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杨哲

作品数:12 被引量:0H指数:0
供职机构:华为技术有限公司更多>>
相关领域:自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 6篇自动化与计算...

主题

  • 9篇电子设备
  • 9篇存储设备
  • 7篇选通
  • 5篇相变存储
  • 3篇电流
  • 3篇泄露电流
  • 3篇管材料
  • 2篇电脉冲
  • 2篇生成器
  • 2篇数据块
  • 2篇数据写入
  • 2篇相变
  • 2篇相变材料
  • 2篇泄漏电流
  • 2篇芯片
  • 2篇逻辑地址
  • 2篇内存
  • 2篇缓存
  • 2篇高速缓存
  • 2篇半导体存储

机构

  • 12篇华为技术有限...
  • 2篇华中科技大学

作者

  • 12篇杨哲
  • 2篇仇国华
  • 2篇顾雄飞
  • 2篇余清波
  • 2篇陈伟
  • 2篇陈鑫
  • 1篇谭海波
  • 1篇马平

年份

  • 3篇2025
  • 6篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2013
  • 1篇2011
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
选通管材料及其获取方法、相变存储芯片、存储设备及电子设备
本申请公开了选通管材料及其获取方法、相变存储芯片、存储设备及电子设备,属于半导体存储技术领域。该选通管材料的化学式为(Ge<Sub>x</Sub>S<Sub>1‑x</Sub>)<Sub>1‑y</Sub>M<Sub>y...
郭艳蓉杨哲 童浩
存储芯片、存储芯片操作方法、存储设备及电子设备
本申请公开的实施例属于存储技术领域,特别涉及一种存储芯片、存储芯片操作方法、存储设备及电子设备。其中,存储芯片包括第一脉冲电路和第二脉冲电路,对应的操作方法包括基于操作请求对目标存储单元的操作类型,确定第一脉冲特征和第二...
马平涂洒李响杨哲李天宇
存储设备、用于改进存储设备的性能的方法和电子设备
本公开的实施例提供了一种存储设备、用于改进存储设备的性能的方法和电子设备。一种存储设备包括:存储芯片、电脉冲生成器和处理器,存储芯片包括多个存储单元。处理器被配置为:确定多个存储单元中泄露电流不低于阈值泄漏电流的目标存储...
杨哲 郭晨阳 王伦 童浩 涂洒 陈一峰 缪向水 朱晓明
选通管材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备
本申请公开了选通管材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备,属于半导体存储技术领域。该选通管材料包括Te元素和掺杂元素,Te元素的原子百分含量大于或等于50%且小于或等于90%,余量为掺杂元素;掺杂元素包括:第一掺杂元素和...
郭晨阳杨哲郭艳蓉童浩
相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备
本公开公开了相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备,属于半导体存储技术领域。该相变材料包括Ge‑Sb‑Te相变基材和掺杂于Ge‑Sb‑Te相变基材的第一掺杂元素和第二掺杂元素。第一掺杂元素包括Hf元素,其原子百分比为...
李响陈鑫陈伟杨哲张雨童浩
一种存储芯片、存储设备和电子设备
本申请实施例公开了一种存储芯片、存储设备和电子设备,降低了工艺难度和成本的同时,扩大存储芯片的存储窗口大小,提升了存储单元进行读操作的速度。本申请实施例提供的存储芯片包括多个存储单元,其中的每个存储单元包括至少一层自选通...
李响杨哲童浩
选通管、选通管的制备方法及存储器
本申请实施例提供了一种选通管、选通管的制备方法及存储器。其中,选通管包括第一材料层、选通管材料层和第二材料层,第一材料层的第一表面与选通管材料层的第一表面接触,第二材料层的第一表面与选通管材料层的第二表面接触,第一材料层...
杨哲郭晨阳
相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备
本公开公开了相变材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备,属于半导体存储技术领域。该相变材料包括Ge‑Sb‑Te相变基材和掺杂于Ge‑Sb‑Te相变基材的第一掺杂元素和第二掺杂元素。第一掺杂元素包括Hf元素,其原子百分比为...
李响陈鑫陈伟杨哲张雨童浩
从缓存写数据到内存的方法和装置
本发明公开了一种从高速缓存向内存写数据的方法。本发明实施例还提供相应的从高速缓存向内存写数据的装置。本发明技术方案由于CPU通过高速缓存向第一地址写第一数据块,然后根据第一地址获取高速缓存中缓存第一数据块的高速缓存条的索...
杨哲余清波顾雄飞仇国华
文献传递
选通管材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备
本申请公开了选通管材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备,属于存储技术领域。该选通管材料的化学通式为(A<SUB>x</SUB>Te<SUB>1‑x</SUB>)<SUB>1‑y</SUB>B<SUB>y</SUB>;元...
王伦杨哲李天宇谭海波童浩
共2页<12>
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