敏张金平张波
文献传递
一种绝缘栅双极型晶体管
一种绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过离子注入或杂质扩散方式在传统绝缘栅双极型晶体管的P<Sup>+</Sup>体区（6）中引入带有受主能级的深能级杂质（12）。在室温下，P<Sup>+</Sup...
李泽宏赵起越李巍任敏张金平张波
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共2页<12>
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