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周代兵

作品数：42 被引量：12H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇机械工程

主题

  • 30篇激光
  • 30篇激光器
  • 16篇电吸收
  • 16篇电吸收调制
  • 16篇调制
  • 13篇波导
  • 12篇光栅
  • 11篇调谐
  • 11篇调制器
  • 10篇波长
  • 9篇电吸收调制器
  • 9篇可调
  • 9篇可调谐
  • 8篇单片
  • 8篇单片集成
  • 8篇电吸收调制激...
  • 8篇调制激光器
  • 6篇折射率
  • 6篇脊型波导
  • 5篇调谐激光器

机构

  • 42篇中国科学院

作者

  • 42篇周代兵
  • 35篇赵玲娟
  • 27篇王圩
  • 24篇梁松
  • 11篇安欣
  • 10篇陆丹
  • 7篇贺卫利
  • 6篇边静
  • 5篇王宝军
  • 4篇谭满清
  • 4篇潘教青
  • 3篇余力强
  • 2篇于红艳
  • 2篇王保军
  • 2篇吉晨
  • 2篇朱洪亮
  • 2篇吴旭明
  • 2篇赵妙
  • 2篇牛斌
  • 2篇张瑞康

传媒

  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇光学学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 3篇2024
  • 8篇2023
  • 4篇2022
  • 5篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双端面可调谐激光器及其制备方法
本发明提供了一种双端面可调谐激光器及其制备方法。本发明提出的双端面可调谐激光器，包括：位于InP衬底上的一个光栅区、两个相位区及两个增益区，光栅区位于InP衬底中段，两个相位区位于光栅区两侧，两个增益区分别位于两个相位区...
周代兵安欣陆丹梁松赵玲娟王圩
基于多模干涉耦合器的波分复用/解复用器
本发明提供一种基于多模干涉耦合器的波分复用/解复用器，涉及光器件技术领域，包括级联的多个双波导芯层多模干涉耦合器结构；双波导芯层多模干涉耦合器结构包括输入端口、多模干涉区和两个输出端口，多模干涉区包括两个第一波导芯层和两...
郭菲陆丹周代兵赵玲娟
半导体激光器件高频电极装置及制作方法
本发明公开了一种半导体激光器件高频电极装置及制作方法，该装置制作方法包括：在刻蚀完脊型波导的半导体激光器件上面利用化学气相沉积设备生长二氧化硅；采用反转胶光刻出脊型波导窗口，并采用氢氟酸腐蚀液腐蚀掉窗口的二氧化硅；涂覆聚...
周代兵梁松
文献传递
用于气体传感系统的InGaAs-InGaAsP量子阱分布反馈激光器
近年来波长范围在1.6-2.1μm的近红外激光器引起了人们的广泛兴趣[1],工作于此波段的激光器因其发射波长与很多环境以及工业气体的吸收谱线相一致,可用作气体传感的光源,在环境污染和有毒气体检测,医药分析,工农业生产,健...
潘教青于红艳袁丽君王宝军周代兵边静安欣王圩
四段式放大反馈混沌光发射激光器结构
一种四段式放大反馈混沌光发射激光器结构，包括：一衬底；一n-InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上；一多量子阱增益层制作在InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层制作在多量子...
潘碧玮陆丹赵玲娟余力强周代兵朱洪亮王圩张莉萌
文献传递
电吸收调制激光器的制作方法
本发明提供了一种电吸收调制激光器的制作方法，包括：在同一衬底上依次生长缓冲层和有源层，有源层包括第一有源层、作为激光器区有源层的第二有源层和作为波长稳定区有源层的第三有源层；刻蚀掉第一有源层，并对接生长调制器区有源层；在...
周代兵梁松赵玲娟王圩
文献传递
双端面出光激光器及其制备方法
本发明一方面提供了一种双端面出光激光器及其制备方法，双端面出光激光器包括：衬底；后光栅区，形成在衬底上，后光栅区两侧由近至远依次对称分布有相位区、增益区、前光栅区、调制器区；其中，后光栅区及前光栅区由光栅层构成，后光栅区...
周代兵梁松赵玲娟王圩
电吸收调制激光器各功能区电隔离的实现方法
本发明公开了一种电吸收调制激光器各功能区电隔离的实现方法，包括：在衬底表面上依次生长缓冲层和有源层，其中，有源层包括第一有源层和作为激光器区有源层的第二有源层；刻蚀掉第一有源层，并对接生长调制器区有源层；在作为激光器区有...
周代兵梁松赵玲娟王圩
电吸收调制激光器及其制备方法
本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，涉及半导体光电子集成器件领域，其包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为依次相邻的第一区域、第二区域和第三区域；相移光栅，形成与有源层的第二区域上；其中，第一区域的有...
周代兵安欣贺卫利陆丹梁松赵玲娟
电吸收调制激光器及其制备方法
本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；其中，第一区域的有源层构成第一调制器，第二区域的有源层构成第二调制器，第三区域的有源层...
周代兵贺卫利安欣梁松赵玲娟
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