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章的

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:湖南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇失配位错
  • 2篇形核
  • 2篇形核机理
  • 2篇纳米
  • 2篇复变
  • 2篇复变函数
  • 2篇复变函数方法
  • 1篇圆孔
  • 1篇膜厚
  • 1篇纳米结构材料
  • 1篇纳米孔
  • 1篇薄膜厚度

机构

  • 3篇湖南大学

作者

  • 3篇章的
  • 2篇刘又文
  • 1篇赵迎新
  • 1篇商开然

传媒

  • 1篇工程力学
  • 1篇应用力学学报

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
纳米结构材料界面失配位错形核机理研究
纳米材料由于其优越的物理、力学性能得到了科技领域高度的重视和广泛的应用。当复合材料微结构尺寸达到纳米级时,由于强烈的界面效应和尺寸效应,其力学性能将发生显著改变。界面失配位错形核机理是制约复合材料强韧化性能和损伤失效的关...
章的
关键词:纳米结构材料失配位错形核机理复变函数方法
文献传递
纳米尺度圆孔表面薄膜界面失配位错形核机理
2013年
研究了无限大基体内纳米尺度圆孔表面薄膜中界面螺型位错形核的临界条件,薄膜考虑了表/界面效应。运用弹性复势方法,获得了两个区域应力场的解析解答,并导出位错形核能公式,由此讨论了表/界面效应对薄膜界面位错形核的影响规律。算例结果表明,表/界面效应在纳米尺度下对位错形核的影响显著,不同表/界面效应下位错形核的临界薄膜厚度有很大差异,当基体与薄膜的相对剪切模量超过某一值后,只有考虑负的表/界面应力时位错才有可能形核;薄膜厚度在小于某一临界尺寸时负的表/界面应力更容易位错形核,薄膜厚度大于某一临界尺寸时正的表/界面应力更容易位错形核。
章的刘又文商开然
关键词:复变函数方法纳米孔
含表界面效应的核壳纳米线界面失配位错形核
2013年
研究了考虑表面和界面效应的核壳纳米线材料中螺型失配位错形核的临界情况。运用复势方法获得了纳米线和薄膜区域复势函数的解析解。主要讨论了表面和界面效应对核壳纳米线中螺型失配位错形核的影响规律。研究表明:正(负)表面、界面效应会减小(增大)螺型失配位错形核时所需的膜厚度范围和临界剪切模量;当其他参量为某些定值时,无论膜厚度为多大,正表面、界面弹性常数都存在使螺型位错不能形核的可能;正(负)表面、界面残余应力会增大(缩小)螺型失配位错形核时所需的膜厚度范围;正(负)表面、界面效应会增大(减小)螺型失配位错形核时所需的临界膜厚度和失配应变临界值。
章的刘又文赵迎新
共1页<1>
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