汪润生
- 作品数：7 被引量：16H指数：3
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：甘肃省自然科学基金磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信一般工业技术更多>>
- 基于肖特基接触IV分析法的有机半导体迁移率确定方法
- 2010年
- 载流子迁移率的测量对有机半导体材料及器件的研究极为重要。在总结目前有机半导体迁移率测量方法优缺点的基础之上,本文提出了一种测量有机半导体中载流子迁移率的新方法:用真空蒸镀法制作结构为"金属-有机半导体-金属"的肖特基接触有机半导体器件,通过选取适当的理论模型进行数值计算,然后用理论计算的结果对实验测得的该器件IV特性进行数值拟合,从而得到该有机半导体材料中载流子的迁移率,以及该材料的其他输运参数,如陷阱密度、陷阱特征深度等。本文利用这种方法测量了酞菁铜(CuPc)的空穴迁移率,并得到了CuPc的陷阱密度、陷阱特征深度等参数。
- 谢宏伟李训栓王颖马朝柱汪润生李荣华宋长安彭应全
- 关键词：有机半导体迁移率酞菁铜
- 肖特基接触单层有机太阳能电池的短路电流的数值研究
- 2010年
- 运用数值方法,系统研究了肖特基接触单层有机太阳能电池的阴极功函数、载流子迁移率和温度对短路电流的影响,得到了短路电流随阴极功函数、载流子迁移率和温度变化的定量关系,这为以后的有机太阳能电池实验研究提供理论基础.
- 马朝柱孟伟民彭应全汪润生李荣华谢宏伟王颖叶早晨
- 关键词：载流子迁移率有机太阳能电池短路电流
- 有机半导体的物理掺杂理论被引量：3
- 2009年
- 基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道(HOMO)的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布,提出有机半导体中物理掺杂的理论模型;研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响,并与一些报道的实验结果做了比较.研究发现无论是否掺杂,温度升高时,有机半导体中的载流子浓度都会增大,并且随温度倒数的线性减小而指数增大;对于本征有机半导体,载流子浓度随禁带宽度的增大而指数下降,随高斯分布宽度的平方指数增加;对杂质和主体不同能级关系的掺杂情形下掺杂浓度对载流子浓度的影响做了数值研究.
- 汪润生孟卫民彭应全马朝柱李荣华谢宏伟王颖赵明袁建挺
- 关键词：有机半导体掺杂载流子浓度
- 开路状态下平面异质结有机太阳能电池的数值模型
- 2011年
- 运用数值方法,系统研究了开路状态下平面异质结有机太阳能电池受体层的最低未占据分子轨道(LUMO)能级和阴极Fermi能级之间的势垒、给体层厚度和受体层厚度对器件内部载流子浓度、电场和电势分布的影响,得到了载流子浓度、电场和电势分布随受体层的LUMO能级和阴极Fermi能级之间的势垒、给体层厚度和受体层厚度变化的定量关系,这为以后的平面异质结有机太阳能电池开路状态下的实验研究提供了理论基础.
- 马朝柱彭应全汪润生李荣华谢宏伟王颖谢吉鹏杨汀
- 关键词：载流子浓度异质结太阳能电池
- 阴极功函数和激子产生率对肖特基接触单层有机太阳能电池开路电压的影响研究被引量：8
- 2010年
- 运用数值方法系统研究了阴极功函数,激子产生率和温度对肖特基接触单层有机太阳能电池开路电压的影响,分析了开路电压条件下有机太阳能电池有机层内载流子和电场的分布.结果表明在阳极功函数一定时开路电压随着阴极功函数(Wc)的降低而增大,当Wc接近有机材料的最低未被占据分子轨道(LUMO)能级时开路电压不再增大而达到一个饱和值,饱和开路电压随激子产生率的提高而增大;对于给定的阳极和阴极功函数,开路电压随激子产生率的提高而增大并在激子产生率达到一定数值后趋于饱和,这个饱和开路电压等于器件的内建电压;开路电压随温度的升高而降低,其下降速率随激子产生率的增大而降低.
- 李荣华孟卫民彭应全马朝柱汪润生谢宏伟王颖叶早晨
- 关键词：开路电压温度
- 有机体异质结太阳能电池的数值分析被引量：7
- 2008年
- 介绍了一种有机体异质结太阳能电池的数值模拟方法,模型使用Onsager提出的成对复合理论,并结合了完善的无机半导体理论而提出来的,其结果与实验结果符合较好,证明了模型的正确性.在此基础上分析了器件的内建电场与工作温度对器件性能的影响,以及影响器件光电流的主要因素.
- 邢宏伟彭应全杨青森马朝柱汪润生李训栓
- 关键词：有机太阳能电池
- 采用真空镀膜制备的叠层结构有机场效应晶体管的研究
- 2009年
- 本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET。该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层。测量出其输出特性曲线,可看见较明显的场效应特性。对器件温度特性的研究表明,漏极电流随着温度的升高而增大。XRD分析表明,在Si/SiO2和Si/SiO2/Al两种衬底上蒸镀制备的CuPc薄膜呈多晶结构,且两种衬底上的CuPc薄膜晶粒尺度大致相等。
- 赵明李训栓宋长安马朝柱袁建挺汪润生李远飞张光辉郭晗叶早晨彭应全
- 关键词：真空镀膜叠层结构
