甘军宁
- 作品数：10 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教委科技发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
- 本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I在1.67-1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加...
- 沈珮张万荣谢红云金冬月邱建军王扬何莉剑张蔚沙永萍李佳甘军宁
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管
- 文献传递
- 3～10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计被引量：3
- 2009年
- 根据UWB（Ultra-wideband）无线通信标准,提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计。该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的。仿真结果表明,放大器在3-10 GHz带宽内,增益S21高达21 dB,增益平坦度小于1.5 dB,噪声系数在2.4~3.3 dB之间,输入输出反射系数（S11和S22）均小于-9 dB,并且在整个频带内无条件稳定。所有结果表明该LNA性能良好。
- 李佳张万荣谢红云金冬月沈珮甘军宁
- 关键词：射频放大器低噪声放大器超宽带SIGEHBTS
- 一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计被引量：1
- 2009年
- 第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器（VGA）设计。放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级。VGA的增益控制通过调整第二级的偏置实现。VGA在1.95 GHz频率下,在0～2.7 V增益控制电压变化下,具有44 dB增益变化范围,最大增益49 dB。在最大增益处最小噪声系数为2.584 dB,输入输出电压驻波比低于2,性能良好。
- 甘军宁张万荣谢红云金冬月沈珮李佳
- 关键词：射频放大器可变增益SIGEHBT
- 改善多指功率SiGe HBTs热稳定性的版图设计(英文)
- 2009年
- 提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性。模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善。上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距的增加,从而有效阻止热流由外侧指流向中心指处。此外,与均匀指间距结构器件相比,其热阻改善13.71%,热退化功率水平提高22.8%。因此,模拟和实验均证明采用非均匀指间距结构HBT的版图设计可有效改善功率HBTs热稳定性。
- 金冬月张万荣谢红云沈珮胡宁甘军宁李佳
- 关键词：SIGEHBT热稳定性
- 基于SiGe HBT的超宽带(UWB)低噪声放大器的设计
- 本文结合超宽带(UWB)无线通信标准,给出了超宽带低噪声放大器(LNA)的设计思路,然后根据这个思想以高性能的硅锗异质结双极型晶体管为核心设计出了一款超宽带低噪声放大器,最后用安捷伦的ADS对所设计的放大器进行了仿真验证...
- 张蔚张万荣谢红云金冬月何莉剑王扬沙永萍李佳甘军宁沈珮
- 关键词：超宽带低噪声放大器ADS
- 文献传递
- 基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计
- 2008年
- 基于IEEE802·11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计。为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真。最终在频率为5·2GHz下,LNA噪声系数F为1·5dB,增益S21达到12·6dB,输入、输出反射系数S11和S22较好,在工作频带内小于-10dB,LNA性能良好。
- 李佳张万荣谢红云张蔚沈珮甘军宁
- 关键词：低噪声放大器IEEE802.11A
- 具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT被引量：2
- 2009年
- 本文对多发射极条（指）微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试，并就测试结果对电流处理能力进行了研究。实验结果表明，对20—80指的GeSiHBT，发射极单位长度的电流密度I0在1．67—1．06A／cm之间变化。随发射极条数的增加，I0逐渐减少，分析认为这是由发射极条之间的热耦合引起有源区的温度非均匀分布而导致的。并且通过测试所得到的I0值，证明多指GeSiHBT可通过选择合适的发射极条数、条长和发射区面积获得更高的电流处理能力。
- 沈珮张万荣谢红云金冬月李佳甘军宁
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管
- 射频E类功率放大器并联电容技术研究进展
- E类功率放大器是一种新型高效率功率放大器,理论效率接近100%,实际效率达95%。由于E类放大器的结构简单、效率高、可设计性强等优点,得到了广泛的应用。E类放大器利用并联电容在工作过程中对电路进行充放电。为了使E类放大器...
- 甘军宁张万荣谢红云金冬月何莉剑张蔚李佳沈王扬沙永萍
- 关键词：射频功率放大器E类并联电容
- 文献传递
- 一款适用于IEEE802.11a标准的SiGe HBT低噪声放大器的设计
- 由于SiGe技术的快速发展,SiGe HBT低噪声放大器(LNA)已得到广泛应用。本文基于IEEE802.11a标准描述了一款SiGeHBT低噪声放大器的设计.为了优化其各项指标,分析了影响噪声、功率增益及稳定性的因素,...
- 李佳张万荣谢红云张蔚金冬月何莉剑甘军宁沈珮王扬沙永萍
- 关键词：低噪声放大器IEEE802.11A
- 文献传递
- 射频E类功率放大器并联电容技术研究被引量：3
- 2008年
- 为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值。分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法。指出了E类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了E类功率放大器中并联电容对电路性能的影响,同时给出了考虑并联电容的E类功率放大器的设计方法。
- 甘军宁张万荣谢红云何莉剑李佳沈珮
- 关键词：射频功率放大器E类并联电容
