王宗利
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 二氧化锡纳米梭阵列的合成与场发射特性研究被引量：3
- 2007年
- 利用热蒸发法在硅衬底上合成了二氧化锡纳米梭阵列,并研究其场致电子发射特性。研究结果表明,所合成的二氧化锡纳米梭是一种新型的纳米结构,可以通过反应时间的不同得到不同密度的二氧化锡纳米梭阵列,从而实现可控生长。在研究场致电子发射方面,我们发现所合成的二氧化锡纳米梭阵列有优良的场发射性能,开启电场为1.4V/μm,对应的发射电流密度为10μA/cm2;当电场强度为7.4V/μm时,发射电流密度高达2.48mA/cm2。这是由于二氧化锡纳米梭结构有很小的尖端曲率半径以及所测量样品中二氧化锡纳米梭阵列分布比较均匀造成的。测量结果发现在F-N曲线上呈现两个线性段,我们认为这是由于在不同的电场下,发射电流由不同高度的梭形结构引起的,不同高度的梭形结构由于长径比不同因而具有不同的场增强因子,从而导致在F-N曲线上表现为两个线性段。
- 陈媚媚郑陶雷王宗利李俊杰顾长志
- 关键词：场发射热蒸发
- 一种金刚石锥尖及其制作方法
- 本发明公开了一种金刚石锥尖及其制备方法，该金刚石锥尖具有长径比在2－8之间、尖部曲率半径低于50纳米，底部直径为100纳米到几十微米。其制备方法为：取一块硅衬底，其上涂敷一层保护材料层；利用聚焦离子束刻蚀技术在其上刻蚀出...
- 王宗利顾长志李俊杰
- 文献传递
- 一种表面纳米锥阵列及其制作方法
- 本发明涉及表面纳米锥及其制作方法，该表面纳米锥阵列是采用等离子体刻蚀技术，在衬底上制备出纳米锥阵列，其纳米锥具有长径比在50－8000之间，尖部曲率半径低于5纳米，底部直径为200纳米到2000纳米，锥角为16°－72°...
- 顾长志王强李俊杰王宗利
- 文献传递
- 一种金刚石锥尖及其制作方法
- 本发明涉及一种金刚石锥尖及制备方法，该金刚石锥尖完全由金刚石构成的一体结构，具有长径比在2-8之间、底部直径为100纳米到几十微米，其尖部曲率半径小于50纳米。其制备方法包括：取一块硅衬底，其上涂敷一层保护材料层；利用聚...
- 王宗利顾长志李俊杰
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- 一种硼掺杂金刚石超导材料的制备方法
- 本发明涉及一种硼掺杂金刚石超导材料的制备方法，包括以下步骤：采用传统的合成硼掺杂金刚石膜工艺对内腔体预处理，干净的衬底放到预处理完毕的内腔中的衬底托上，采用传统热灯丝化学气相沉积方法进行沉积金刚石膜过渡层，沉积生长条件：...
- 顾长志王宗利路超罗强李俊杰金爱子杨海方
- 文献传递
- 一种表面纳米锥阵列及其制作方法
- 本发明涉及表面纳米锥及其制作方法，该表面纳米锥阵列是采用等离子体刻蚀技术，在衬底上制备出纳米锥阵列，其纳米锥具有长径比在50-8000之间，尖部曲率半径低于5纳米，底部直径为200纳米到2000纳米，锥角为16°-72°...
- 顾长志王强李俊杰王宗利
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- 金刚石微纳电子材料的制备与物性研究
- 金刚石由于具有众多的优异性能和广阔的应用前景而受到人们的高度重视，特别是各种金刚石微纳电子材料的制备与物性研究已成为近年来凝聚态物理研究的热点。本文借助热灯丝化学气相沉积(HFCVD)技术和其它相关技术的结合制备出金刚石...
- 王宗利
- 关键词：金刚石场发射特性介电特性超导特性
- 一种金刚石锥尖及其制作方法
- 本发明涉及一种金刚石锥尖及制备方法，该金刚石锥尖具有长径比在2－8之间、尖部曲率半径低于50纳米，底部直径为100纳米到几十微米。其制备方法包括：取一块硅衬底，其上涂敷一层保护材料层；利用聚焦离子束刻蚀技术在其上刻蚀出用...
- 王宗利顾长志李俊杰
- 文献传递
- 一种硼掺杂金刚石超导材料的制备方法
- 本发明涉及一种硼掺杂金刚石超导材料的制备方法，包括以下步骤：采用传统的合成硼掺杂金刚石膜工艺对内腔体预处理，干净的衬底放到预处理完毕的内腔中的衬底托上，采用传统热灯丝化学气相沉积方法进行沉积金刚石膜过渡层，沉积生长条件：...
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- 微纳米加工技术在纳米物理与器件研究中的应用被引量：5
- 2006年
- 物质在纳米尺度下可能呈现出与体材料不同的物理特性,这正是纳米科技发展的基础之一.要想探索在纳米尺度下材料物理性质的变化规律及可能的应用领域,离不开相应的技术手段.微纳米加工技术作为当今高技术发展的重要技术领域之一,是实现功能人工纳米结构与器件微纳米化的基础.本文根据几个不同的应用领域,介绍了微纳米加工技术在纳米物理与器件研究领域的应用.
- 顾长志罗强杨海方金爱子李俊杰王宗利王强徐鹏全保刚岳双林黄阳时成瑛
