王金晓
- 作品数:15 被引量:7H指数:2
- 供职机构:兰州空间技术物理研究所更多>>
- 发文基金:国防科技重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术航空宇航科学技术电子电信更多>>
- 一种掺钾柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法
- 本发明涉及一种掺钾柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法,属于表面工程技术领域。本发明主要是利用离子束硒化磁控溅射一步法实现在较低温度下生成平整、致密、均匀的高质量CIGS吸收层,降低了CIGS吸收层制备温度,并且简化了C...
- 王金晓左华平王虎高恒蛟李坤
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- 一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法
- 本发明公开了一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法,步骤一、将聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位固定在薄膜拼接装置的铝合金底座上;步骤二、将聚氨酯热熔胶粉末均匀涂覆于聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位表面;步骤三、将聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位覆...
- 王虎王志民冯煜东左华平王艺赵慨王金晓杨淼
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- 氧离子能量对离子束辅助沉积Al_2O_3薄膜的结构及光学性能的影响被引量:3
- 2012年
- 利用氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术在聚酰亚胺基底上沉积Al2O3薄膜。这项技术在溅射高纯铝靶材的同时利用低能氧离子进行氧化来控制薄膜的化学配比。研究了薄膜沉积过程中离子束辅助的作用以及离子束放电电压对Al2O3薄膜的化学成分、结构、表面形貌、光学性能以及沉积速率的影响。结果发现,离子束放电电压对薄膜的化学成分具有显著影响,当电压增加到200 V,薄膜已基本达到完全化学计量比且薄膜为非晶结构;薄膜表面粗糙度随着离子束放电电压的增加而减小,当电压达到300V时,薄膜具有最小的表面粗糙度;通过对Al2O3薄膜透射谱的测量,分析薄膜的光学特性,获得了薄膜的光学常数随离子束放电电压的变化规律,发现氧离子束辅助沉积的薄膜具有较高的折射系数和较低的消光系数;另外,薄膜的沉积速率在电压增加到300V时达到最大值70 nm/min,是未采用离子束辅助时沉积速率的5倍。
- 王金晓王志民冯煜东王艺赵慨速小梅王虎
- 关键词:AL2O3薄膜光学特性
- 氧分子在Mo(110)面吸附的第一性原理研究被引量:2
- 2016年
- 采用密度泛函理论和周期平板模型,研究了氧分子在Mo(110)表面的吸附行为.对氧分子在Mo(110)表面的3种吸附位置(顶位、桥位和穴位)的吸附能和几何构型参数进行了对比计算,确定了最稳定的吸附位置.在此基础上,利用原子轨道电荷分布和能态密度(DOS)分析了氧分子与Mo原子的成键机理.结果表明:对于Mo(110)表面,氧分子在桥位的吸附是体系最稳定的几何构型,其吸附能为2.99eV;氧分子吸附于Mo(110)面主要是由于O的2p轨道与Mo的4p轨道发生重叠杂化的结果.
- 高恒蛟熊玉卿刘孝丽赵栋才王兰喜王金晓
- 关键词:密度泛函理论吸附能态密度
- 一种CIGS太阳电池吸收层制备方法
- 本发明公开了一种CIGS太阳电池吸收层制备方法。使用本发明能够在较低温度下一步生成平整、致密、均匀、光电性能良好的CIGS太阳电池光吸收层薄膜,能显著降低CIGS太阳电池光吸收层薄膜的制备温度,简化工艺。本发明利用Se离...
- 王金晓冯煜东王艺王志民赵慨速小梅王虎杨淼
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- 一种在聚酰亚胺基底上制备金属膜的方法
- 本发明涉及一种在聚酰亚胺基底上制备金属膜的方法,属于天基预警雷达天线技术领域。本发明所述方法是在磁控溅射沉积金属膜的过程中引入激光冲击处理技术,使金属膜沉积过程与激光冲击处理过程交替进行,从而减少金属膜沉积过程中产生的残...
- 王金晓张凯锋王艺李学磊王兰喜
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- 一种高温抗氧化涂层的复合沉积方法
- 本发明公开了一种用于高温抗氧化涂层的复合沉积方法,包括下列步骤:(1)将需沉积涂层的基底放置于反应室内,将反应室抽真空;(2)?利用加热装置对基底加热并保持相应加热温度;(3)利用原子层沉积技术在基底上沉积一层所需的高温...
- 熊玉卿赵栋才冯煜东王兰喜王金晓
- 一种降低铝合金片材太阳光谱吸收率的方法
- 本发明公开了一种降低铝合金片材太阳光谱吸收率的方法,首先通过抛光工艺降低铝合金基底表面粗糙度;然后依次用洗涤剂和无水乙醇对铝合金基底进行清洗,再采用超声清洗工艺对铝合金基底进行深度清洗;接着,在铝合金基底上镀制铬过渡膜,...
- 王虎王志民冯煜东王艺赵慨速小梅王金晓杨淼
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- 耐高温抗氧化铱涂层的研究现状被引量:2
- 2016年
- 金属铱具有高熔点和良好的抗氧化性能,是1 800℃以上高温抗氧化涂层的首选材料。通过对国内外制备耐高温抗氧化铱涂层的研究现状进行了综述,探讨了铼基底上铱涂层的主要失效机制,分析了复合沉积技术对于制备高致密、高稳定性铱涂层的意义。
- 高恒蛟熊玉卿赵栋才王金晓王兰喜
- 关键词:铱原子层沉积
- 一种低吸收率氧化硅薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种低吸收率氧化硅薄膜的制备方法,该方法的具体步骤为:步骤一、在真空腔内设置硅靶和离子源,将基底放在真空腔内,打开真空泵组,使真空腔本底真空度高于2.0×10<Sup>-3</Sup>Pa;步骤二、用氩离子束...
- 王虎王志民冯煜东王艺赵慨速小梅王金晓杨淼
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