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李寿林

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：华东师范大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇大信号
  • 1篇大信号模型
  • 1篇等效电路
  • 1篇等效电路模型
  • 1篇电路
  • 1篇电路模型
  • 1篇映射
  • 1篇直流
  • 1篇直流模型
  • 1篇射频集成
  • 1篇射频集成电路
  • 1篇神经网
  • 1篇神经网络
  • 1篇小信号
  • 1篇小信号建模
  • 1篇空间映射
  • 1篇基于神经网络
  • 1篇集成电路
  • 1篇建模技术
  • 1篇DC

机构

  • 2篇华东师范大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇淮海工学院

作者

  • 2篇李寿林
  • 1篇翟国华
  • 1篇高建军
  • 1篇程加力
  • 1篇韩波

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于神经网络的微波射频MOSFET器件建模
随着无线通信技术的不断发展，射频集成电路在其中扮演越来越重要的角色。CMOS工艺已经成为制作可靠的射频电路最合适的工艺之一，CMOS工艺的不断进步已经使MOSFET器件具有良好的微波射频性能。相对比其它工艺，CMOS工艺...
李寿林
关键词：神经网络空间映射小信号建模大信号模型射频集成电路
基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术被引量：2
2011年
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。
程加力韩波李寿林翟国华高建军
关键词：等效电路模型GAAS直流模型
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