唐俊
- 作品数：14 被引量：20H指数：3
- 供职机构：四川大学更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术金属学及工艺政治法律更多>>
- 稀土氧化物对氧化锌压敏阀片的作用效应及其微观组织结构研究
- 该文研究了稀土氧化物Nd<,2>O<,3>、CeO<,2>、La<,2>O<,3>对氧化锌压敏阀片主要电性能的影响规律及作用机制.综合分析,Nd<,2>O<,3>提高压敏电位梯度的作用最为显著,La<,2>O<,3>次之...
- 唐俊
- 关键词：氧化锌压敏阀片稀土氧化物电位梯度漏电流压比微观结构
- 文献传递
- 电子商务中第三方支付法律问题探究
- 电子商务脱离不了资金流环节，因此网上支付是电子商务的必要和关键阶段。现阶段，随着电子商务的迅速发展，第三方支付平台不断涌现，第三方支付模式逐渐成为了网上支付的主流模式。当前，我国网上第三方支付方面的相关立法明显滞后于其市...
- 唐俊
- 关键词：网上支付第三方支付法律地位
- 文献传递
- CeO_2对氧化锌压敏阀片电位梯度的作用效应
- 2006年
- 本文研究了稀土氧化物CeO2对氧化锌压敏阀片电位梯度的影响规律。实验结果表明:微量的CeO2能够提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,当CeO2含量为0.06%(摩尔百分比)时,可提高电位梯度20%。通过扫描电镜、能谱仪和X射线衍射分析后发现,CeO2以独立相形态存在,并与尖晶石相协同作用,钉扎在晶界,形成晶界电阻层,阻碍晶界运动,减小氧化锌晶粒尺寸,使晶粒分布均匀致密,从而提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,改善其综合性能。
- 唐俊严群陈家钊涂铭旌
- 关键词：氧化锌压敏阀片CEO2电位梯度X射线衍射分析稀土氧化物扫描电镜
- 氧化锌压敏电阻材料
- 一种氧化锌压敏电阻材料，此种材料的组分及含量包括：微米级ZnO 35～80%、纳米级ZnO 15～55%、Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub> 1～6%、Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3</S...
- 严群陈家钊涂铭旌唐俊
- 文献传递
- 制作氧化锌压敏电阻的材料
- 一种制作氧化锌压敏电阻的材料，此种材料的组分及含量包括：微米级ZnO35～80％、纳米级ZnO 15～55％、Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub> 1～6％、Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
- 严群陈家钊涂铭旌唐俊
- 文献传递
- 一种用于矫正拍放射片姿势的电路和眼镜
- 本实用新型属于医疗器械领域，具体涉及一种用于矫正拍放射片姿势的电路和眼镜，所述电路包括：至少一个角度传感器、处理器和至少一个显示器；其中所述至少一个角度传感器的数据输出端通过I2C总线与处理器建立通信连接，并通过I2C总...
- 陈曦唐俊杨友波唐甜
- 文献传递
- 氧化锌压敏电阻片电位梯度参数优化的实验研究被引量：4
- 2003年
- 研究了制造过程中的升温速度、烧结温度、保温时间及冷却速度对氧化锌压敏电阻片电位梯度的影响,对氧化锌压敏电阻片的烧结工艺进行了优化,并从理论上探讨了升温速度、烧结温度、保温时间及冷却速度影响氧化锌压敏电阻片电位梯度的机理。试验结果表明,连续缓慢升温至1200℃保温3h,随炉冷至室温的烧成制度有利于获得优异的电性能。
- 严群唐俊陈家钊涂铭旌
- 关键词：氧化锌压敏电阻片电位梯度烧成制度烧结温度保温时间
- CeO_2对氧化锌压敏阀片电位梯度的影响被引量：5
- 2003年
- 研究了稀土氧化物CeO2对氧化锌压敏阀片电位梯度的影响规律。实验结果表明:微量的CeO2能够提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,当CeO2含量为0.06%(摩尔分数)时,可提高电位梯度20%。通过扫描电镜、能谱仪和X射线衍射分析发现,CeO2以独立相形态存在,并与尖晶石相协同作用,钉扎在晶界,形成晶界电阻层,阻碍晶界运动,减小氧化锌晶粒尺寸,使晶粒分布均匀致密,从而提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,改善其综合性能。
- 唐俊严群陈家钊涂铭旌
- 关键词：氧化锌压敏阀片稀土氧化物电位梯度晶粒尺寸
- 共晶和过共晶铝硅合金活塞尺寸稳定性的研究被引量：8
- 1996年
- 研究了两种共晶和两种过共晶铝硅合金活塞在２００℃的长期时效过程中的尺寸稳定性。研究发现，随着时效时间的延长，所有活塞顶部的直径都呈现不可逆长大；过共晶铝合金活塞的尺寸稳定性高于共晶铝合金活塞；共晶铝硅合金活塞顶部直径有两次突然长大，而过共晶铝合金活塞仅有一次。
- 沈保罗吕旭东唐俊
- 关键词：共晶铝硅合金过共晶活塞时效尺寸稳定性
- Nd_2O_3对氧化锌压敏电阻片压敏电位梯度与组织的影响被引量：2
- 2003年
- 研究了微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响,并通过SEM测试手段对其微观组织进行了分析。结果表明,在0～0.04%(mol)成分范围内,随着Nd2O3含量的增加,氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度明显提高,当Nd2O3含量为0.04%(mol)时,氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度达到最大值,约为583.25V/mm,比不含Nd2O3的原始成分的氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度(约354.42V/mm)增加了约65%。其原因是加入到氧化锌压敏电阻片中的Nd2O3主要分布在晶界上,阻碍了ZnO晶界的迁移,从而抑制了ZnO晶粒的长大,使ZnO晶粒更为细小均匀。
- 严群陈家钊唐俊涂铭旌
- 关键词：氧化锌压敏电阻ND2O3压敏电位梯度显微组织
