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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇过渡层
  • 2篇SIC
  • 2篇DLC
  • 1篇血液相
  • 1篇血液相容性
  • 1篇碳化硅
  • 1篇相容性
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇类金刚石
  • 1篇类金刚石薄膜
  • 1篇溅射
  • 1篇光谱
  • 1篇红外
  • 1篇红外光
  • 1篇红外光谱
  • 1篇氟化类金刚石...
  • 1篇附着力
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇苏州大学
  • 1篇四川大学

作者

  • 2篇潘越
  • 2篇江美福
  • 1篇江舸
  • 1篇杨亦赏
  • 1篇赵强
  • 1篇周杨
  • 1篇佘清
  • 1篇钱侬

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
SiC过渡层制备温度对碳化硅/氟化类金刚石复合薄膜血液相容性的影响被引量:2
2014年
以316L不锈钢为基底,SiC晶体为靶材,Ar为源气体,采用磁控溅射法在不同温度下制备出系列SiC过渡层.然后以高纯石墨作靶,Ar和CHF_3为源气体,在同一工艺条件下再续镀一层氟化类金刚石(F-DLC)薄膜,形成SiC/F-DLC复合薄膜.研究表明,相比于F-DLC薄膜,复合薄膜的附着力显著增加,血液相容性明显改善.通过样品的拉曼和红外光谱分析了不同温度下制备的SiC过渡层以及复合薄膜结构的演变.结果表明,控制SiC过渡层制备温度可以有效调制过渡层中C=C键的比例以及—C—C—不饱和键的密度,复合薄膜中保留较高比例的芳香环式结构以及合适的F/C比是薄膜的血液相容性得以进一步改善的原因,SiC过渡层制备温度控制在500℃左右效果尤为明显.SiC薄膜和F-DLC两种薄膜的界面处形成一定比例的Si—C键和C=C键是导致复合薄膜附着力显著上升的直接原因.适当条件下在316L不锈钢和F-DLC薄膜之间增加SiC过渡层对于增强薄膜的附着力、改善其血液相容性是可行、有效的.
佘清江美福钱侬潘越
关键词:磁控溅射血液相容性SIC
SiC过渡层对氟化类金刚石薄膜附着特性的影响被引量:3
2013年
采用射频反应磁控溅射法在316L不锈钢基片上分别沉积了两种薄膜:一种是氟化类金刚石薄膜(F-DLC),另一种是先镀上一定厚度的SiC过渡层再沉积F-DLC.着重研究了薄膜的附着力随过渡层制备条件的变化规律.结果显示,增加SiC过渡层后薄膜的附着力明显增加,且附着力随SiC过渡层的制备条件有所变化,在射频输入功率为200W,沉积时间5min制备出的SiC过渡层上再沉积F-DLC时,附着力可达8.7N,远高于未加过渡层时F-DLC膜的附着力(4N).通过研究SiC的沉积速率曲线、表面形貌和红外光谱,探讨了SiC过渡层及其制备条件影响薄膜附着力的相关机制.
潘越赵强江舸周杨江美福杨亦赏
关键词:红外光谱附着力
共1页<1>
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