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付有君

作品数:5 被引量:24H指数:3
供职机构:山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学核科学技术电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 5篇晶体
  • 4篇KDP晶体
  • 3篇晶体生长
  • 2篇光谱
  • 2篇过饱和度
  • 2篇KDP
  • 1篇电导仪
  • 1篇液晶
  • 1篇溶液晶体生长
  • 1篇散射颗粒
  • 1篇实时控制
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇微结构
  • 1篇晶体生长过程
  • 1篇晶体微结构
  • 1篇晶体质量
  • 1篇聚变
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱

机构

  • 5篇山东大学
  • 1篇南开大学

作者

  • 5篇高樟寿
  • 5篇曾红
  • 5篇付有君
  • 5篇李义平
  • 5篇王圣来
  • 4篇孙洵
  • 1篇张存洲
  • 1篇胡小波
  • 1篇孔勇发
  • 1篇李丽霞

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
实时控制过饱和度降温法生长KDP晶体被引量:10
2001年
用变压器型电导仪实现了KDP晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制,测量精度±0.03g KDP/100g H2O(±0.10%相对过饱和度),控制精度与测量精度相当.过饱和度实时控制系统提供了一种方法,可以研究在不同工艺条件生长KDP晶体时,过饱和度与晶体生长和性能的关系.用分析纯原料生长KDP晶体,发现随着过饱和度的增大,晶体的生长速度加快,晶体的均匀性降低.过饱和度实时控制系统可以使KDP晶体在相对恒定的过饱和度下生长,提高了晶体生长的均匀性,抑制了生长层和散射颗粒的产生,有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值.
王圣来付有君孙洵李义平曾红高樟寿
关键词:过饱和度晶体质量实时控制KDP晶体降温法晶体生长
KDP晶体过饱和度实时控制生长被引量:4
2000年
在KDP晶体传统的降温法生长过程中 ,由于缺少对溶液过饱和度和实时了解 ,只能根据经验调节溶液的降温速度来控制生长过程 ,这样容易在溶液中形成过饱和度的积累 ,造成晶体生长速度快慢不一 ,形成生长层 ,使晶体内部产生较大应力 ,严重时会引起包藏使晶体不能透明生长。这种生长方法对晶体的生长速度有很大的限制 ,只有在较低的速度时才能生长出高质量的晶体。因此有必要对KDP晶体的生长过程中的浓度和过饱和度实施实时测量和控制。实时测量生长溶液的浓度是实现过饱和度控制的关键。KDP溶液的浓度可以用称重法直接测量 ,也可以通过测量溶液的对浓度敏感的其它性质如密度 ,粘度 ,折射率 ,电导等间接测量 ,还可以用纹影法测量溶液的饱和点来确定溶液的浓度。在这些方法中 ,电导法有突出的优点 ,可实现很好的量化 ,能达到较高的精度 ,由于是电信号容易实现自动化测控 ,可以做到实时测量。但是 ,常规的Wheatstone电桥法由于电极与溶液直接接触引起电化学作用 ,影响了测试结果和溶液稳定性 ,甚至可能污染生长溶液。根据电磁感应的原理我们制作了变压器型电导仪。该电导仪与Wheatstone电桥法不同 ,在测量时电极无需直接接触溶液 ,也不需要把溶液从生长容器中抽出 。
王圣来付有君孙洵李义平曾红高樟寿
关键词:KDP晶体非线性光学晶体过饱和度溶液晶体生长
KDP晶体包裹体的拉曼光谱研究被引量:3
2003年
激光显微拉曼光谱对KDP晶体包裹体研究发现,相邻锥扇界附近的球形溶液包裹体串只有水溶液,而柱面扩展包藏和含高密度散射颗粒的KDP晶体都存在CO2和H2S等杂质分子.我们推断,柱、锥面包裹体成分的不同与晶体不同面的生长特征有关,CO2等杂质气体分子的存在是柱面包裹体和散射颗粒形成的原因之一.
王圣来高樟寿孔勇发张存洲付有君孙洵李义平曾红
关键词:散射颗粒拉曼光谱包裹体KDP晶体
用于晶体生长过程中溶液浓度实时测量的变压器型电导仪被引量:1
1999年
电解质溶液的电导随浓度而变化,测量溶液电导即可推出溶液的浓度。为避免传统电桥法对测量溶液的影响,根据电磁感应的原理,设计制作了变压器型电导仪。受电磁屏蔽及电磁感应线性范围的限制,该电导仪只能在一定的测量范围使用。该电导仪在测量导电性良好的溶液时能获得较高的精度。适当调节电导仪的参数如线圈匝数、输入信号、信号频率和输出电阻等也可改变测量范围,提高相对测试精度。用该电导仪测量了KDP溶液的电导随浓度变化的关系,相对精度达0.6% 以上。
王圣来付有君高樟寿刘嘉民李义平曾红
关键词:传感器晶体生长电导仪变压器型
热退火对KDP晶体微结构的影响被引量:12
2003年
 用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化。实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放。对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著。
王圣来李丽霞胡小波高樟寿付有君孙洵李义平曾红
关键词:惯性约束聚变KDP晶体微结构热退火RAMAN光谱
共1页<1>
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