赵洪峰
- 作品数：12 被引量：8H指数：2
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- 相关领域：电气工程理学文化科学化学工程更多>>
- 高耐受浪涌电流SnO<Sub>2</Sub>压敏电阻陶瓷的方法
- 一种高耐受浪涌电流SnO<Sub>2</Sub>压敏电阻陶瓷的方法，包括原料配制步骤、分散步骤、烘干步骤、成型步骤、排胶步骤、烧结步骤，上述步骤依次进行，其特征在于，所述原料配制步骤中加入钛离子、钨离子，所述太离子以Ta...
- 赵洪峰梁温馨王昊王玉川杨兴郑义已
- 文献传递
- 一种SnO<Sub>2</Sub>压敏电阻及其制备方法
- 本发明公开了一种SnO<Sub>2</Sub>压敏电阻及其制备方法，属于材料领域，该方法的制备步骤包括将二氧化锡SnO<Sub>2</Sub>、碳酸锰MnCO<Sub>3</Sub>、三氧化二铬Cr<Sub>2</Sub...
- 赵洪峰刘冬季谢清云杨丹程宽王锋蒙晓记燕飞霏
- 文献传递
- 不同添加物掺杂对氧化锌压敏电阻的改性研究被引量：5
- 2020年
- 为了提高ZnO压敏电阻综合电气性能,采用单一变量法研究了Bi2O3、Co2O3和Ni2O3不同比例掺杂对ZnO压敏电阻微观结构、电气性能及冲击老化特性的影响。研究结果表明:随着Bi2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸增大,直流1 mA参考电压减小,非线性系数先增大后减小,泄漏电流先减小后增大;随着Co2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸几乎没有变化,但晶粒间尖晶石数量增加,使得直流1 mA参考电压增大,非线性系数增大,泄漏电流先减小后增大;随着Ni2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸逐渐减小,直流1 mA参考电压增大,非线性系数先增大后减小,泄漏电流先减小后增大;当Bi2O3、Co2O3和Ni2O3添加物掺杂量分别为2.1%、3%和0.5%时,ZnO压敏电阻可以获得较好的综合电气性能和耐冲击老化能力。
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- 关键词：ZNO压敏电阻掺杂改性电气性能
- 一种掺杂硼和钇离子的直流ZnO压敏电阻及其制备方法
- 本发明公开了一种掺杂硼和钇离子的直流ZnO压敏电阻及其制备方法，属于电气元件材料领域。该方法的制备步骤包括将ZnO、Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Sb<Sub>2</Sub>O<Sub>3</S...
- 赵洪峰程宽谢清云刘冬季杨丹燕飞霏蒙晓记王锋
- 文献传递
- 高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法
- 一种高梯度、低泄漏电流陶瓷的制备方法,包括配料步骤、球磨步骤,成型步骤、烧结步骤、热处理步骤，所述配料步骤、球磨步骤,成型步骤、烧结步骤、热处理步骤依次进行，所述配料步骤中，原料配方包括ZnO、Bi<Sub>2</Sub...
- 赵洪峰程宽谢清云刘冬季李刚蒙晓记
- 文献传递
- 电力系统输电用高非线性、低残压、大通流容量的SnO<Sub>2</Sub>压敏电阻及其制备方法
- 一种电力系统输电用高非线性、低残压、大通流容量的SnO<Sub>2</Sub>压敏电阻及其制备方法,压敏电阻中成分包括SnO<Sub>2</Sub>、Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>、Cr<Sub>...
- 赵洪峰刘冬季谢清云程宽王锋蒙晓记燕飞霏
- 文献传递
- 对SnO_(2)-CuO-Nb_(2)O_(5)压敏电阻电气性能的改良研究
- 2024年
- SnO_(2)-CuO-Nb_(2)O_(5)压敏电阻的泄漏电流较大,导致压敏电阻在正常工作时发热严重,并引起了非线性系数降低,保护水平下降,无法直接应用于避雷器中。因此就降低SnO_(2)-CuO-Nb_(2)O_(5)压敏电阻的泄漏电流作了进一步研究,期望改善其电气性能。经研究发现,当采取0.05(摩尔分数)Cr_(2)O_(3)和0.05 Sb_(2)O_(3)共掺杂时,电阻内部无第二相结构存在,晶粒紧密贴合,微观结构较为均匀。此时SnO_(2)-CuO-Nb_(2)O_(5)压敏电阻的综合电气性能也最好,其电压梯度高,达到了423 V/mm;泄漏电流最小,为0.33μA/cm2;非线性系数最高,达到了33.36。
- 郝亚超赵洪峰谢清云蒙晓记
- 关键词：压敏电阻电压梯度泄漏电流
- 电力系统输电用高非线性、低残压、大通流容量的SnO<Sub>2</Sub>压敏电阻的制备方法
- 一种电力系统输电用高非线性、低残压、大通流容量的SnO<Sub>2</Sub>压敏电阻的制备方法,压敏电阻中成分包括SnO<Sub>2</Sub>、Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>、Cr<Sub>2...
- 赵洪峰刘冬季谢清云程宽王锋蒙晓记燕飞霏
- SnO_(2)压敏电阻交流老化机理的探索
- 2024年
- 通过对SnO_(2)压敏电阻进行等效时长的加速老化试验,采用电流-电压(E-J)、电容-电压(C-V)、扫描电镜(SEM)等测试手段对不同老化时间的样品进行测量,对其宏观电学性能和微观参数结构的变化进行对比分析。结果表明:E_(1 mA)、E_(0.1 mA)及φ_(b)都呈现先小幅增长,而后缓慢降低,再急剧骤减的趋势;α、J_(L)呈现先缓慢降低,然后急剧减小的趋势,得出流注模型同载流子陷阱理论在老化初期起主导作用,载流子陷阱同离子迁移理论在中期起主导作用,而由高泄漏电流的线性增殖击穿理论即热破坏支配了交流老化末期的结论。
- 杨岱礼赵洪峰王锋谢清云蒙晓记
- 关键词：压敏电压非线性
- 采用Nd、Zr离子复合施主掺杂制备ZnO压敏电阻陶瓷的方法
- 一种采用Nd、Zr离子复合施主掺杂制备ZnO压敏电阻陶瓷的方法，包括原料配制步骤、添加ZnO步骤、离子添加步骤、成型步骤、排胶步骤、烧结步骤，上述步骤依次进行，其特征在于，所述离子添加步骤中，加入Al离子、Zr离子，所述...
- 赵洪峰王昊梁温馨赵慧漆思怡王玉川杨兴
