胡小波
- 作品数：249 被引量：297H指数：7
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 6H-SiC单晶的激光刻蚀及光谱分析（英文）被引量：3
- 2016年
- 激光微加工是半导体精密加工的一个有效方法。对于碳化硅(SiC)单晶,使用紫外波段激光可以获得对入射能量最大的吸收效率。使用355nm全固态激光器对6H-SiC单晶进行刻蚀。同时将样品置于不同的介质下以探究最优加工条件。使用拉曼光谱表征激光刻蚀后的SiC表面。刻蚀后表面主要由无定形硅及纳米晶石墨组成,对于空气下刻蚀的SiC晶片,无定形硅主要分布于刻蚀坑的周围,刻蚀坑内较少。而在液体下刻蚀的样品,无定形硅的空间分布相反。通过分析残留在表面的物质,在另一角度研究了激光刻蚀的反应机理。对于液体辅助的激光加工,以往的研究主要关注液层的厚度及粘度,对液体还原性的研究很少。为确定液体还原性的影响,使用共聚焦激光扫描显微镜及能量色散谱检测了不同液体辅助加工样品的表面形貌及氧含量。结果表明,液体还原性在激光刻蚀过程中有着较大的影响,使用有着还原性的液体作为介质可以有效减少表面氧化并获得更规则的表面形貌。
- 郁万成胡小波崔潆心陈秀芳徐现刚
- 关键词：碳化硅激光刻蚀拉曼光谱
- 在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法
- 本发明涉及一种大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法，将6H-SiC晶片碳面抛光、清洗，碳面朝上平放在单晶生长炉坩埚中的石墨托盘中，抽真空度至1×10<Sup>-7</Sup>mbar，快速升温至1700-1750℃，...
- 陈秀芳魏汝省胡小波徐现刚
- 文献传递
- 一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法
- 本发明提供一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法，包括固定加热炉和括激光器、光束整形器、振镜系统和成像设备，固定加热炉用于固定、加热待剥离样品，激光器发出的激光依次经过光束整形器、振镜系统照射到待剥离样...
- 张雷刘磊张百涛王国栋叶帅何京良徐明升俞娇仙王守志胡小波徐现刚
- BPO4晶体缺陷的形貌分析
- 利用助熔剂法,采用顶部籽晶技术生长出新型非线性光学晶体材料BPO（简称BPO）单晶。用同步辐射白光X射线形貌术拍摄了（002）(101)切片的形貌像,从形貌像中可明显地观察到游离于主晶形貌像之外的孪晶形貌像,从而确定了B...
- 沈卫军胡小波傅佩珍姚吉勇曾文荣陈创天田玉莲蒋建华
- 关键词：非线性光学晶体孪晶
- 文献传递
- 大直径高硬度6H－SiC单晶片的表面抛光方法
- 大直径高硬度6H－SiC单晶片的表面抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。将表面经过研磨的碳化硅晶片，进行粗抛光和精抛光两次抛光。粗抛光是在保证平整度的条件下，快速去除研磨造成的表面损伤层，并降低表面粗糙度；精抛光采用机械...
- 徐现刚胡小波陈秀芳蒋民华
- 文献传递
- 泡生法生长蓝宝石晶体中的气泡分布(英文)
- 2014年
- 气泡是蓝宝石晶体中的主要缺陷之一。本文中研究了采用泡生法生长蓝宝石晶体中气泡的俘获机理以及在晶体中的分布情况。研究结果表明气泡的分布与温场的结构相关,气泡产生的直接原因是结晶前沿较快的晶体生长速度。晶体中的气泡可以通过对生长速率的适当调整予以消除。
- 于国建宗艳民张志海高玉强胡小波徐现刚
- 关键词：气泡蓝宝石泡生法
- 一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置及方法
- 本发明涉及一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置，包括带盖的石墨坩埚，石墨坩埚的底部连接有使石墨坩埚旋转的旋转系统，所述的旋转系统包括旋转托盘、中心旋转杆和驱动中心旋转杆主动的驱动装置，驱动装置通过三通连接件与真空生长腔...
- 胡小波彭燕陈秀芳徐现刚
- 文献传递
- 一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构
- 本发明提供了一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构，该GaN基LED管芯P型GaN层的结构，是在P型GaN层上设有孔洞，孔洞的底部距离LED管芯的量子阱有源区的距离为10纳米-100纳米，孔洞内填有金属颗粒，孔洞的洞口...
- 徐现刚沈燕胡小波
- AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究被引量：3
- 2014年
- 研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响。采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力。GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567.7 cm-1。成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高。
- 徐明升胡小波徐现刚
- 关键词：SIC衬底GAN薄膜晶体质量
- 热退火对KDP晶体微结构的影响被引量：12
- 2003年
- 用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化。实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放。对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著。
- 王圣来李丽霞胡小波高樟寿付有君孙洵李义平曾红
- 关键词：惯性约束聚变KDP晶体微结构热退火RAMAN光谱
