您的位置： 专家智库 > >

王大强

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院电子工程系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电流
  • 1篇电流增益
  • 1篇增益
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇SIGEHB...
  • 1篇HBT

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇薛乐川
  • 1篇王大强
  • 1篇阮刚

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
适用于低温和多种Ge分布的SiGeHBT电流增益模型被引量：1
1999年
在前人优秀工作的基础上，叙述了一个适用于低温和多种基区Ｇｅ组分分布的ＳｉＧｅ－ＨＢＴ电流增益的解析模型，详细推出了它的模型公式。该模型考虑了基区处于非平衡态下的载流子准弹道输运效应对集电极电流Ｊｃ和电流增益β的影响，并考虑了ＳｉＧｅ材料迁移率及本征载流子浓度随温度的变化。解析模型的计算结果与数值模拟结果符合较好，证明了解析模型是可信的和有一定精度的。模型计算结果表明：均匀Ｇｅ分布、较低的发射区掺杂浓度和较宽的基区有利于ＳｉＧｅＨＢＴ在低温下具有较大的电流增益。
王大强阮刚薛乐川
关键词：双极晶体管电流增益HBT
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0