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王帅华

作品数:50 被引量:7H指数:1
供职机构:中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信文化科学化学工程更多>>

文献类型

  • 41篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇理学
  • 6篇电子电信
  • 5篇文化科学
  • 4篇化学工程
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 23篇晶体
  • 13篇掺杂
  • 12篇磁光晶体
  • 7篇隔离器
  • 7篇光隔离
  • 7篇光隔离器
  • 7篇光纤
  • 7篇光纤通讯
  • 7篇光纤通讯技术
  • 6篇SUB
  • 5篇陶瓷
  • 5篇稀土
  • 5篇金属
  • 5篇激光
  • 5篇磁光隔离器
  • 4篇单晶
  • 4篇离子
  • 3篇压焊
  • 3篇闪烁晶体
  • 3篇探测器

机构

  • 50篇中国科学院福...
  • 4篇中国科学院大...
  • 3篇闽都创新实验...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇福建师范大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇福建福晶科技...
  • 1篇湖北三江航天...

作者

  • 50篇王帅华
  • 40篇吴少凡
  • 23篇郑熠
  • 23篇黄鑫
  • 5篇郭国聪
  • 5篇郑发鲲
  • 2篇林哲帅
  • 2篇吴美凤
  • 2篇李晓辉
  • 2篇刘志发
  • 2篇李艳
  • 2篇张成鑫
  • 2篇王远
  • 1篇李丙轩
  • 1篇王汉斌
  • 1篇沈旭明
  • 1篇刘宇
  • 1篇孟凡辉
  • 1篇余勇
  • 1篇潘清

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇中国体视学与...
  • 1篇第四届全国分...

年份

  • 3篇2024
  • 5篇2023
  • 5篇2022
  • 7篇2021
  • 14篇2020
  • 5篇2019
  • 7篇2018
  • 2篇2012
  • 2篇2011
50 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种二维(BA)<Sub>2</Sub>PbBr<Sub>4</Sub>钙钛矿单晶及其制备方法和应用
本申请公开了一种二维(BA)<Sub>2</Sub>PbBr<Sub>4</Sub>钙钛矿单晶及其制备方法和应用,属于半导体X射线探测器领域。所述二维(BA)<Sub>2</Sub>PbBr<Sub>4</Sub>钙钛矿...
王帅华许谢铭黄鑫吴少凡郑熠
一种掺杂钒酸镝磁光晶体、生长方法及其应用
本发明包含一种掺杂钒酸镝磁光晶体的生长方法和及其应用。所述掺杂钒酸镝的分子式为K<Sub>x</Sub>M<Sub>y</Sub>Dy<Sub>(1‑x‑y)</Sub>VO<Sub>4</Sub>,M为+3价金属离子或...
徐刘伟吴少凡王帅华郑熠黄鑫
一种大尺寸晶体块屏贴合方法
本发明提供了一种大尺寸晶体块屏贴合方法,该晶体块屏具有固定夹具与晶体片进行配合,且拼接起来的方式是拼接面胶合整体螺丝紧固且一次成型,完整性好。得到的大尺寸晶体块屏整体强度高,加工一致性好,能有效延长使用寿命。该制作方法具...
黄鑫王帅华吴少凡郑熠陈旻
一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法
一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法。本方法将晶体介观缺陷测量仪的泵浦光源与探测光源通过会聚光路聚焦于样品的同一点上,泵浦激光加热样品内的测试点,剩余激光由激光功率计接收;测量光路要求探测光须完全贯穿样品,探测激...
王帅华吴少凡徐鸿锋
文献传递
一种磁光隔离器
本发明公开了一种磁光隔离器,属于光纤通讯技术领域,能够解决当系统反向光波长范围较宽时,现有磁光隔离器隔离效果较差的问题。所述磁光隔离器包括:柱状的磁光晶体;设置在磁光晶体外围的活动磁体;驱动单元,驱动单元与活动磁体连接,...
黄鑫吴少凡王帅华郑熠徐刘伟
文献传递
一种集成式光隔离器的封装方法以及集成式光隔离器
本发明公开了一种集成式光隔离器的封装方法以及集成式光隔离器,涉及光纤通讯技术领域。所述方法包括:将第一磁光晶体和双折射晶体贴合形成基板;将基板划分为前段基板、中段基板和后段基板,对中段基板对应的双折射晶体表面进行离子刻蚀...
郑熠吴少凡王帅华黄鑫徐刘伟
文献传递
一种制备大尺寸Zn<Sub>4</Sub>B<Sub>6</Sub>O<Sub>13</Sub>单晶的方法
本申请公开了一种制备大尺寸Zn<Sub>4</Sub>B<Sub>6</Sub>O<Sub>13</Sub>单晶的方法,其特征在于,以用乙酸锌、氧化锌和氧化硼为主要原料,采用熔盐生长大尺寸零膨胀材料ZBO晶体。该方法制备...
周玉兰林哲帅吴少凡王帅华
一种金属网栅及电磁屏蔽光学窗
本发明涉及一种金属网栅,所述金属网栅由两种不同旋转角度的基本单元组成;所述两种基本单元按照斐波那契数列的排列规则进行准周期分布。本申请提供的金属网栅在透过率相同的情况下,有效地减小金属网栅的高级次衍射能量分布的不均匀性,...
吴少凡许谢铭郑熠王帅华黄鑫
Zn2+掺杂对共沉淀法制备Ce:Gd3Ga3Al2O12陶瓷粉体闪烁性能的影响被引量:1
2020年
利用化学共沉淀法制备Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷粉体。研究了Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷前驱粉体的TG/DTA和FTIR曲线;分析了不同煅烧温度对Ce:GAGG陶瓷粉体相、形貌和颗粒度分布的影响;研究了Zn2+含量对Ce:GAGG陶瓷粉体光致发光,辐射发光,激发光谱和荧光寿命的影响。研究表明:前驱粉体在883℃的相组成为GdAlO3相和GAGG相;前驱粉体在煅烧温度为900℃时,完全转化为GAGG相;当煅烧温度为1200℃时,GAGG颗粒尺寸控制在20~60nm,分布均匀;随着Zn2+含量的变化,光致发光和辐射发光强度也相应变化,特别的,当Zn2+含量为0.4 mol%时,光致发光和辐射发光强度达到最大值;随着Zn2+掺杂含量的上升,荧光寿命出现下降的趋势。因此,Zn2+含量对Ce:GAGG陶瓷粉体的辐射发光具有明显的影响,对降低荧光寿命具有积极的作用,对于提高GAGG闪烁材料的快速响应具有重要意义。
邱智华张鲜辉王帅华吴少凡林永红
关键词:共沉淀法
一种铽钪铝石榴石及其掺杂的磁光透明陶瓷、及其制备方法
本发明提供一种磁光透明陶瓷,化学式为M<Sub>(x+y+z)</Sub>Tb<Sub>(3‑x)</Sub>Sc<Sub>(2‑y)</Sub>Al<Sub>(3‑z)</Sub>O<Sub>12</Sub>其中,0≤...
徐刘伟王帅华吴少凡吴以恒
文献传递
共5页<12345>
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