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李魁

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇氧化物陶瓷
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷靶材
  • 2篇靶材
  • 2篇镥
  • 2篇衬底
  • 1篇介电
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体技术

机构

  • 3篇南京大学

作者

  • 3篇李魁
  • 2篇夏奕东
  • 2篇殷江
  • 2篇高旭
  • 2篇国洪轩
  • 2篇刘治国

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
一种非晶镧镥氧化物阻变薄膜及其制备方法和应用
一种制备非晶镧镥氧化物阻变薄膜材料的方法，镧镥氧化物陶瓷靶材的制备：在将占混合粉末总摩尔量40-60％的La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和40-60％的Lu<Sub>2</Sub>O<Sub>3</...
李魁夏奕东国洪轩高旭殷江刘治国
文献传递
一种非晶镧镥氧化物阻变薄膜及其制备方法和应用
一种制备非晶镧镥氧化物阻变薄膜材料的方法，镧镥氧化物陶瓷靶材的制备：在将占混合粉末总摩尔量40－60％的La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和40－60％的Lu<Sub>2</Sub>O<Sub>3</...
李魁夏奕东国洪轩高旭殷江刘治国
文献传递
LaLuO3薄膜介电与阻变特性及器件应用研究
随着半导体技术的快速发展，到2016年时，传统的存储器件尺寸将发展到22 nm。这些存储技术依赖于电荷存储，随着器件尺寸的不断缩小和密度的增大，在应用上将会遇到很大的限制。因此寻找一种高密度、非挥发性、低能耗的下一代新型...
李魁
关键词：半导体技术
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