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赵利川

作品数：12 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇电容
  • 4篇料层
  • 4篇晶体管
  • 4篇刻蚀
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇叠层
  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇退火
  • 2篇平坦化
  • 2篇热退火
  • 2篇自对准
  • 2篇阈值电压
  • 2篇接触孔
  • 2篇结电容
  • 2篇金属硅化物
  • 2篇卷曲
  • 2篇孔槽

机构

  • 12篇中国科学院微...
  • 1篇贵州大学

作者

  • 12篇赵利川
  • 9篇闫江
  • 4篇殷华湘
  • 3篇马小龙
  • 2篇张青竹
  • 2篇朱慧珑
  • 2篇许淼
  • 2篇李昱东
  • 1篇李俊峰
  • 1篇许静
  • 1篇刘金彪
  • 1篇杨涛
  • 1篇吴次南
  • 1篇罗军
  • 1篇毛淑娟
  • 1篇高建峰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容
本发明提供了一种自对准形成孔槽的方法，包括步骤：提供待刻蚀层；刻蚀待刻蚀层，以形成第一孔槽；进行叠层的淀积，所述叠层至少包括三层材料层，且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性；进行平坦化，直至第一孔槽...
赵利川李昱东闫江
文献传递
超薄Ni_(0.86)Pt_(0.14)金属硅化物薄膜特性被引量：2
2014年
通过研究超薄Ni-0.86 Pt-0.14㈦。金属硅化物薄膜的特性，提出采用310℃／60S与480℃／10s两步快速热退火（RTA）的工艺方案，形成的Ni（Pt）硅化物薄膜电阻率最小，均匀性最好，且在600oC依然保持形态稳定。应用此退火条件，Ni-0.86 Pt-0.14在0．5μm和22nmCMOS结构片中形成覆盖均匀且性能良好的金属硅化物薄膜，同时没有形成任何尖峰。对于更薄的硅化物，实验结果表明，2nmNi-0.86 Pt-0.14形成的超薄硅化物界面平整，均匀性好，没有在界面出现Ni-0.95 Pt-0.05金属硅化物的“倒金字塔形”尖峰。结果显示，比较在有、无氩离子轰击的硅表面形成的两种Ni（Pt）Si硅化物薄膜，后者比前者电阻率约低10％～26％，该工艺有望在未来超薄硅化物制作被广泛应用。
张青竹高建峰许静赵利川吴次南闫江
关键词：硅化物热稳定
一种鳍的形成方法
本发明提供了一种鳍的形成方法，包括：提供半导体衬底，衬底上形成有图案转移层；在图案转移层中形成暴露衬底的第一沟槽；以叠层填充第一沟槽，所述叠层至少包括第一沟槽内表面上的第一材料层和第一材料层上的第二材料层，第一材料层至少...
赵利川马小龙殷华湘闫江
文献传递
鳍式场效应晶体管及其制造方法
本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供具有鳍的半导体衬底，鳍之间形成有隔离；在鳍上形成伪栅器件，并覆盖伪栅器件两侧形成层间介质层；去除伪栅极，以形成开口；进行离子注入，在开口下的鳍内形成穿通停止层，同...
许淼朱慧珑赵利川
文献传递
一种金属硅化物的形成方法
本发明提供了一种金属硅化物的形成方法，首先提供衬底，所述衬底上形成有鳍，所述鳍上形成有栅极；然后沉积Ti金属层；接着进行所述Ti金属层的硅化，并去除未反应的所述Ti金属层。Ti原子具有较好的稳定性，在热退火的过程中，主要...
张青竹赵利川杨雄锟殷华湘闫江李俊峰杨涛刘金彪
文献传递
一种晶体管和半导体器件及其制作方法
提供了一种晶体管和半导体器件及其制作方法。该制作晶体管的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上确定有源区，在有源区上形成伪栅叠层、围绕所述伪栅叠层的主侧墙、围绕所述主侧墙的绝缘层，并且形成嵌于所述有源区内的源漏区；去除所述伪...
闫江赵利川
文献传递
扩散阻挡层、金属互连结构及其制造方法
本发明公开了一种扩散阻挡层、金属互连结构及其制造方法。根据一示例，金属互连结构可以包括：用于电连接的导电栓/互连导线；以及设置在导电栓/互连导线的至少一部分表面上的扩散阻挡层，其中，扩散阻挡层包括绝缘非晶碳。
马小龙殷华湘赵利川
文献传递
Silicide-last工艺的可行性研究
毛淑娟赵利川罗军闫江
自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容
本发明提供了一种自对准形成孔槽的方法，包括步骤：提供待刻蚀层；刻蚀待刻蚀层，以形成第一孔槽；进行叠层的淀积，所述叠层至少包括三层材料层，且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性；进行平坦化，直至第一孔槽...
赵利川李昱东闫江
文献传递
场效应晶体管中接触孔应力技术的研究
2015年
随着集成电路集成度的不断提高以及场效应晶体管尺寸的微缩,沟道载流子迁移率退化越来越严重,通过沟道应力技术提升载流子迁移率从而提高性能的技术被广泛应用。介绍了接触孔应力对沟道的影响,分析了接触孔与沟道间距离及源漏区外延厚度对沟道应力的影响。通过对应力传导机制的分析,提出了通过调节侧墙材料和结构来优化沟道应力的方法。
赵利川闫江
关键词：迁移率侧墙
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共2页<12>
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