肖祁陵
- 作品数：10 被引量：38H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 高质量GaN/Al_2O_3薄膜的三晶高分辨X射线衍射研究
- 2006年
- 通过对常压MOCVD工艺下制备的GaN/A l2O3两种样品的X射线衍射分析,利用不同的掠入射角及倾斜ω扫描,精确测量了GaN薄膜的晶体结构和位错密度,据此提出了一种表征薄膜纵向位错密度的新方法。结果表明实验制备的GaN薄膜具有相当一致的c轴取向,对称衍射(002)面ω扫描半峰宽分别为229.8arcsec、225.7 arcsec;同时,根据倾斜对称ω扫描半峰宽分析认为样品A、B的位错密度分别约为4.0801×108/cm2,5.8724×108/cm2,其样品A的位错密度小于样品B,但PL谱给出样品A的发光效率低于样品B;而根据不同的掠入射ω扫描推断出样品A的位错密度大于样品B,与相应的发光性能吻合。
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- 关键词：GAN高分辨X射线衍射位错密度掠入射
- ZnO薄膜结构表征的研究现状
- 2005年
- ZnO薄膜是继CaN材料之后的另一种具有应用前景的直接宽带隙半导体材料。针对目前对ZnO薄膜结构的分析，综述了ZnO薄膜结构表征的常用方法，着重分析了XRD在ZnO薄膜结构方面的应用。
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- 关键词：ZNO薄膜XRD
- 半导体外延层晶格失配度的计算被引量：12
- 2006年
- 比较了晶格失配度的各种定义,建议统一使用同一定义。采用简化模型系统地探讨了各种情况下半导体外延生长层和衬底的二维晶格失配度的计算,最后讨论了结合XRD衍射图谱确定失配度的方法。结果表明,正三角形晶格和长方形晶格匹配,长方形晶格的宽列原子的匹配具有优先性,不受长列原子匹配的影响。长方形的长宽比接近匹配比时,整体匹配较好。
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- 氧分压和沉积速率对YSZ薄膜残余应力的影响被引量：4
- 2009年
- 采用摩尔分数为7%的Y2O3掺杂的ZrO2混合烧结料为原料,在不同的氧分压和沉积速率下用电子束蒸发方法沉积氧化钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜样品。利用ZYGO MarkⅢ-GPI数字波面干涉仪对YSZ薄膜的残余应力进行了研究,讨论了氧分压和沉积速牢等工艺参节对残余应力的影响。实验结果表明,不同氧分压和沉积速率下,YSZ薄膜的残余应力均为张应力;应力值随氧分压的升高先增大后减小,随沉积速率的增加单调增加。热应力对薄膜所呈现的张应力性质起着决定性作用,同时应力值的大小受本征应力和附加应力的影响。通过对样品的X射线衍射(XRI))测试,结合薄膜做结构的变化,对应力的形成原因进行了解释。
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- 关键词：残余应力YSZ薄膜氧分压沉积速率
- 相干光束同轴合成的方法
- 一种相干光束同轴合成的方法，其特点是包括下列步骤：①将一束p偏振光和一束s偏振光经过一块偏振合束镜同轴地合为一束椭圆偏振光；②然后经过一块1/4波片和一块1/2波片将所述的椭圆偏振光变为一束s偏振光或一束p偏振光；③该合...
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- 文献传递
- 沉积温度对氧化钇稳定氧化锆薄膜残余应力的影响被引量：8
- 2008年
- 采用自制掺摩尔分数12%的Y2O3的ZrO2混合颗粒料为原料,在不同的沉积温度下用电子束蒸发方法沉积氧化钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜样品。利用ZYGOMarkⅢ-GPI数字波面干涉仪对氧化钇稳定氧化锆薄膜的残余应力进行了研究,讨论了沉积温度对残余应力的影响。实验结果表明:随沉积温度升高,氧化钇稳定氧化锆薄膜中残余应力状态由张应力变为压应力,且压应力值随着沉积温度升高而增大;用X射线衍射仪表征了不同沉积温度下氧化钇稳定氧化锆薄膜的微观结构,探讨了薄膜微观结构与其应力的对应关系,并对比了纯ZrO2薄膜表现出的应力状态。
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- 关键词：薄膜光学残余应力沉积温度
- 利用高分辨X射线衍射仪表征GaN//Al/_2O/_3薄膜结构特性
- 近年来，尽管GaN基光电子材料和器件得到迅猛发展，但对材料本身的研究还很不充分，GaN基材料生长和性能研究方面还需做大量工作，仍存在一些影响产业化的问题急需解决。目前氮化镓材料中位错的研究吸引了众多学者的极大关注。国内外...
- 肖祁陵
- 关键词：GAN薄膜X射线衍射掠入射光致发光
- 文献传递
- 沉积温度对YSZ薄膜残余应力的影响
- 采用自制掺12mol%的YO的ZrO混合颗粒料为原料,在室温、100℃、200℃、300℃四种不同的沉积温度下用电子束蒸发方法沉积YSZ（氧化钇稳定氧化锆）薄膜样品。利用ZYGO MarkⅢ-GPI数字波面干涉仪对YSZ...
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- 关键词：薄膜物理残余应力YSZ薄膜沉积温度
- 文献传递
- 光学薄膜应力表征及其与微观结构的关系
- 薄膜应力是薄膜生产、制备中的一种普遍现象，几乎所有的薄膜都处于一定的应力状态。已有的研究表明，残余应力对薄膜的电学、力学性能、尺寸稳定性和使用寿命有着直接的影响。因此，残余应力的研究一直是薄膜研究关注的热点。
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- 肖祁陵
- 关键词：残余应力X射线衍射应力测量微观结构薄膜应力
- 不同方法制备的Ta2O5薄膜光学性能和激光损伤阈值的对比分析被引量：13
- 2008年
- 采用电子束蒸发(EBE)和离子束溅射(IBS)制备了不同的Ta_2O_5薄膜,同时对电子束蒸发制备的薄膜进行了退火处理。研究了制备的Ta_2O_5薄膜的光学性能、激光损伤阈值(LIDT)、吸收、散射、粗糙度、微缺陷密度和杂质含量。结果表明,退火可使电子束蒸发制备的薄膜的光学性能得到改善,接近离子束溅射的薄膜的光学性能。电子束蒸发制备的薄膜的损伤阈值较低的主要原因在于吸收大,微缺陷密度和杂质含量高,而与薄膜的散射和粗糙度关系不大。退火后薄膜的吸收和微缺陷密度都明显降低,损伤阈值得到提高。退火后的薄膜损伤阈值仍然低于溅射得到的薄膜损伤阈值是因为退火并不能降低膜内的杂质含量,因此选用高纯度的蒸发膜料和减少电子束蒸发过程中的污染有可能进一步提高薄膜的损伤阈值。
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- 关键词：激光损伤阈值退火
