谷卓
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
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- 纤锌矿结构ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱中带间光吸收的尺寸效应和三元混晶效应
- 2014年
- 对于纤锌矿结构ZnO/MgxZn1-xO有限深单量子阱结构,考虑内建电场、导带弯曲及材料掺杂对实际异质结势的影响,利用有限差分法和自洽法数值求解Schr?dinger方程和Poisson方程,获得电子(空穴)的本征能级和本征波函数.进而,采用费米黄金法则讨论带间光吸收的尺寸效应和三元混晶效应.结果表明:三元混晶材料MgxZn1-xO中Mg组分的增加会增强垒层和阱层的内建电场强度,使得电子(空穴)平均位置靠近左(右)垒,导致带间跃迁吸收峰呈指数减小且发生蓝移;ZnO/MgxZn1-xO量子阱带间跃迁吸收峰随阱宽增大而减小,吸收峰发生红移.所得结果可为改善异质结构材料和器件的光电性能提供理论指导,以期获得实际应用所需的光学吸收频谱和波长.
- 谷卓班士良
- 关键词：ZNO尺寸效应
- 高压电晕电场对黄霉素产生菌诱变效应被引量：5
- 2012年
- 利用高压电晕电场诱变技术对黄霉素产生菌08-28进行微生物代谢产量和活性的研究。结果表明:链霉素对黄霉素产生菌的最低抑制浓度为0.75U/ml;随着电场处理剂量的增大菌种致死率也随之增大,诱变电压为21kV,针尖距离为8mm,诱变时间为4min时是最佳诱变条件,此时致死率在68%,菌落形态呈放射状褶皱。通过筛选,获得8株突变高产菌株,其中产黄霉素能力最高的是原始菌株的1.92倍。
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- 关键词：电晕电场诱变
- 纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中电子的带间光吸收
- 在有效质量近似下,采用薛定谔方程和泊松方程自洽求解方法,计算电子-空穴气屏蔽下纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中电子和空穴的本征能量及相应的本征态.
- 谷卓班士良
- 纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中电子的带间光吸收
- 在有效质量近似下，采用薛定谔方程和泊松方程自洽求解方法，计算电子-空穴气屏蔽下纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中电子和空穴的本征能量及相应的本征态。基于费米黄金法则，讨论Mg组分、结构尺寸、外加电场以及极化强度对电...
- 谷卓班士良
