曹东
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 传送网路由规划关键算法研究
- 随着网络技术和服务的不断演进和革新,各种应用层出不穷,内容出现爆发式增长,传送网承载的流量迅猛增长,为了缓解或根治传送网的压力,人们把目光转向了网络架构升级或重构,于是涌现了一股以CCN为代表的内容中心网络和以OpenF...
- 曹东
- 关键词：传送网路由规划光网络RWA算法
- 文献传递
- 异质外延ZnO掺Ag薄膜及其异质结紫外光特性的研究被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射方法在ITO基片上外延掺Ag的ZnO薄膜,分别用XRD、SEM和紫外可见光分光光度计表征外延薄膜结构、形貌和光学性质。ZnO∶Ag/ITO薄膜伏安特性的研究表明,ZnO∶Ag与ITO形成异质结。在紫外光波长365nm、负偏压15V情况下异质结暗电流为11.2nA,光电流为198nA,灵敏度(光电流与暗电流之比)为17.7。此异质结的紫外光响应上升时间为700ms,下降时间为1.5s。
- 李大伟蒋向东谢康曹东
- 关键词：射频磁控溅射异质结
- 退火对高阻AZO薄膜结构及紫外光电导特性的影响被引量：1
- 2010年
- 在石英衬底上采用射频磁控溅射的方法制备高电阻AZO薄膜,其中高电阻由高氧氩比环境得到。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行表征,重点研究了不同退火温度对薄膜的结构及紫外光电导特性的影响。结果表明:适当温度的退火有助于薄膜结构的优化,而随着退火温度的增加,薄膜的紫外光电导特性呈现出先增加后减小的变化趋势,并在400℃条件下达到最优紫外响应效果。
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- 关键词：AZO薄膜高温退火
- AZO晶种层对ZnO纳米线生长及紫外光电导性能的影响
- 2010年
- 采用溶液化学法实现了在Zn(NO3)2/C6H12N4混合溶液中ZnO纳米线在AZO薄膜修饰过衬底上生长。AZO薄膜由射频磁控溅射法制备,通过溅射时间和基底温度的变化改变薄膜形态,重点研究了不同薄膜形态对ZnO纳米线形貌和结构的影响,最终在溅射2h、基底温度250℃晶种上得到垂直于衬底、高度平行取向的ZnO纳米线阵列。在此基础上研究了不同形貌ZnO纳米线阵列的紫外光电导性能差异。结果表明,垂直生长的纳米线较倒伏纳米线紫外响应迅速,分析认为是紫外光照下曝光面积不同造成的。
- 曹东蒋向东李大伟孙继伟
- 关键词：AZOZNO纳米线
- 不同晶种上ZnO纳米线的生长及紫外光电导特性被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法在石英衬底上沉积了AZO和ITO透明导电膜,然后采用溶液化学法以两种导电膜为晶种分别生长ZnO纳米线。利用扫描电镜和X射线衍射等测试手段对样品进行表征,进而通过一种垂直测试结构,研究其紫外光电导特性的差异。结果表明:晶种对纳米线的生长起决定性作用,只有在结晶良好并且择优取向的AZO膜上才能生长出垂直于衬底且取向一致的ZnO纳米阵列,而在ITO膜上,ZnO纳米线的取向具有很大的随机性。AZO上垂直生长的纳米线紫外响应速度较快,且呈现良好的欧姆接触特性,但两种样品恢复时间都较长,分析认为是纳米线曝光面积不同和内部的缺陷、表面态等原因造成的。
- 曹东蒋向东李大伟孙继伟
- 关键词：透明导电膜ZNO纳米线
- 基于AZO晶种的ZnO纳米线生长及紫外光电特性研究
- ZnO作为宽禁带半导体材料的代表，具有非常优异的光电特性，一直以来都是材料研究领域的热点。尤其近年来对纳米结构ZnO材料的初步研究，发现其表现出许多优于块材和膜材的性能，因此更是成为关注的焦点所在。另外，随着科技的发展和...
- 曹东
- 关键词：氧化锌纳米线铝掺杂
- 文献传递
