邹陆军 作品数:6 被引量:10 H指数:2 供职机构: 上海大学材料科学与工程学院 更多>> 发文基金: 上海市高等学校科学技术发展基金 更多>> 相关领域: 理学 一般工业技术 电子电信 更多>>
结晶紫在纳米磷化镓粉体表面吸附的表面增强拉曼光谱分析 被引量:2 2007年 利用Raman光谱对结晶紫(Crystal Violet,CV)在纳米磷化镓(GaP)粉体表面的吸附状态进行了分析。结果表明:与普通拉曼散射谱(Normal Raman Scattering,NRS)相比,结晶紫表面增强拉曼散射(Surface Enhanced Raman Scattering,SERS)谱的4种振动模式,即:中央键的呼吸振动、环—C+—环面外弯曲振动、环C—H面外弯曲振动以及N-环伸缩振动,在纳米GaP粉体表面得到增强;通过分析吸附前后结晶紫拉曼散射峰相对强度的变化,确定了结晶紫在纳米GaP粉体表面的吸附取向,并对其表面增强散射机理进行了探讨。 邹陆军 张兆春关键词:结晶紫 磷化镓 表面增强拉曼散射 纳米GaP材料Ga填隙缺陷的EPR实验观察 被引量:2 2003年 利用电子顺磁共振 (EPR)技术对纳米GaP粉体材料的本征点缺陷进行了研究 ,结果表明 :由EPR信息的 g因子值 ( 2 .0 0 2 7± 0 .0 0 0 4 )可以确定纳米GaP粉体材料存在Ga自填隙(Gai)本征缺陷 ;纳米GaP粉体EPR信号超精细结构消失 ,以及谱线线宽 (ΔHPP)变窄等实验现象 ,可能是由纳米材料界面的无序性 ,以及缺陷原子和界面原子之间的电子交换造成的 ;在较低的测试温度范围内 ,升高温度引起纳米GaP材料发生晶界结构弛豫 ;当测试温度由1 0 0K升高至 42 3K时 。 张兆春 邹陆军 崔得良关键词:磷化镓 点缺陷 超精细结构 半导体材料 纳米GaP粉体对结晶紫的光催化降解及其振动光谱分析 被引量:3 2004年 对纳米 Ga P粉体 -结晶紫水溶液光催化降解进行了研究。纳米 Ga P粉体在紫外光照射条件下对结晶紫具有光催化降解作用 ;随平均颗粒度的降低 ,纳米 Ga P粉体的光催化活性增加。红外光谱测试结果表明 :进行光催化过程以后 ,纳米 Ga P表面存在的几种主要振动模式变化较小或不变 ;拉曼光谱测试结果表明 :纳米 Ga P粉体的横向光学声子模与纵向光学声子模 。 张兆春 邹陆军 崔得良关键词:纳米粉体 GAP 结晶紫 光催化 振动光谱 纳米GaP材料的介电特性 被引量:4 2003年 对在 45 0℃条件下进行 1h普通烧结制得的纳米GaP块体 (~ 5 1nm)的相对介电常数 (εr)、介电损耗 (tgδ)与频率 (f)、温度 (T)的关系进行了研究。测量结果表明 :烧结温度对纳米GaP块体的相对介电常数和介电损耗具有显著的影响 ;几种介电特性和测量频率、温度关系曲线的特征符合由德拜介电极化理论进行分析得出的结论。在介电特性温度谱图上出现极值 ,表明在外电场作用下纳米GaP块体存在界面极化、转向极化和松弛极化等几种主要极化机制 ;同时 。 张兆春 邹陆军 崔得良关键词:纳米 GAP 相对介电常数 介电损耗 利用纳米GaP固体材料的拉曼光谱计算其微结构参数 被引量:1 2003年 利用纳米GaP固体材料拉曼光谱的类横向光学模峰移(ΔωTO)对其均方根键角畸变(Δθ)和平均键畸变能(Uθ)进行了计算。计算结果表明:当成型压力增加时,纳米GaP固体材料的Δθ和Uθ均增加;而将纳米GaP固体材料在325℃进行1h热处理后,其Δθ和Uθ并没有明显的变化。 张兆春 邹陆军 崔得良关键词:拉曼光谱 微结构参数 磷化镓 半导体材料 纳米GaP半导体材料的光学与光催化性质 纳米GaP是一种宽禁带半导体材料,近年来,由于在发光、显示和光电探测等方面潜在的应用前景,纳米GaP材料日益受到各国研究人员的重视.本文在苯热法合成纳米GaP材料的基础上,对纳米GaP材料的微观结构、光学与光催化性质进行... 邹陆军关键词:光学 光催化 文献传递