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王立杰
作品数:
9
被引量:2
H指数:1
供职机构:
沈阳工程学院
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发文基金:
辽宁省教育厅高等学校科学研究项目
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相关领域:
文化科学
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合作作者
王刚
沈阳工程学院
王宝石
沈阳工程学院
许鉴
沈阳工程学院
王健
沈阳工程学院
杜士鹏
沈阳工程学院
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沈阳工程学院
作者
9篇
王立杰
6篇
张玉艳
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衣云龙
6篇
李昱材
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杜士鹏
6篇
王健
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许鉴
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王宝石
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王刚
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王帅杰
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孙笑雨
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张东
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张铁岩
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刘莉莹
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关新
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高微
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郭瑞
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赵琰
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孙勇
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年份
4篇
2015
4篇
2013
1篇
2006
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9
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ECR-PEMOCVD在镀金刚石薄膜的Si上低温沉积InN薄膜的制备方法
<B>本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域,提供一种可制备电学性能良好的</B> <B>InN</B> <B>光电薄膜且成本低的</B> <B>ECR-PEMOCVD</B> <B>在镀金刚石薄膜的</B> <B>Si...
张铁岩
孙笑雨
张东
杜士鹏
王立杰
李昱材
王刚
张玉艳
许鉴
王健
文献传递
ECR-PEMOCVD在AlN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法
本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域,尤其涉及一种ECR-PEMOCVD在AlN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜且成本低的ECR-P...
张铁岩
杜士鹏
王立杰
王刚
张玉艳
许鉴
李昱材
王健
王宝石
衣云龙
王德君
文献传递
ECR-PEMOCVD系统对InN/GaN/自支撑金刚石膜结构的制备方法
<B>本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域,提供一种电学性能良好、散热性能良好的</B> <B>ECR-PEMOCVD</B> <B>系统对</B> <B>InN</B> <B>/GaN/</B> <B>自支撑金刚石膜...
张东
鞠振河
孙笑雨
郑洪
李昱材
杜士鹏
王立杰
张晓慧
李双美
王刚
王健
刘莉莹
郭瑞
王帅杰
关新
高微
王宝石
衣云龙
金月新
张玉艳
文献传递
ECR-PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法
本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域,提供一种可制备电学性能良好、散热性好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤...
赵琰
王存旭
王晓文
王立杰
曹福毅
孙勇
许鉴
王宝石
衣云龙
郭瑞
王帅杰
关新
刘莉莹
高微
王德君
文献传递
ECR-PEMOCVD系统对InN/GaN/自支撑金刚石膜结构的制备方法
本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域,提供一种电学性能良好、散热性能良好的ECR-PEMOCVD系统对InN/GaN/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明包括以下步骤:1)将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水...
张东
鞠振河
孙笑雨
郑洪
李昱材
杜士鹏
王立杰
张晓慧
李双美
王刚
王健
刘莉莹
郭瑞
王帅杰
关新
高微
王宝石
衣云龙
金月新
张玉艳
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ECR-PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法
本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域,提供一种可制备电学性能良好、散热性好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤...
赵琰
王存旭
王晓文
王立杰
曹福毅
孙勇
许鉴
王宝石
衣云龙
郭瑞
王帅杰
关新
刘莉莹
高微
王德君
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高校教育成本核算有关问题的探究
被引量:2
2006年
从高校经济管理的实际出发,阐述了高校教育成本费用概念,针对高校经济业务发生的特点与规律,系统的论述了高校教育成本的涵义、内容、核算职能、任务;并对高校教育成本核算的要求与原则做了论述,在不同层面上对成本费用与成本报表进行了分类,其目的是研究建立一套适应我国高校成本管理实际工作的技术与方法体系,为预算提供可靠依据,科学合理地使用教育资源,增强高校可持续发展的能力。
王秋
王立杰
关键词:
教育成本
成本管理
ECR-PEMOCVD在AlN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法
本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域,尤其涉及一种ECR-PEMOCVD 在AlN 缓冲层/ 金刚石薄膜/Si 多层膜结构基片上低温沉积InN 薄膜...
张铁岩
杜士鹏
王立杰
王刚
张玉艳
许鉴
李昱材
王健
王宝石
衣云龙
王德君
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ECR-PEMOCVD在镀金刚石薄膜的Si上低温沉积InN薄膜的制备方法
本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域,提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在镀金刚石薄膜的Si上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤:1)将Si基片依次用丙酮、乙醇以及...
张铁岩
孙笑雨
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