杨开愚
- 作品数：15 被引量：23H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院光电子技术系更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种新型TN-LCD光学模型及其应用
- 2000年
- 提出一种新型 L CD光学模型并采用计算机模拟 ,应用液晶显示屏电极显露问题的量化分析 ,成功地解释了有关现象 ,并提出相应的解决方法 ,且获得印证。
- 杨健君杨开愚张小俊成建波
- 关键词：光学模型液晶显示TN-LCD
- 高亮度、高分辨率单晶彩色投影显示管
- 本发明介绍了一种高亮度、高分辨率单晶彩色投影显示管及制作工艺,其显示屏是用外延技术制备的单晶荧光体。外延单晶石榴石相荧光膜成分为Y<Sub>3－x－y－z</Sub>Cex Rey Mz AL<Sub>5－w</Sub>...
- 成建波杨开愚铙海波黄宗林朱建斌李军建陈文斌
- 文献传递
- 过渡散射型和反铁电稳定化铁电液晶显示器被引量：2
- 1998年
- 通过对过渡散射型铁电液晶显示器和反铁电稳定化铁电液晶显示器的工作原理、工作特性分析，介绍了它们各自的动态特性——驱动电压、响应速度、对比度、透过率以及储存驱动性，同时也介绍了它们各自的用途。
- 葛长军杨开愚杨家德
- 关键词：铁电液晶显示器液晶显示器
- 红色显示用单晶荧光体被引量：7
- 1999年
- Ｃｅ掺杂单晶石榴石ＣｅＶ（Ｇｄ，Ｙ）３Ａｌ５Ｏ１２是一种实现高亮度、高分辨率红色显示的理想荧光新材料。它具有宽带发光谱，主峰位于５８０ｎｍ，采用这种材料作荧光屏的５４ｍｍ阴极射线管投影管可以达到７３００ｃｄ／ｍ２的高亮度，效率为１．５ｌｍ／Ｗ，通过优化电子枪设计，整管分辨率可达到８０ｌｉｎｅ／ｍｍ以上。本文对这种新材料的发光机理、制备工艺进行了详细介绍。
- 饶海波成建波杨开愚黄宗琳
- 关键词：高分辨率荧光材料
- 真空蒸发制备高质量ITO薄膜的化学过程
- 1990年
- 用真空热蒸发法在硼硅玻璃基片上获得了高质量的ITO透明导电膜(R□=6.2Ω/□,T=90%,ρ=7.13×10^(-5)Ωcm)。用ESCA对ITO薄膜的致黑因素进行了研究,发现化学计量比偏移是造成透过率降低的主要原因之一。提出了一个新的化学蒸发模型,认为氧化反应不但发生在基片上,也发生在蒸发源的表面附近。源的表面温度控制着化学平衡In_2O(g)+O_2(g)(?)In_2O_3(g)的移动,从而影响蒸发源区的氧化与分解过程,进而决定了薄膜的化学计量比偏移。该模型能很好地解释实验中的现象并与实验结果相吻合。
- 陈志杨开愚
- 关键词：化学过程透明导电膜化学计量比表面温度
- TFT-AMLCD绝缘层a-SiN_x∶H的制备
- 2002年
- 用等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约 1μm的非晶氮化硅 (a SiNx∶H)薄膜 ,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数 ,折射率为 1.8左右 ,光吸收系数为1.2× 10 2 ～ 2× 10 2 cm- 1,相对介电常数为 7～ 8.4 ,电荷面密度为 2 .5× 10 12 ～ 3.1× 10 12 cm- 2 。这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管 -有源矩阵液晶显示器 (TFT AMLCD)
- 钱祥忠杨开愚陈旋
- 关键词：PECVD绝缘层
- Eu^(3+)∶Sm^(3+)∶Cr^(3+)∶YAG红色单晶荧光体被引量：1
- 2000年
- 报道外延生长的多激活中心掺杂的红色单晶荧光体Eu3+ ∶Sm3+ ∶Cr3+ ∶YAG ,其直径达到54mm ,荧光色坐标为x=0 .6 137,y =0 .3738,相当于波长λ=599nm的红色荧光 ,具有较高的色饱和度。这种单晶材料具有很好的抗电子束灼伤能力 ,在入射能量达到 10 5W/m2 时无发光猝灭现象 ,是一种较理想的红色单晶荧光材料。
- 成建波饶海波黄宗琳杨开愚
- 关键词：YAG
- 高亮度、高分辨率单晶彩色投影显示管
- 本发明介绍了一种高亮度、高分辨率单晶彩色投影显示管及制作工艺。其显示屏是用外延技术制备的单晶荧光体。外延单晶石榴石相荧光膜成分Y<Sub>3-x-y-z</Sub>Ce<Sub>x</Sub>RE<Sub>y</Sub>...
- 成建波杨开愚铙海波黄宗林朱建斌李军建陈文斌
- 文献传递
- 有源矩阵液晶显示器的缺陷检测被引量：1
- 1999年
- 分析了ＶＧＡ有源矩阵液晶显示器的缺陷分类、产生原因。研制出了有源矩阵液晶显示器的断路测试板、短路测试板以及全板显示测试板。
- 葛长军成建波杨开愚
- 关键词：有源矩阵液晶显示VGA
- 真空热蒸发法制备ITO透明导电膜的研究
- 杨开愚陈志
- 关键词：导电薄膜蒸发法温度影响化学反应化学热力学
