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杨建坤

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇气相外延
  • 2篇氢化物气相外...
  • 2篇衬底
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇图形衬底
  • 1篇自支撑
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石图形衬...
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻技术
  • 1篇硅膜
  • 1篇厚膜
  • 1篇大尺寸

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇段瑞飞
  • 2篇曾一平
  • 2篇霍自强
  • 2篇杨建坤
  • 2篇魏同波
  • 2篇胡强

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法
一种在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法，包括以下步骤：步骤1：在C面蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；步骤2：利用常规光刻技术在淀积二氧化硅或氮化硅膜的C面蓝宝石衬底上光刻出沿着[11-20]方向的条形二...
胡强段瑞飞魏同波杨建坤霍自强曾一平
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制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法
一种制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法，包含以下步骤：步骤1：首先在衬底上生长一层ZnO膜；步骤2：在ZnO膜上生长低温缓冲层，形成样品；步骤3：在氢化物气相外延系统中，在低温缓冲层的上面高温生长GaN厚膜；步骤4：在氢化...
胡强段瑞飞魏同波杨建坤霍自强曾一平
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