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王国宏

作品数：242 被引量：86H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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相关领域：电子电信电气工程一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 191篇专利
  • 30篇期刊文章
  • 14篇会议论文
  • 5篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 67篇电子电信
  • 6篇电气工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇文化科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇农业科学
  • 1篇理学

主题

  • 99篇发光
  • 86篇二极管
  • 82篇发光二极管
  • 67篇氮化镓
  • 35篇衬底
  • 33篇多量子阱
  • 30篇电极
  • 24篇刻蚀
  • 23篇芯片
  • 22篇光效
  • 22篇半导体
  • 21篇外延片
  • 20篇金属
  • 20篇蓝宝
  • 19篇蓝宝石
  • 18篇激光
  • 17篇光效率
  • 17篇封装
  • 15篇阻挡层
  • 15篇金属电极

机构

  • 237篇中国科学院
  • 4篇北京工业大学
  • 2篇河北半导体研...
  • 2篇上海交通大学
  • 1篇河北科技师范...
  • 1篇厦门大学
  • 1篇国家工程研究...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇扬州中科半导...

作者

  • 242篇王国宏
  • 134篇李晋闽
  • 118篇伊晓燕
  • 100篇王军喜
  • 75篇李璟
  • 67篇刘志强
  • 61篇杨华
  • 49篇曾一平
  • 26篇汪炼成
  • 25篇谢海忠
  • 24篇郭恩卿
  • 24篇卢鹏志
  • 24篇郭金霞
  • 21篇闫发旺
  • 20篇张逸韵
  • 19篇王良臣
  • 19篇马平
  • 18篇李志聪
  • 18篇马骁宇
  • 18篇詹腾

传媒

  • 10篇Journa...
  • 5篇半导体技术
  • 3篇第十三届全国...
  • 2篇中国激光
  • 2篇液晶与显示
  • 2篇第十届全国光...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇人与生物圈
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇新材料产业
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 5篇2018
  • 10篇2017
  • 9篇2016
  • 18篇2015
  • 25篇2014
  • 30篇2013
  • 34篇2012
  • 22篇2011
  • 19篇2010
  • 12篇2009
  • 11篇2008
  • 5篇2007
  • 3篇2006
  • 10篇2005
  • 5篇2004
  • 2篇2003
共 242 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法
本发明公开了一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法，芯片由至少一个单元模块组成，该单元模块包含至少一个LED微晶粒；各LED微晶粒之间互相绝缘隔离集成于衬底上，且各单元模块中的LED微晶粒之间以及单元模块之间通过互联...
詹腾郭金霞田婷伊晓燕王莉李璟王国宏
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一种氮化镓系发光二极管
一种氮化镓系发光二极管，包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；一活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分...
马平王军喜刘乃鑫路红喜王国宏曾一平李晋闽
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氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法
一种氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成台面，该台面是LED的发光区域；步骤2：在台...
郭恩卿刘志强汪炼成伊晓燕王莉王国宏
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激光钻孔切割异形发光二极管的方法
一种激光钻孔切割异形发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：将制备好的条状的发光二极管芯片阵列竖直固定；步骤2：将激光器的焦点聚焦在条状的发光二极管芯片阵列的侧表面；步骤3：移动条状的发光二极管芯片阵列，激光器对条状的芯...
谢海忠于飞鲁志远杨华李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用离子注入及后退火工艺实现非极性GaN基稀磁半导体材料的制备，包括以下步骤：对GaN基底材料进行离子注入；以及对离子注入后的GaN基底材料进行快速退火处理。...
孙莉莉闫发旺张会肖王军喜王国宏曾一平李晋闽
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减少激光剥离损伤的方法
一种减少激光剥离损伤的方法，包括如下步骤：步骤1：将外延片置于一底板上；步骤2：将底板加热，该底板加热，是电阻加热、射频加热或外部光源加热，该底板加热的温度范围在100-600℃；步骤3：利用激光剥离设备的激光扫描，对外...
段瑞飞王良臣刘志强季安王国宏曾一平李晋闽
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提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件
一种提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件，依次包括衬底、缓冲层、n型Al<Sub>u</Sub>Ga<Sub>1-u</Sub>N接触层、发光有源区、Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N最后一个...
姬小利闫建昌郭金霞张连杨富华段瑞飞王军喜曾一平王国宏李晋闽
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MicroLED发光阵列结构
本公开提供了一种MicroLED发光阵列结构，该结构包括：多个MicroLED像素单元，成行线和列线互联的阵列结构排列；所述MicroLED像素单元包括：衬底；MicroLED像素单元基片，形成于所述衬底上；以及吸收层，...
王国宏李志聪李璟
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制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法
本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在...
李璟杨华薛斌王国宏王军喜李晋闽
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AlGaInP/Si的键合研究
键合技术是大失配异质材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.本文以金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面没...
郭德博梁萌范曼宁刘志强王良臣王国宏
关键词：ALGAINPI-V特性键合技术
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