申人升
- 作品数：68 被引量：75H指数：5
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
- 一种垂直型CMOS电路结构及其制作方法
- 本发明提出一种垂直型CMOS电路结构及其制作方法，属于集成电路领域。制作步骤如下：在P型掺杂衬底上制作NMOS器件；在N型掺杂衬底上制作PMOS器件；分别制作与PMOS、NMOS中源、漏、栅相连接的金属接触点；利用键合设...
- 常玉春程禹申人升娄珊珊钟国强曲杨潘冲
- FBG的金属化封装及其传感应用技术研究
- 光纤光栅是沿光纤轴向在纤芯内形成周期性折射率调制分布的一种新型光纤无源器件。由于它具有插入损耗低、抗电磁干扰、可进行波长选择等优点,现已广泛应用于通信领域,常见的光纤通信元器件主要有掺铒光纤放大器/(EDFA/)、波分复...
- 申人升
- 关键词：光纤光栅压力传感器解调
- 文献传递
- 掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜
- 本发明提供一种掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜，该掺杂氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：选取衬底，所述衬底中含有目标掺杂元素；采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化镓膜，得到掺杂氧化镓膜初品；对制备得到的掺杂...
- 夏晓川申人升柳阳梁红伟杜国同胡礼中
- 文献传递
- 新型应变筒式光纤Bragg光栅压力传感器被引量：3
- 2008年
- 设计并制作了一种基于弹性应变筒式光纤布拉格光栅压力传感器，通过对传统结构进行优化，即弧形筒身设计，避免了应力梯度的存在，使筒身受力均匀，同时增大了应力响应范围。使用参考光栅进行温度补偿，解决了交叉敏感问题带来的影响。通过对应变筒几何尺寸和材料的改变，达到具体测量所需传感头的参数。实验以普通不锈钢材料为基体，测量范围0-30MPa，压力灵敏度达到0．033nm／MPa．使用该结构可用于液体和气体的高压测量。
- 张金申人升王本宇王艳闫卫平张玉书杜国同
- 关键词：光纤布拉格光栅传感器
- MOCVD法制备ZnO薄膜的正交试验设计被引量：3
- 2008年
- 采用低压-金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,结合正交试验设计,在(100)p-Si衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。用室温光致发光研究了不同生长参数对ZnO薄膜光学质量的影响。通过正交分析法对所得样品相关特征指标的分析,得到生长温度、锌源温度和氧气流量3个独立工艺参数对薄膜光学质量的影响。结果表明,生长温度对薄膜光学质量的影响最大,其余依次为氧气流量和锌源温度,同时,通过分析还得到了最佳组合工艺。结合面探X射线衍射仪,分析了薄膜的结晶质量,发现在优化的工艺条件下制备出的ZnO薄膜具有较好的结晶质量。
- 李香萍张宝林申人升董鑫杜国同
- 关键词：金属有机化学气相沉积正交试验设计氧化锌
- 高性能波导集成型锗/硅水平APD
- 2020年
- 相较于传统的吸收层-电荷层-倍增层分离(SACM)的锗/硅雪崩光电二极管(APD),水平APD器件结构及工艺流程简单,且从设计上避免了电荷层的杂质浓度控制的难题。选用绝缘体上硅(SOI)晶圆片,基于0.18μm CMOS兼容工艺制备了一种高性能的波导集成水平锗/硅APD。对APD的器件参数进行了晶圆级测试,包括暗电流、光响应度以及带宽。测试结果表明,吸收区宽度为0.5μm、两侧间隔区宽度为0.8μm的器件在反偏电压-27.5 V下光响应度高达75.89 A/W,间隔区宽度为0.3μm时雪崩击穿电压低至-6.5 V,且可在0.9倍雪崩击穿电压附近测得3 dB带宽达20.06 GHz。
- 高巍高巍唐波唐波李彬杨妍申人升申人升常玉春
- 关键词：光电探测器
- SiC衬底GaN LED生长及器件制备
- 半导体发光二极管(LED)是制备半导体照明这一新型光源的核心元器件,具有巨大的市场前景。蓝光GaNLED可采用蓝宝石(Sapphire)与碳化硅(SiC)作为外延衬底材质,并以蓝宝石基板应用较为普遍。SiC与GaN的晶格...
- 梁红伟宋世巍张克雄申人升柳阳杜国同
- 金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED的制备方法
- 本发明公开了一种金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED及制备方法。本发明金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED是将发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED连接在一起，在电流驱动下发射白光。本发明的特点是将两种发射不同...
- 申人升梁红伟柳阳杜国同
- 文献传递
- 在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
- 本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底...
- 夏晓川柳阳申人升梁红伟杜国同胡礼中
- 采用底极板采样时序的单调切换型逐次逼近模数转换器
- 本发明公开一种采用底极板采样时序的单调切换型逐次逼近模数转换器，包括采样保持电路、比较器、数模转换器、异步时钟产生模块、多时钟分时控制的逐次逼近控制模块和数字纠错电路。逐次逼近逼近控制逻辑采用多时钟分时控制，采用底极板采...
- 常玉春王月申人升熊波涛程禹孟凡龙潘冲
