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普朝光: 作品数：31 被引量：78H指数：6; 供职机构：昆明物理研究所更多>>; 发文基金：云南省自然科学基金云南省科技计划项目云南省教育厅科学研究基金更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

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GDMS法测定钢铁中的锰、铅等14种杂质元素被引量：4: 1997年; 研究并报导了一种应用辉光放电质谱仪（ＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）直接测定钢铁中锰、铅等１４种杂质元素的分析方法，并进行了讨论。实验结果表明，该方法分辨率高，且具有多元素同时快速分析的功能。按此方法测得的ＢＣＳ／ＳＳ－ＣＲＭ标准钢样中锰、铅等１４杂质元素的所得结果与标准值相吻合，ＲＳＤ＜８％，可直接进行钢铁样品中锰、铅等１４种元素的定量分析。; 普朝光张震肖绍泽陈云超; 关键词：辉光放电质谱仪钢铁材料

辉光放电质谱仪直接测定超高纯镉中的痕量杂质元素被引量：5: 1997年; 首次在国内报道了一种在无标准样品存在时，用辉光放电质谱仪VG9000（英国VG公司）直接且快捷地定量测定超高纯金属镉中痕量杂质元素的方法。该方法可获得用其它仪器分析无法达到的技术参数，也可应用于冶金或半导体工业中超高纯金属和半导体材料中痕量杂质元素的定量分析。; 普朝光张震肖绍泽; 关键词：辉光放电质谱仪镉痕量元素

镍铬合金薄膜的湿法图形化技术: 本发明公开了一种镍铬合金薄膜的湿法图形化技术，主要适用于红外探测器中上电极镍铬合金薄膜的图形化。其主要技术特征是：在腐蚀工序中所用的腐蚀液配制比例为：高锰酸钾2－10％、硫酸铈30－50％、盐酸5－11％、氯化氨5－10...; 杨明珠普朝光李振豪杨培志; 文献传递

外加电场对纳米晶金薄膜生长的影响研究: 利用惰性气体沉积法在外加电场的存在下生长了纳米晶金薄膜,并研究了外加电场对薄膜生长的影响;实验表明,外加电场改变了纳米晶金薄膜的结构及电阻率.厚度相同的薄膜其电阻率随外加电场强度的升高而增加,当电场强度大于48V/cm后...; 普朝光黄承彩; 关键词：外加电场电学性能; 文献传递

分级退火在PZT铁电薄膜中的运用: 采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层.在衬底PZT(seedlayer)Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射Pb1.1(Zr0.3Ti0.7)O3...; 王忠华赵维艳李振豪普朝光杨培志林猷慎; 关键词：PZT铁电薄膜溶胶-凝胶法射频磁控溅射法红外探测器; 文献传递

一种铂钛金属薄膜图形化方法: 本发明公开了一种铂钛金属薄膜图形化方法，属于金属薄膜光刻图形化领域。其主要技术特征是：在光刻工序之后，将曝光过的硅片放在一氯甲苯溶剂中，浸泡30分钟后取出，再经烘干工序后，在显影液中浸泡2-3分钟，光刻胶在硅片上形成“倒...; 信思树普朝光王忠华杨明珠杨培志; 文献传递

利用动态法测量相变热释电材料的热释电系数: 2006年; 用动态法测量了相变热释电材料(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3薄膜的热释电系数,并对相变热释电系数的计算进行了理论分析。先测量了传统热释电材料 LiTaO_3单晶薄片的热释电系数,温度信号和热释电电压存在90°相位差,热释电系数为2.1×10^(-8)C cm^(-2)K^(-1),与文献测量值、理论计算一致,说明测试系统真实可靠。用动态法测量了工作在1.5 V 偏压下的(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3薄膜,输出电压由 DC 电压和 AC 电压构成,前者由(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3薄膜的漏电流引起,后者为热释电响应电压。热释电响应电压与正弦温度信号同相位,其振幅与正弦温度信号的振幅成正比。理论计算表明,动态法测量相变热释电材料时,热释电响应电压与温度信号同相位变化是由相变热释电材料的电容随温度信号的变化引起的。; 姚金城吴传贵普朝光张万里李言荣朱俊; 关键词：BST薄膜非制冷红外探测器

不同衬底上La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜生长及导电性质的研究被引量：1: 2006年; 用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Si(100),SiO2/Si(100),LaA lO3衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜.在LaA lO3衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3薄膜的近外延生长,薄膜的电阻率最低.这是由于LaA lO3的晶格常数与La0.5Sr0.5CoO3最为接近.在SiO2/Si(100)衬底上生长的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的电阻较Si(100)衬底上薄膜小,XRD表明SiO2/Si(100)衬底更易于薄膜的择优生长.; 彭巨擘王建禄李丽萍普朝光蔡毅张鹏翔; 关键词：钙钛矿氧化物

辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素被引量：14: 1997年; 本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限，是鉴定起统金属或半导体材料纯度（8N）的理想手段。; 普朝光肖绍泽张震; 关键词：辉光放电质谱仪痕量杂质

铁电PMN-PT薄膜热处理及红外性能研究: 利用射频磁控溅射法生长了PZT及PMN-PT薄膜,提出了"分级退火"的概念,对PZT及PMN-PT薄膜的低温热处理技术进行了探索,研制出了PZT及PMN-PT薄膜材料样品,并测出了其热释电响应性能。实验表明,PZT及PM...; 普朝光吕励杨漾; 关键词：PZT薄膜红外; 文献传递