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张晨旭

作品数：33 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 16篇退火
  • 15篇样片
  • 12篇石墨
  • 12篇石墨烯
  • 11篇衬底
  • 7篇探测器
  • 6篇闪烁体
  • 6篇闪烁体探测器
  • 6篇石墨烯晶体管
  • 6篇探测率
  • 6篇欧姆接触
  • 6篇欧姆接触电极
  • 6篇接触电极
  • 6篇晶体管
  • 6篇抗辐射
  • 6篇抗辐射性
  • 6篇光导
  • 6篇光导开关
  • 6篇核能
  • 5篇碳膜

机构

  • 33篇西安电子科技...

作者

  • 33篇张晨旭
  • 31篇郭辉
  • 31篇张玉明
  • 16篇雷天民
  • 12篇张克基
  • 7篇邓鹏飞
  • 6篇陈小青
  • 4篇曹鹏辉
  • 3篇胡彦飞
  • 2篇赵艳黎
  • 2篇杨佳奇
  • 1篇韩超
  • 1篇刘杰
  • 1篇张春福
  • 1篇韦超
  • 1篇张凤祁
  • 1篇董鹏

年份

  • 1篇2019
  • 6篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 12篇2013
  • 3篇2012
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高功率同面电极嵌入式台面型光导开关
本发明公开了一种高功率同面电极嵌入式台面型光导开关及其制作方法，主要解决现有技术中光在器件中光程较短的问题。该光导开关包括半绝缘碳化硅衬底(1)和一对欧姆接触电极(5,6)，其中半绝缘碳化硅衬底(1)的一边为45°±2°...
郭辉杨佳奇张玉明张晨旭
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基于Ni膜退火的SiC衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯晶体管顶栅电介质导致石墨烯沟道载流子迁移率降低以及载流子散射的问题。其实现步骤是：先对清洗SiC样片；再在SiC样片表面淀积...
郭辉张晨旭张玉明张克基雷天民胡彦飞
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基于碳化硅PIN二极管结构的γ辐照闪烁体探测器
本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的γ射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型γ射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬...
郭辉刘博睿张玉明陈小青张晨旭
基于氧化锌透明电极的异面型光导开关及其制作方法
本发明公开了一种基于氧化锌透明电极的异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分别淀积在掺钒碳...
郭辉吴建鲁曹鹏辉张玉明张晨旭
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基于碳化硅PIN二极管结构的α辐照闪烁体探测器
本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的α射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型α射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬...
郭辉陈小青张玉明刘博睿张晨旭
基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性不好、层数不均匀，且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯中电子迁移率降低的问题。本发明采用在Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡；然后在温度...
郭辉张晨旭张克基张玉明雷天民邓鹏飞
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基于Ni膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法，石墨烯在制成元器件前需要利用电子束刻蚀进行形状剪裁的问题。其实现步骤如下：(1)在Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡，再在温度为1200℃-1350℃下生长3...
郭辉张晨旭张玉明赵艳黎雷天民张克基
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一种半导体材料辐照损伤的表征方法
本发明涉及一种半导体材料辐照损伤的表征方法，该方法包括：制备待测样品并测量生成第一磁化曲线；根据所述第一磁化曲线计算所述待测样品的第一缺陷数量；辐照所述待测样品并测量生成第二磁化曲线；根据所述第二磁化曲线计算经辐照后的所...
王雨田郭辉药幸楠张晨旭韩超张玉明
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高效硅基-有机杂化太阳能电池退火与钝化工艺研究
硅基-有机杂化太阳能电池兼顾了硅基太阳能电池光电转换效率高、使用寿命长、电池特性稳定和有机太阳能电池生产工艺简单、成本低廉的优点。研究硅基-有机太阳能电池有望克服硅基电池工艺成本耗能大、生产过程复杂的问题，同时解决有机太...
张晨旭
关键词：太阳能电池硅基材料退火工艺钝化工艺
基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关及其制作方法
本发明公开了一种基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关。其包括钒补偿的碳化硅半绝缘衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分...
郭辉曹鹏辉吴建鲁张玉明张晨旭
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