魏伟
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 射频溅射ZnO作缓冲层的HVPE法生长GaN厚膜被引量：1
- 2009年
- 在低温HVPE-GaN/c-Al2O3模板上射频溅射ZnO作为缓冲层,采用氢化物气相外延(HVPE,hydridevapoarphaseepitaxy)法外延生长了高质量的GaN320μm厚膜。用高分辨率双晶X射线衍射仪(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了制备的GaN厚膜特性。结果表明,GaN(0002)面的X射线摇摆曲线衍射峰半高宽(FWHM)为336.15arcsec,穿透位错密度(TDD)为107cm-2,外延生长的GaN厚膜晶体质量较好,可以作为自支撑GaN衬底。
- 王如杨瑞霞徐永宽牟村魏伟
- 关键词：ZNO
- 工作压强和退火温度对SiC薄膜结构的影响被引量：1
- 2009年
- 用双射频共溅射和溅射后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)分析了样品的物相组成、形貌和结构。研究发现,此种方法制备得到8H-SiC薄膜,在1.5～3Pa时增大工作压强有利于SiC薄膜退火之后结晶,同时薄膜沉积速率降低,使生长变致密,粗糙度减小,薄膜表面趋于平滑。对SiC薄膜进行850、1000、1150℃退火,结果表明,适当升高退火温度有利于提高薄膜的结晶质量和晶化程度,提高薄膜的致密度,降低薄膜中的缺陷密度。
- 李强杨瑞霞潘国峰王如魏伟
- 关键词：碳化硅薄膜退火表面形貌
- ZnO薄膜在不同衬底上的生长及其应用
- ZnO是一种新型的第三代宽禁带半导体材料，ZnO具有与GaN 相似的纤锌矿结构，它在室温下的禁带宽度为3.26eV，但激子束缚能(60meV)比GaN(25 meV)及室温下的热离化能26 meV 要高出许多，这使得它理...
- 魏伟
- 关键词：ZNO薄膜宽禁带半导体材料磁控溅射衬底温度薄膜生长氮掺杂
- 文献传递
- 衬底温度对ZnO薄膜结构和光学特性的影响被引量：2
- 2009年
- 采用射频磁控溅射的方法在不同温度下Si(111)衬底上制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM),光致发光(PL)谱等分析手段研究了衬底温度对ZnO薄膜微观结构及发光特性的影响.通过XRD和AFM分析发现随着衬底温度的升高,制备样品的X射线衍射半高宽(FWHM)减小,晶粒尺寸增大,在300℃时晶粒尺寸达到最大,但随温度的进一步升高(至400℃)晶粒尺寸减小,缺陷增多.薄膜样品PL谱均在520nm处出现绿光发射峰,本文认为这是由于氧空位(V_o)和氧替位(O_(Zn))共同作用的结果,绿光发射峰强度与其结晶质量密切相关,结晶质量越好,杂质和缺陷态就越少,发光峰越弱.
- 魏伟杨瑞霞王如牟村
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射衬底温度光致发光表面形貌
