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杨凯

作品数：8 被引量：29H指数：4
供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇氮化镓
  • 5篇GAN
  • 2篇探测器
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇蓝光
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇AL
  • 2篇MOCVD生...
  • 2篇衬底
  • 1篇淀积
  • 1篇氧化铝
  • 1篇碳化硅
  • 1篇气相淀积
  • 1篇金属有机化学...

机构

  • 8篇南京大学
  • 1篇马里兰大学

作者

  • 8篇沈波
  • 8篇杨凯
  • 7篇张荣
  • 6篇郑有炓
  • 4篇陈鹏
  • 4篇臧岚
  • 3篇陈志忠
  • 2篇周玉刚
  • 2篇黄振春
  • 2篇郑有
  • 1篇吴宗森
  • 1篇张序余

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇高技术通讯
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 3篇1996
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
GaN光导型紫外探测器被引量：1
1997年
研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在6H－SiC衬底上的GaN光导型紫外探测器的光电流性质。通过光电流谱的测量，获得了GaN探测器在波长250nm-360nm范围近于平坦的光电流响应，并且观察到在365nm（～3．4eV）带边附近陡峭的截止边。测得GaN探测器在5V偏压下在360nm波长处的光电流响应度为133A／W，并得到了其响应度与外加偏压的关系。通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据，获得了GaN探测器的响应时间。
杨凯张荣臧岚沈波陈志忠陈鹏郑有黄振春
关键词：紫外探测器氮化镓MOCVD
α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究被引量：4
1999年
本文报道了蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上ＧａＮ薄膜的瞬态光电导性质．用ＹＡＧ∶Ｎｄ脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域，即起始衰减区域和拖尾区域，分别对应时间常数：τ０１～０．１ｍｓ和τ０２～１．０ｍｓ．在相同偏压和光强下，加热样品至３００℃，光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化，对应的两个时间常数都相应变小．实验结果说明在导带边几十ｍｅＶ内存在大量陷阱．对衰减曲线起始２００ｎｓ取样，发现光照时光电导呈“Ｓ”形上升，停止光照，光电导锐利下降并出现振荡，表明光照停止后，载流子在导带和深陷阱能级的再分布．用一个浅能级陷阱和一个深能级陷阱的模型来近似导带边陷阱结构能很好的解释实验结果．另外，测得的光电导随光强的变化关系也进一步证实了模型的合理性．
陈志忠沈波杨凯杨凯陈浩张序余臧岚周玉刚陈鹏吴宗森臧岚陈峰
关键词：氧化铝氮化镓
α-Al_(2)O_(3)衬底上生长的GaN膜的光学性质
1996年
采用金属有机化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）方法生长了α－Ａｌ２Ｏ３衬底上外延的高质量的单晶ＧａＮ薄膜。Ｘ射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了ＧａＮ外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶ＧａＮ薄膜的直接带隙宽度和光学参数。
杨凯张荣秦林洪沈波施洪涛郑有炓黄振春Chen J C
关键词：GAN薄膜金属有机化学气相淀积光学性质
MOCVD生长GaN膜的光调制反射谱研究
1997年
采用光调制反射光谱（PR）研究了（0001）晶向蓝宝石村底上MOCVD方法生长的单晶六角GaN薄膜的室温光学性质。测得六角GaN薄膜的禁带宽度为3．400eV，对PR谱的调制机理进行了分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制。光吸收增和光反射谱的测量，得到3．39eV的光学吸收边和3．3eV的反射峰，证实了光调制反射光谱的结果。
杨凯张荣臧岚秦林洪沈波施洪涛郑有炓Z.C.HuangJ.C.Chen
关键词：氮化镓MOCVD生长
GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究被引量：8
1998年
本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且观察到在～３．４ｅＶ带边附近陡峭的截止边，即当光波长在从３６５ｎｍ变到３７５ｎｍ的１０ｎｍ区间内，光电流信号下降了３个数量级．在３６０ｎｍ波长处，我们测得ＧａＮ探测器在５Ｖ偏压下光电流响应度为１３３Ａ／Ｗ，并得到了其响应度与外加偏压的关系．通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据，我们获得了ＧａＮ探测器的响应时间及其与偏压的关系．
臧岚杨凯张荣沈波陈志忠陈鹏周玉刚郑有炓黄振春
关键词：氮化镓紫外探测器
GaN基蓝光器件的研究进展被引量：2
1996年
本文对近几年GaN基蓝光器件，包括GaN基发光二极管（LED）和激光二极管（LD）的发展历程进行了全面介绍和评价。指出GaN基蓝光LED的研究开卡拉卡将在1～2年内走向成熟，从而实现大规模商业化生产。
郑有炓沈波施洪涛张荣杨凯陈鹏李熹霖
关键词：氮化镓发光二极管激光二极管发光器件
蓝光半导体碳化硅──材料、器件和工艺被引量：6
1996年
碳化硅（ＳｉＣ）是目前主要的蓝光半导体材料之一，国际上已初步实现了ＳｉＣ蓝光发光二极管的产业化。目前商品器件工作电压３．０Ｖ，工作电流２０ｍＡ时，发射波长４７０ｎｍ，功率１８μＷ，工作电流５０ｍＡ时，辐射功率可达３６μＷ。最近的实验研究发现，采用ＳｉＣ和氮化镓的合金制成的ＬＥＤ可大幅度提高发光效率，其发射功率的实验室水平已达８５０ｍＷ。文中从ＳｉＣ材料特性、ＳｉＣ发光器件及ＳｉＣ材料、器件工艺等几方面入手，综述了ＳｉＣ作为蓝光半导体材料及其器件和工艺的研究进展。
张荣施洪涛余是东杨凯沈波郑有
关键词：碳化硅蓝光发光二极管
MOCVD生长的GaN膜的光学性质研究被引量：8
1997年
本文报道（0001）晶向蓝宝石衬底上金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长的单晶六角GaN薄膜室温光学性质．由光吸收谱和488umAr+激光激发的光调制反射光谱（PR）确定的禁带宽度分别为3．39和3．400eV，从光吸收谱得到了GaN薄膜的折射率随光谱能量的变化关系．对PR谱的调制机理进行的分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制．应用喇曼光谱研究了GaN薄膜中的声子模，通过对LO声子-等离激元的耦合模散射峰的研究，得到了材料中的载流子浓度和等离激元阻尼常数．
张荣杨凯秦林洪沈波施洪涛郑有炓
关键词：氮化镓MOCVD生长光学性质
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