聂招秀
- 作品数：16 被引量：28H指数：3
- 供职机构：南昌工程学院理学院更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金江西省高等学校教学改革研究课题更多>>
- 相关领域：理学文化科学一般工业技术电子电信更多>>
- 基于“新工科”建设的大学物理实验教学改革思考被引量：6
- 2019年
- 根据"新工科"建设要求,对大学物理实验教学从考核方式、教学内容、实验项目、教学模式等提出改革意见,实践表明,适当有效的改革能促进大学物理实验教学质量的提高,有助于"新工科"建设需要。
- 袁贤何玉平聂招秀刘宁
- 关键词：大学物理教学内容教学方法
- 二维叠氮双桥铜(Ⅱ)配位聚合物磁性的第一性原理研究(英文)
- 2013年
- 采用第一性原理计算方法研究二维化合物Cu(N3)2(py-c-c-py)的电子结构与磁性质.研究结果表明,化合物的基态为稳定的铁磁态.分波态密度和能带结构分析显示中心铜离子向叠氮基团和吡啶桥存在自旋退局域化现象.并且费米能级附近的占据态主要由铜-3d态组成,还有少量的氮-2p态.同时还发现了铜原子之间通过叠氮双桥发生铁磁交换相互作用,与实验结果相符.
- 李健文聂招秀傅雅卿何玉平
- 关键词：密度泛函理论第一性原理方法
- 基于培养研究型创新能力的大学物理实验教学探索——以自制非称重仪器测量质量为例被引量：1
- 2020年
- 当前大学生参与创新训练计划及学术科技作品竞赛等项目日趋盛行,结合大学物理实验实践性课程的特点,文章开发一种非称重实验方法,并自制简易滑轮装置来精确测量螺帽质量。通过引导学生设计非称重法测量质量的实验方案并自制仪器,极大地调动学生学习物理的积极性,培养学生的研究型思维能力和创新能力,且有利于提高大学物理实验教学质量。
- 刘宇徐江龙刘宁何玉平聂招秀
- 关键词：研究型自制仪器
- C掺杂AlN的电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：6
- 2019年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了C掺杂铅锌矿AlN的电子结构、磁性和光学性质.结果表明,C掺杂AlN产生了自旋极化,在带隙中引入杂质带形成受主能级,实现p型掺杂,同时表现出较强的半金属铁磁性,半金属能隙为0.315eV,理论上可实现100%的自旋载流子注入.掺杂后体系的介电函数虚部和光吸收系数在低能区出现新的峰值,吸收边向低能方向延展,能量损失明显减少.
- 王腊节聂招秀
- 关键词：铁磁性光学性质第一性原理
- 职业教育校企合作模式多元化的探讨
- 2017年
- 校企合作既是职业技术技能人才培养质量的重要保障,也是全社会职业教育所公认的价值取向,同时也能缓和职业教育的难题。校企合作通过实践过程中总结出,目前能有效解决应用技术型人才培养的难题,通过不断构建适合专业发展的多元化校企合作模式,在人才培养的广度、深度和质量,对现代的职业教育,具有现实的指导意义。
- 王腊节聂招秀王乐平
- 关键词：职业教育校企合作
- 大学物理实验多元化考核评价体系的探究被引量：1
- 2021年
- 本文介绍了我校大学物理实验考核过程中存在的问题,从实验预习、实验操作、数据记录、数据处理和误差分析以及创新五个方面进行考核,细化了学生实验过程中的各个环节,制定了12个主要的考核指标,构建了大学物理实验多元化的考核评价体系。该评价体系突出了对实验过程的考核。实践结果表明,该考核方式能调动学生的学习自主性和培养学生的动手能力、创新能力,进而提高实验教学质量。
- 聂招秀王腊节李健文王峰邱深玉
- 关键词：大学物理实验
- Cu掺杂AlN的铁磁稳定性的第一性原理计算被引量：1
- 2010年
- 文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,结合广义梯度近似计算了Cu掺杂AlN的晶格常数、能带结构、电子态密度、铁磁态和反铁磁态的总能量,并通过平均场近似的海森堡模型估算了居里温度Tc。结果表明,Cu掺杂体系的能带结构呈现半金属性,半金属能隙为0.442eV。铁磁性是Cu原子的3d态与其最近邻的N原子的2p态通过p-d杂化作用而稳定的。当两个Cu原子相距最远且自旋平行排列时,体系具有最低的能量,估算出此时的居里温度高于室温,因此Cu掺杂AlN有望作为稀磁半导体材料。
- 聂招秀王腊节
- 关键词：ALN铁磁性稳定性第一性原理计算
- AlN基稀磁半导体的研究进展被引量：2
- 2010年
- 主要介绍了AlN基稀磁半导体(DMS)的研究进展,包括其发展过程、AlN基DMS的研究现状,描述了理想的AlN基DMS材料应具备的特征,并展望了其未来的研究方向。
- 王腊节聂招秀
- 关键词：ALN稀磁半导体居里温度掺杂
- Cu、Ag和Au掺杂AlN的电磁性质的第一性原理研究被引量：6
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了Cu、Ag、Au掺杂AlN的晶格常数、磁矩、能带结构和态密度.电子结构表明,Cu、Ag、Au的掺杂使在带隙中引入了由杂质原子的d态与近邻N原子的2p态杂化而戌的杂质带,都为p型掺杂,增强了体系的导电性.Cu掺杂AlN具有半金属铁磁性,半金属能隙为0.442 eV,理论上可实现100%的自旋载流子注入;Ag掺杂AlN具有很弱的半金属铁磁性;而Au掺杂AlN不具有半金属铁磁性.因此,与Ag、Au相比,Cu更适合用来制作AlN基稀磁半导体.
- 聂招秀王新强高婷婷鲁莉娅程志梅刘高斌
- 关键词：ALN铁磁性稀磁半导体第一性原理
- 三元化合物ZnVSe_2半金属铁磁性的第一性原理计算被引量：1
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA),对三元化合物ZnVSe2晶体的电子结构进行了计算,分析了ZnVSe2晶体自旋极化的能带结构、电子态密度、电荷布居、磁矩等.计算结果表明,三元化合物ZnVSe2会产生自旋极化状态,能带结构和态密度显示为半金属特征,表现出显著的铁磁性行为,具有高达近100%的传导电子自旋极化率,其半金属能隙为0.443eV,理论预测其可能是一种具有一定应用潜能的自旋电子学材料.本文结果可望为实验中合成及制备这种半金属铁磁体提供一定的理论依据.
- 王风王新强聂招秀程志梅刘高斌
- 关键词：半金属铁磁性第一性原理
