王志宽
- 作品数：14 被引量：28H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用被引量：8
- 2010年
- 对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。
- 费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿李茂顺兰博崔江维赵云王志宽杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管
- 栅控横向PNP双极晶体管电离辐射效应被引量：2
- 2012年
- 设计并制作了一种栅控横向PNP双极晶体管测试结构,将其与相同工艺条件下制作的常规横向PNP双极晶体管封装在同一管壳内。在相同条件下对两种器件进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果发现,栅控和常规双极晶体管在基极电流、集电极电流、过剩基极电流和归一化电流增益方面,对电离辐射响应高度一致。对栅控横向PNP双极晶体管辐照感生电荷进行了定量分离,研究国产栅控横向PNP双极晶体管辐照感生缺陷的定量变化就可以客观、科学地反应国产常规横向PNP双极晶体管辐照感生电荷变化。
- 席善斌陆妩任迪远王志宽周东文林孙静
- 关键词：电荷分离
- 不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应被引量：8
- 2011年
- 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。
- 费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿王志宽杨永晖李茂顺兰博崔江维赵云
- 关键词：NPN双极晶体管偏置
- 一种BiCMOS工艺器件耐压特性的优化研究
- 介绍了在一种互补双极CMOS兼容工艺中通过减压/低温外延增加有效外延层厚度，及采用LDD结构，分别提高BJT和MOSFET耐压特性的工艺与器件优化方案和结果。利用Silvaco TCAD工具，对工艺及器件进行了模拟仿真，...
- 王志宽钟怡李荣强何开全廖露粱涛
- 关键词：结构参数
- 中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷被引量：2
- 2012年
- 设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.
- 席善斌陆妩王志宽任迪远周东文林孙静
- 关键词：栅控电荷分离
- 一种多晶硅半导体桥SCB电阻点火器的结构设计与分析
- 介绍了采用半导体集成电路工艺技术研制的新一代点火器——多晶硅半导体桥(SCB--Semiconductor Bridge)电阻点火电路的图形设计、工艺流程设计和点火测试结果。主要包括多晶硅桥电阻均匀性工艺优化、电阻桥的复...
- 王胜强王志宽黄磊张正元
- 关键词：结构参数优化设计
- 高压功率器件硼基区工艺优化研究
- 随着功率双极集成电路在军民两用的各种电源管理、功率驱动等领域中应用日益广泛，集成电路工作电压逐步提高，原有工艺技术和工艺规范已不满足这类产品的要求。文章介绍了工作电压高于50V的功率器件硼基区工艺优化方案，给出了工艺结果...
- 曾莉王志宽李杰税国华
- 关键词：高压功率器件
- 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响被引量：3
- 2011年
- 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重。并对对实验现象的相关机理进行了分析。
- 席善斌王志宽陆妩王义元许发月周东李明王飞杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管
- 氧化层厚度对NPN双极管辐射损伤的影响被引量：1
- 2012年
- 研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性。结果显示,随总剂量的增加,晶体管基极电流增大,电流增益下降,且薄氧化层的晶体管比常规厚氧化层的晶体管退化更严重。另外,两种NPN晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应。本文对各种实验现象的损伤机理进行了分析。
- 席善斌陆妩王志宽任迪远周东文林孙静
- 关键词：NPN双极晶体管氧化层厚度剂量率效应
- 氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响
- 研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性。结果显示：随着总剂量的增加，晶体管基极电流增大，电流增益下降，且薄氧化层的晶体管比常规厚氧化层的晶体管退化更严重。另外，两种NPN晶体管均...
- 席善斌陆妩王志宽任迪远周东文林孙静
- 关键词：NPN双极晶体管氧化层厚度低剂量率退火特性
