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刘超铭

作品数:139 被引量:28H指数:3
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 106篇专利
  • 20篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 31篇电子电信
  • 9篇一般工业技术
  • 5篇自动化与计算...
  • 5篇理学
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇电气工程
  • 3篇化学工程
  • 3篇航空宇航科学...
  • 3篇核科学技术
  • 3篇文化科学
  • 1篇天文地球
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 26篇辐照
  • 19篇电离
  • 19篇晶体管
  • 18篇双极晶体管
  • 18篇离子
  • 18篇航天
  • 15篇电离辐射
  • 15篇射程
  • 15篇空间环境
  • 14篇航天器
  • 13篇双极器件
  • 12篇电子辐照
  • 12篇束电流
  • 11篇带电粒子
  • 11篇电粒子
  • 11篇双极型
  • 11篇界面态
  • 11篇二极管
  • 10篇电离辐射损伤
  • 10篇抗辐照

机构

  • 139篇哈尔滨工业大...
  • 4篇中国空间技术...
  • 3篇哈尔滨师范大...
  • 1篇黑龙江大学
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇上海空间电源...
  • 1篇中国航天
  • 1篇北京航天控制...
  • 1篇中国航天北京...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇广州广电计量...

作者

  • 139篇刘超铭
  • 96篇李兴冀
  • 90篇杨剑群
  • 70篇马国亮
  • 35篇霍明学
  • 35篇王天琦
  • 32篇齐春华
  • 30篇张延清
  • 24篇吕钢
  • 20篇何世禹
  • 19篇董尚利
  • 16篇肖景东
  • 11篇杨德庄
  • 8篇刘勇
  • 8篇王新胜
  • 7篇肖立伊
  • 5篇高乐
  • 4篇陈伟
  • 3篇侯春风
  • 2篇刘旭东

传媒

  • 9篇物理学报
  • 2篇原子能科学技...
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇黑龙江大学自...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇电子与封装
  • 1篇中小企业管理...
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇工业技术创新
  • 1篇2011中国...

年份

  • 7篇2024
  • 3篇2023
  • 9篇2022
  • 19篇2021
  • 10篇2020
  • 15篇2019
  • 22篇2018
  • 18篇2017
  • 10篇2016
  • 3篇2015
  • 14篇2014
  • 7篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2009
139 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种面向FLASH阵列的器件仿真方法
本发明的一种面向FLASH阵列的器件仿真方法,涉及一种半导体器件仿真方法。目的是为了克服FLASH存储器阵列中FLASH存储单元仿真难以准确评估不同位置FLASH存储单元的电性能的问题,具体步骤如下:一、在FLASH阵列...
魏轶聃董尚利刘勇刘超铭刘旭东
一种发光二极管的在轨性能退化预测方法
一种发光二极管的在轨性能退化预测方法,属于器件在轨性能退化预测领域,解决了现有发光二极管的在轨性能退化预测方法不具备普适性的问题。所述方法包括通过对发光二极管进行地面辐照试验,获得具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位...
李兴冀杨剑群刘超铭刘勇
文献传递
MOS工艺器件电离损伤引起的性能退化的等效评价方法
MOS工艺器件电离损伤引起的性能退化的等效评价方法,涉及MOS工艺器件性能退化的等效评价方法,为了满足针对不同类型辐照源的MOS工艺器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面带电粒子辐照源,考虑氧化层的电场的影响对电离吸收...
李兴冀杨剑群刘超铭秦兆慧
倒置四结(IMM4J)太阳电池中InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)子电池高能电子辐照退火效应
2020年
本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在60—180℃温度范围累计退火180 min,并对不同退火温度、退火时间下的两种子电池进行了光IV测试、暗IV测试和光谱响应测试.实验结果表明两种子电池的开路电压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax随着退火时间的延长逐渐恢复,温度越高,恢复程度越大.在相同的退火条件下,InGaAs(1.0 eV)子电池的恢复程度比InGaAs(0.7 eV)子电池小.本文通过对暗特性曲线进行双指数模型拟合,得到不同退火条件下两种子电池的串联电阻Rs、并联电阻Rsh、扩散电流Is1、复合电流Is2.结果表明在退火过程中两种子电池的Rsh逐渐增大,Rs,Is1和Is2逐渐减小.温度越高,退火时间越长,恢复程度越大.在退火60 min后两种子电池的Voc,Isc和Pmax恢复程度均可达到整体恢复程度的85%以上.InGaAs(1.0 eV)子电池的Is1和Is2的恢复程度远大于InGaAs(0.7 eV).本文建立了短路电流密度Jsc和缺陷浓度N的等效模型,以此计算得到InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)两种子电池的热退火激活能分别为0.38 eV和0.26 eV.
张延清齐春华周佳明刘超铭马国亮蔡勖升王天琦霍明学
关键词:电子辐照退火效应
高功率窄谱宽1915 nm掺铥光纤激光器研究被引量:2
2018年
开展了1915 nm高功率、高效率、窄谱宽输出的掺铥光纤激光器(TDFL)研究。基于全光纤主振荡功率放大(MOPA)结构,采用40 W的793 nm半导体激光器泵浦纤芯直径25μm的双包层大模场面积(LMA)掺铥光纤,获得了最高功率12.1 W的1 915 nm窄谱宽连续种子激光输出。将8 W种子光注入掺铥光纤放大器,在793 nm激光泵浦功率为142.9 W时,获得了平均功率90 W的激光输出,其中心波长为1 915.051 nm,3 d B谱宽仅为94 pm,斜率效率为60.2%,光-光转换效率达63.0%。该系统在40 min运行考核时间内输出激光稳定性良好。
张伟吴闻迪吴闻迪余婷杨中国杨中国陈晓龙刘超铭
关键词:掺铥光纤激光器主振荡功率放大NM
基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法
基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法,本发明涉及计算Si的缺陷移动的方法。本发明目的是为了解决现有采用密度泛函方法获得Si的缺陷移动能量的准确率低的问题。过程为:得到Si的晶格参数;得到Si能量最低点的晶格参数...
李兴冀刘超铭魏轶聃杨剑群董尚利
文献传递
基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法
本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域,目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题,具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深...
刘超铭王天琦张延青齐春华马国亮霍明学李何依魏轶聃
文献传递
一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法
一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法,属于功率MOSFET可靠性建模技术领域,本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数,导致工作效率低的问题。它包括:S1、采集传感器的数据作为初始...
刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
一种基于带电粒子辐照产生级联及点缺陷的方法
一种基于带电粒子辐照产生级联及点缺陷的方法,涉及空间环境效应领域,为了满足对位移损伤效应的研究需求。该方法为:选取带电粒子;计算带电粒子所产生的单位时间位移损伤吸收剂量D;根据<Image file="DDA000113...
李兴冀杨剑群刘超铭马国亮
文献传递
“材料科学基础B”课程思政教学探讨
"材料科学基础B"是材料科学与工程学院一门至关重要的专业基础课,为学生未来的专业课程学习、科学研究和工程技术工作打下扎实的专业知识基础,在培养学生的创新能力和专业素养方面发挥着至关重要的作用。本文旨在论述对"材料科学基础...
乔菁覃耀春赵慧杰刘超铭
关键词:专业基础课
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