公共文化服务平台

芦伟立: 作品数：65 被引量：20H指数：2; 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家电网公司科技项目更多>>; 相关领域：电子电信理学金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

一种GaN基场效应管外延方法: 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种GaN基场效应管外延方法，本发明通过将衬底置于特定温度和压力的生长反应室内，通入镓源和氨气，在衬底上生长第一GaN外延层，改变反应室的温度和压力，通入镓源、氨气和铝源，在第一GaN外...; 王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮

二氧化硅介质层的制备方法: 本发明公开了一种二氧化硅介质层的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在基板上生长N型重掺杂碳化硅外延层，所述N型重掺杂碳化硅外延层的掺杂元素为氮；通过氧化工艺将所述N型重掺杂碳化硅外延层氧化形成二氧化硅介质...; 李佳芦伟立房玉龙尹甲运王波郭艳敏张志荣冯志红; 文献传递

一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件: 本发明提供一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件，该探测器包括：碳化硅衬底，以及在碳化硅衬底上、自下而上依次外延生长的缓冲层、倍增层、电荷层、渐变层、吸收层和接触层；渐变层的掺杂浓度自下而上依次减小，其中，吸收层的掺杂浓度低...; 郝文嘉房玉龙芦伟立李帅王健李建涛王波陈宏泰牛晨亮

碳化硅外延层钝化方法: 本发明公开了一种碳化硅外延层钝化方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在反应室通入碳源和硅源，在衬底上生长碳化硅外延层；关闭所述碳源，在所述反应室通入氮源和硅源，在所述碳化硅外延层的上表面生长氮化硅薄膜。本发明生...; 李佳芦伟立房玉龙尹甲运王波郭艳敏张志荣冯志红; 文献传递

基于三氯硅烷的高质量4H-SiC多片外延生长被引量：2: 2018年; 使用三氯硅烷（TCS）作为含氯生长源,在多片外延设备生长了高质量的4H-SiC外延材料。研究了原位预刻蚀气体HCl流量和刻蚀时间对SiC外延材料表面三角形缺陷的影响,使用光学显微镜和表面缺陷分析仪对SiC外延材料表面缺陷进行表征测试和统计,使用傅里叶红外测试仪（FTIR）和原子力显微镜（AFM）对外延材料表面形貌进行表征。结果表明,预刻蚀气体体积流量和时间对4英寸SiC外延材料表面三角形缺陷影响明显,随着HCl体积流量和时间的增加,材料表面的三角形缺陷密度先减小后增加,在HCl流量为100 m L/min、刻蚀时间为20 min时,三角形缺陷密度最低达到0.47cm-2。此外,通过调整C/Si比和载气体积流量等参数,使4英寸SiC外延材料掺杂浓度不均匀性和厚度不均匀性均得到有效改善,结果表明该外延片质量满足SiC电力电子器件的应用。; 卜爱民房玉龙李佳芦伟立赵丽霞杨龙尹甲运刘沛冯志红陈秉克蔡树军; 关键词：SIC 不均匀性

一种外延片的制备方法: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种外延片的制备方法。所述制备方法包括：将包含预设原子的衬底置于反应腔内；在包含预设原子的衬底上生长多层外延层，获得外延片；其中，在生长至少一层外延层时，所述反应腔内的温度为预设温度，所...; 李佳芦伟立郭艳敏冯志红; 文献传递

温度对硅衬底上生长石墨烯的影响被引量：1: 2016年; 通过化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上制备石墨烯薄膜,研究了生长温度对薄膜的影响以及石墨烯生长机理。采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、喇曼光谱、光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子谱(XPS)表征石墨烯材料。结果表明,生长温度越高,越有利于Si衬底上石墨烯薄膜的形成和连续。生长过程中,C原子渗入Si衬底表层,在其表面优先形成3C-SiC缓冲层,随后在缓冲层表面重构形成石墨烯。在Si衬底上沉积SiO_2和Si_3N_4覆盖层,发现生长过程中不再出现3C-SiC缓冲层。随着生长温度的增加,石墨烯薄膜缺陷降低,薄膜与衬底之间为范德华力。生长温度1 100℃下结晶质量最好。; 刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红; 关键词：石墨烯硅衬底生长温度

一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法: 本发明公开了一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法，包括：在衬底上生长GaN材料，并在生长所述GaN材料时通入铁元素；达到第一预设条件时停止通入所述铁元素，开始通入三甲基铟；达到第二预设条件时结束生长所述GaN材料，并停止通入所...; 尹甲运房玉龙王波张志荣郭艳敏李佳芦伟立冯志红

一种金刚石衬底GaN外延方法: 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种金刚石衬底GaN外延方法。本发明通过在金刚石衬底上溅射生长AlN缓冲层，并形成AlN/金刚石模板，将AlN/金刚石模板进行退火处理，在退火后的AlN缓冲层上生长GaN外延层，其中，对...; 王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮

用于氮化物外延材料的衬底预处理方法及外延材料: 本发明适用于氮化物材料制备方法技术领域，提供了一种用于氮化物外延材料的衬底预处理方法及外延材料。其中，用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，在衬底上生长外延材料之前还包括以下步骤：将衬底设置在反应室内、并将衬底升温至700...; 郭艳敏尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠房玉龙冯志红; 文献传递