赵赓
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：天津理工大学理学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电极修饰对有机场效应管性能影响的研究
- 有机场效应晶体管(OFET)由于具有工艺简单、良好的柔韧性、适合低温、低成本和大面积制造的特点以及在电子器件上有着巨大应用潜力而受到广泛关注。近年来，随着大量致力于获得高性能OFET的研究，OFET已经发展到非晶硅器件的...
- 赵赓
- 关键词：有机场效应晶体管过渡金属氧化物电极修饰性能分析
- C60场效应晶体管的制备及修饰层对器件性能影响的研究被引量：4
- 2011年
- 以重掺杂Si片作为衬底,SiO2/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为双栅绝缘层,C60为有源层,制备了不同修饰层的有机场效应晶体管(OFETs);研究了不同修饰层的器件对于场效应性能的影响。实验表明,与未加修饰层的器件相比,经过修饰的器件性能有一定的提高,其中Alq3/LiF双修饰层器件的场效应迁移率达到最大,为1.6×10-2 cm2/V.s。根据热动力学反应关系分析表明,Alq3/LiF间的协同作用导致电极和有源层的接触势垒降低是器件性能提高的原因。
- 郑宏程晓曼闫齐齐田海军赵赓印寿根
- 关键词：场效应迁移率
- 一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管
- 一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管，包括栅电极、复合绝缘层、有源层、修饰层和源漏电极，其中修饰层为8-羟基喹啉铝并作为电极/有源层的阻挡层，栅电极为重掺杂磷的硅衬底，复合绝缘层包括SiO<Sub>2</S...
- 程晓曼郑宏赵赓田海军
- 文献传递
- V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响
- 2012年
- 制备了用过渡金属氧化物V_2O_5修饰Al源、漏电极的C_(60)/Pentacene双层异质结有机场效应管.该构型器件与未修饰器件相比,呈现出典型的双极型晶体管传输特性.电子迁移率和空穴迁移率分别达到8.6×10^(-2)cm^2/V·s^(-1)和6.4×10^(-2)cm^2/V·s^(-1),阈值电压分别为25 V和-25 V.器件性能改善的原因主要是由于插入V_2O_5修饰层后,可以明显降低Al电极与Pentacene之间的接触势垒,提高空穴的有效注入,从而使电子和空穴的注入接近平衡.研究表明,采用V_2O_5修饰电极方法,是制备低成本、高性能的双极型有机场效应管并实现其商业应用的有效途径.
- 赵赓程晓曼田海军杜博群梁晓宇吴峰
- 关键词：有机场效应晶体管双极型
