梁建军
- 作品数：6 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构被引量：13
- 2000年
- 采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度 ,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系 ,不是单调地随氧含量的增加而增强 .研究了掺铒 a- Si∶ H,O薄膜和微结构 ,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系 .
- 陈维德梁建军王永谦
- 关键词：掺铒光致发光微结构
- 掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究被引量：4
- 2000年
- 采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜 (a SiOx∶H) ,离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光 .当材料中氧硅含量比约为 1和 1.76时 ,分别对应 77K和室温测量时最强的 1.5 4μm光致发光 .从 15到 2 5 0K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系 ,表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程 .提出氢化非晶氧化硅薄膜中发光铒离子来自于富氧区 ,并对实验现象进行了解释 .氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱 .从 15到 2 5 0K ,光致发光强度减弱约 1/ 2 .
- 梁建军王永谦陈维德王占国常勇
- 关键词：铒光致发光氧含量半导体
- 掺铒硅基材料光学性质和微结构研究
- 该论文采用离子注入方法制了掺杂铒、氧的、单晶硅,锗硅材料.研究退火条件(温度,时间)等对Si(Er)光致发光(PL)的影响.短时间的快速退火可以有效地消除因为离子注入 所造成的损伤等不利因素并有效地激活铒离子.铒氧共掺杂...
- 梁建军
- 关键词：光学性质离子注入
- 掺铒硅光致发光的研究被引量：1
- 1999年
- 采用PECVD法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Er3+ 离子的掺铒硅 ,经快速退火后在 15K至 2 93K下均可获得波长为 1 54μm的很强的光致发光。研究了不同的氧含量、退火温度、测量温度和激发功率对掺铒硅光致发光强度的影响和规律 。
- 顾诠何杰陈维德许振嘉谢小龙谢小龙梁建军廖显伯
- 关键词：硅光致发光氧含量发光机理光电子学
- 氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用被引量：1
- 2000年
- 利用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜。在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用。室温下观察到很强的光致发光现象。氧的引入并且和铒离子形成发光中心 ,提高了铒离子的发光强度。退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷 ,提高了氢的逃逸温度 ,改善材料的热稳定性 ,使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高 ,铒的发光得到增强。讨论了铒离子的发光机制。
- 梁建军王永谦陈维德王占国常勇
- 关键词：氧硼磷掺杂氢化非晶硅
- 掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光被引量：7
- 1999年
- 采用等离子化学汽相淀积方法，改变ＳｉＨ４和Ｎ２Ｏ的流量比制备含有不同氧浓度的ＳｉＯｘ．用离子注入方法将铒掺入ＳｉＯｘ，经３００～９３５℃快速热退火，在波长１．５４μｍ处观察到很强的室温光致发光（ＰＬ）．发光强度随氧含量和激发功率增加而增加，与ＳｉＯｘ的微结构有非常密切的关系．
- 陈维德马智训许振嘉何杰何杰梁建军
- 关键词：掺铒光致发光室温氧化硅
