叶飞
- 作品数：15 被引量：24H指数：3
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术文化科学理学电气工程更多>>
- 氧化锌薄膜外延生长晶体学设计
- 叶飞曹善鹏许爱燕
- 奥氏体不锈钢过饱和渗氮层复杂短程有序结构
- 采用低温等离子体渗氮工艺可以在奥氏体不锈钢表面制备出过饱和渗氮层,氮含量高达10-35at.％.该渗氮层能够显著提高奥氏体不锈钢的表面硬度、耐磨损性能和耐点蚀性能.通过XRD和TEM研究,前人认为该渗氮层为fcc单相结构...
- 仝柯叶飞
- 离轴磁控溅射法生长1-3维PZT-NFO纳米复合薄膜被引量：1
- 2014年
- 采用90°离轴磁控溅射法，在MgAl2O4（001）单晶基片上自组装生长了Pb（Zr0.52Ti0.48）O3-NiFe2O4（PZT—NFO）复合磁电薄膜，并研究了基片温度、氩氧比和溅射功率等因素对薄膜结构和性能的影响。结果表明，适合生长PZT-NFO薄膜的条件为基片温度800℃，氩氧比1：1，溅射功率160W。XRD测试显示，PZT-NFO薄膜为外延生长薄膜，且PZT相与NFO相之间的垂直晶格失配非常小。AFM和SEM结构观察表明，薄膜具有清晰的1-3维纳米复合结构，铁磁相NFO纳米柱直径约为80～150nm。降低氩氧比有助于NFO相的形成，但溅射功率过大会造成1-3维结构向无规则0-3维结构转变。磁性能测量表明纳米复合薄膜的饱和磁化强度在120～160kA／m之间，低于块体的NFO相，可能是由于两相的界面扩散所造成。
- 张辉马永军王艺程文丹丹叶飞白飞明
- 关键词：磁电效应磁控溅射
- 材料科学基础MOOC平台课程建设及学习效果探讨被引量：3
- 2018年
- 随着"互联网+"经济形态的快速发展,MOOCs课程建设目前已在全世界高校普及并快速发展。主要介绍了MOOCs课程的发展现状,并结合材料科学基础课程在中国大学MOOC平台上的课程建设情况,分析了MOOCs课程存在的问题及学习的效果,并分析了问题存在的主要原因,探讨了解决问题的方法。
- 李佳艳赵杰叶飞王清
- CaRIne软件在晶体学基础教学中的应用被引量：6
- 2017年
- 在材料科学的教学中,晶体结构、极射投影图和倒易点阵等晶体学基础知识的学习要求学生有较强的空间想象能力。晶体结构建模软件Ca RIne可以用于辅助材料科学基础及相关课程中晶体学基础部分的教学。在课堂教学过程中,显示和模拟典型材料的晶体学图像,课后鼓励学生动手练习,从而使学生在掌握晶体学基础知识的同时,了解晶体结构建模软件的应用,提高对晶体学知识的学习兴趣。
- 叶飞赵杰王清李佳艳
- 关键词：晶体结构倒易点阵
- HfO_2铁电相与四方相转变关系的第一性原理研究
- 2014年
- 基于密度泛函理论的缀加平面波方法计算了HfO2的正交相Pca21和四方相P42/nmc,其中正交相具有铁电性质。计算结果表明,在晶体结构方面,HfO2正交相和四方相都具有类萤石结构特征,并且从四方相P42/nmc到正交相Pca21的转变过程中单胞变形<3.75%;在电子结构方面,通过四方相到正交相的结构转变,Hf的5d和O的2p、2s的杂化效应增强,同时这些电子态向低能移动,使正交相的相对能量低于四方相。这些研究结果证实了HfO2具有铁电性质的Pca21正交相是一种稳定的相结构,并解释了从P42/nmc四方相到Pca21正交相的转变关系。
- 叶飞肖海珠周大雨
- 关键词：HFO2电子结构
- 电子束蒸发制备性能渐变铝掺杂氧化锌薄膜
- 采用电子束蒸发镀膜方法，利用不同倾斜角度的基片台在玻璃片上实现斜角沉积AZO(铝掺杂氧化锌)薄膜。研究结果表明，采用不同倾斜角度沉积的AZO 薄膜由于高度差异造成的阴影效应，其薄膜厚度在Z轴方向基本呈现线性渐变的趋势。另...
- 曹善鹏叶飞
- 关键词：AZO薄膜电子束蒸发薄膜厚度
- 文献传递
- 原子环境对B-O键合特征影响的第一性原理研究
- 2014年
- B和O是太阳能级多晶硅中的主要非金属杂质,它们经常以B-O原子对的形式存在。利用第一性原理计算方法,通过对比B-O对在真空、B2O3和硅中的键合状态,理解Si环境对B-O键合特征的影响。计算结果表明,在这3种原子环境中,O原子的s和p轨道对键合的贡献都比B原子的s和p轨道大得多。其中,在真空中主要是O的2p轨道参与成键,而在氧化物和硅中O原子的2s轨道和2p轨道都参与成键。在硅中,由于B-O间距较大,以及与Si键合导致B-O键合电子态密度的降低,使B-O对在硅中的结合强度低于在氧化物和真空中。
- 叶飞许斐范刘金美谭毅
- 关键词：第一性原理多晶硅态密度键合
- CeO2-Gd2O3 系统中基于缺陷团簇的微观组织演变
- 叶飞
- ZnO/Si薄膜生长低错配界面的晶体学设计
- 氧化锌(ZnO)具有优异的光电性质，在液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等方面具有潜在的应用前景。同时ZnO在适当的制备条件及掺杂下还会表现出较好的低阻特征，因此可用作电极材料。生长在各种基底上的ZnO薄膜性质受到薄膜微...
- 叶飞曹善鹏许爱燕
