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焦刚

作品数：35 被引量：65H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 7篇会议论文

领域

  • 35篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 21篇电子迁移率
  • 21篇迁移率
  • 20篇高电子迁移率
  • 19篇晶体管
  • 19篇高电子迁移率...
  • 15篇ALGAN/...
  • 14篇ALGAN/...
  • 8篇氮化镓
  • 7篇禁带
  • 7篇宽禁带
  • 7篇半导体
  • 6篇场板
  • 5篇单片
  • 5篇导体
  • 5篇电流崩塌
  • 5篇电路
  • 5篇宽禁带半导体
  • 5篇集成电路
  • 5篇功率MMIC
  • 5篇HEMT

机构

  • 33篇南京电子器件...
  • 5篇南京大学
  • 2篇电子科技大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇北京大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 35篇焦刚
  • 32篇陈堂胜
  • 24篇任春江
  • 20篇陈辰
  • 13篇薛舫时
  • 9篇钟世昌
  • 8篇李拂晓
  • 7篇李忠辉
  • 5篇董逊
  • 5篇邵凯
  • 5篇张斌
  • 4篇杨乃彬
  • 4篇沈波
  • 4篇郑有炓
  • 4篇曹春海
  • 2篇周玉刚
  • 2篇陈敦军
  • 2篇张荣
  • 2篇王泉慧
  • 2篇周慧梅

传媒

  • 13篇固体电子学研...
  • 8篇Journa...
  • 3篇半导体技术
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇电子与封装
  • 1篇中国电子科学...
  • 1篇2003全国...
  • 1篇第六届全国毫...
  • 1篇第三届中国国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇全国第十二届...

年份

  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 11篇2008
  • 6篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇1996
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT被引量：2
2007年
研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.
陈堂胜王晓亮焦刚钟世昌任春江陈辰李拂晓
关键词：宽禁带半导体场板
SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究
利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMT...
李忠辉董逊任春江李亮焦刚陈辰陈堂胜
关键词：碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管
X波段GaN单片电路低噪声放大器被引量：3
2011年
采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10 V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27 dBm。在耐受功率测试中发现GaN低噪声HEMT器件存在一定的恢复效应,并进行了相应讨论。
周建军彭龙新孔岑李忠辉陈堂胜焦刚李建平
关键词：低噪声放大器微波单片集成电路
Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管被引量：1
2004年
讨论了采用埋栅结构实现 Ga As基改性高电子迁移率晶体管 (MHEMT)增强型模式工作的有关问题 ,提出了增强型 MHEMT的设计与实现方法 .通过不同金属 (Al,Pt,Ti) / In Al As Schottky势垒系统的实验比较研究 ,确定在增强型 MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的 Pt Schottky埋栅结构 ;并进行了以最佳“推栅”温度为重点的器件工艺的深入研究 .在此基础上通过实验研制的原理性 1.0 μm× 10 0 μm Pt栅增强型 MHEMT的特性获得了夹断电压为 +0 .12 V,跨导为 4 70 m S/ m m及截止频率为 5 0 GHz的测试结果 ,优于使用同一外延片制作的
陈效建吴旭李拂晓焦刚
关键词：MHEMT增强型稳定性
非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT被引量：14
2004年
报道了研制的 Al Ga N / Ga N微波功率 HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂 Al Ga N/ Ga N异质结构 ,器件工艺采用了 Ti/ Al/ Ni/ Au欧姆接触和 Ni/ Au肖特基势垒接触以及 Si N介质进行器件的钝化 .研制的 2 0 0μm栅宽 T型布局 Al Ga N / Ga N HEMT在 1.8GHz,Vds=30 V时输出功率为 2 8.93d Bm,输出功率密度达到 3.9W/mm ,功率增益为 15 .5 9d B,功率附加效率 (PAE)为 4 8.3% .在 6 .2 GHz,Vds=2 5 V时该器件输出功率为 2 7.0 6 d Bm ,输出功率密度为 2 .5 W/ mm ,功率增益为 10 .2 4 d B,PAE为 35 .2 % .
陈堂胜焦刚薛舫时曹春海李拂晓
关键词：宽禁带半导体ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
磁控溅射AlN介质的14W/mm AlGaN/GaN MIS-HEMT被引量：1
2009年
介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在2GHz、75V工作电压下,研制的200μm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率密度达到了14.4W/mm,器件功率增益和功率附加效率分别为20.51dB和54.2%。
任春江陈堂胜焦刚耿涛薛舫时陈辰
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管MIS电流崩塌
SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的热分析与测试被引量：1
2007年
对SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗,不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明,两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在解析解的基础上运用计算机迭代计算获得,所耗时间较短,故这一结果对于改善器件结构以提高AlGaN/GaN HEMT及其MMIC电路的性能将有较大帮助。
任春江陈堂胜焦刚李肖薛舫时李拂晓
关键词：氮化镓宽禁带热分析红外显微镜
X波段连续波119W GaN功率HEMT被引量：1
2008年
钟世昌陈堂胜任春江焦刚陈辰邵凯杨乃彬
关键词：微波功率器件HEMT连续波X波段功率输出半导体技术
Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究被引量：8
2010年
文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的AlGaN/GaNKu波段内匹配功率管在11.8GHz～12.2GHz频带内,输出功率大于20W。在12GHz功率增益大于5dB,功率附加效率29.07%,是目前国内关于GaN功率器件在Ku波段连续波输出的最高报道。
孙春妹钟世昌陈堂胜任春江焦刚陈辰高涛
关键词：GAN功率管内匹配
蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT研究
报告了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的钝化。研制的200...
焦刚陈堂胜薛舫时李拂晓
关键词：宽禁带半导体ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
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