杨远俊
- 作品数：11 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法
- 电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法，本发明涉及一种新型非易失性固态存储元器件和存储器，以及相应的写入和读出方法。本发明的固态存储元器件包括底电极层、形成在底电极层之上的铁电性压电层、紧邻铁电性压电层并位于...
- 高琛杨远俊
- 文献传递
- 一种氧化钒单晶薄膜的制备方法
- 本发明提供了一种氧化钒单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)磁控溅射的准备工作；B)对样品台进行加热，再通入氧气和氩气，调节真空腔的压力；C)采用射频电源对金属钒靶起辉以产生等离子体，预溅射后进行正式溅射；D)溅射结束后...
- 罗震林杨远俊洪宾高琛
- 文献传递
- 一种控制铁电单晶电致形变取向的方法
- 本申请提供了一种控制铁电单晶电致形变取向的方法，将三方铁电单晶(001)面进行斜切，得到斜切后的单晶；将所述斜切后的单晶在外加电场下进行初始极化，然后在外加反向电场下进行极化，得到反向极化后的单晶。本申请采用斜切方式对三...
- 罗震林赵江涛何浩杨远俊高琛
- 典型磁性金属及过渡金属氧化物薄膜结构、电磁性能的应变调控
- 利用应变来调控材料宏观物理性质的过程，称其为“应变工程”(strainengineering)。研究表明，应变可以有效调控半导体材料的能带结构、超导体的临界温度、庞磁电阻材料的相分离、铁电体极化状态、铁氧体的共振频率以及...
- 杨远俊
- 关键词：磁性金属电磁性能
- 一种控制铁电单晶电致形变取向的方法
- 本申请提供了一种控制铁电单晶电致形变取向的方法，将三方铁电单晶(001)面进行斜切，得到斜切后的单晶；将所述斜切后的单晶在外加电场下进行初始极化，然后在外加反向电场下进行极化，得到反向极化后的单晶。本申请采用斜切方式对三...
- 罗震林赵江涛何浩杨远俊高琛
- 文献传递
- 电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法
- 电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法，本发明涉及一种新型非易失性固态存储元器件和存储器，以及相应的写入和读出方法。本发明的固态存储元器件包括底电极层、形成在底电极层之上的铁电性压电层、紧邻铁电性压电层并位于...
- 高琛杨远俊
- 文献传递
- 多铁性材料微结构的高分辨同步辐射XRD研究
- 发展了高分辨的X 射线三维倒易空间扫描技术(3D-RSM)，并将其用于多相BiFeO3/LAO(001)外延膜晶微结构的研究，结果表明该技术能迅速获取并直观展示晶相、畴结构的整体信息，甚至包括晶界部分的结构信息。
- 高琛罗震林杨远俊
- 关键词：微结构
- Effect of compressive strain on MI transition in SmNiO3 epitaxial thin films grown on LSAO substrate
- Perovskite nickelate have more recently attracted interest due to the coupling between charge and magnetic ord...
- 黄浩亮罗震林杨远俊
- 文献传递
- 一种氧化钒单晶薄膜的制备方法
- 本发明提供了一种氧化钒单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)磁控溅射的准备工作；B)对样品台进行加热，再通入氧气和氩气，调节真空腔的压力；C)采用射频电源对金属钒靶起辉以产生等离子体，预溅射后进行正式溅射；D)溅射结束后...
- 罗震林杨远俊洪宾高琛
- 文献传递
- Mn掺杂对ZnO薄膜结构及发光性能的影响(英文)被引量：1
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积的方法在Si衬底上生长出了c轴高度取向的Mn掺杂ZnO薄膜。X射线衍射表明所有样品都具有纤锌矿结构,没有发现其它相,随着掺杂量的增加,c轴晶格常数增大。原子力显微镜结果显示:Mn的掺杂引起了ZnO薄膜表面粗糙度的变化。由光致发光谱发现,在387 nm附近出现了由于近带边自由激子复合引起的紫外峰,还有以430和545 nm为中心的较宽发光峰,结果表明:掺入到ZnO薄膜中的Mn以+2价的价态存在,掺Mn以后的ZnO薄膜带隙变大,缺陷能级也发生了改变,在发光谱中表现为紫外峰的蓝移,可见光部分430 nm和545 nm位置处发光峰的红移。
- 陈香存康朝阳杨远俊徐彭寿潘国强
- 关键词：X射线衍射光致发光ZNO薄膜脉冲激光沉积
