方浦明
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 提高八毫米PIN开关保护器隔离度的实验研究
- 1991年
- 一、前言 1989年,我们研制成功全平面结构的PIN鳍线开关保护器。典型特性为下:频率f=33～35GHz时,正向插损I_+<1.0dB,反向隔离I_->20dB,驻波系数S<1.2,开关时间τ<80ns,承受功率P_(C～I),并具有良好的一致性和可靠性。隔离度是开关保护器的主要指标。保持鳍线开关保护器正向插损基本不变的情况下,如何进一步提高它的隔离度,是我们的研究课题之一。初步实验,我们已得到17dB的隔离度改善的好结果,即从35dB提高到52dB,插损基本上保持不变。
- 周春方雨方浦明王良臣王莉郑东
- 关键词：毫米波PIN管隔离度
- 梁式引线肖特基混频管几何参数优化设计
- 1989年
- 利用CAD技术找出平面结构梁式引线混频管几何图形最佳尺寸,满足在特定条件下管子总电容和总电阴为最小,以提高截止频率改善器件性能.研制出的混频管在35GHz时双边带噪声系数为4.8dB,接近预期结果.
- 郑东王良臣方浦明
- 关键词：混频管梁式引线肖特基CAD
- 8mmGaAs梁式引线混频二极管噪声测量
- 方浦明王良臣郑东
- 关键词：梁式引线法混频二极管噪声测量极高频
- 梁式引线肖特基结混频管几何参数的优化
- 郑东王良臣方浦明
- 关键词：混频二极管肖特基势垒二极管梁式引线法
- 掩膜层生长导致n-GaAs表面化学组分的变化对微波器件性能的影响
- 1983年
- 利用AES和ESCA能谱仪和离子剥离相结合的方法,研究了不同温度下在n型GaAs上淀积SiO_2掩膜层的n-GaAs(100)表面化学组分的变化对形成肖特基结和欧姆接触的影响.在这基础上提出,通常淀积SiO_2过程是以淀积SiO_2为主,并伴随着GaAs本体氧化和As-O 键中的As挥发和氧转移到Ga上来形成附加的Ga_2O_3的两个物理过程所组成.解释了400℃淀积SiO_2掩膜层的3mm混频器各项性能优于700℃淀积SiO_2掩膜层的4mm混频器,而后者性能不够理想的原因是由于金属/n-GaAs界面处仍有β-Ga_2O_3而引起较多的界面缺陷所致.在An-Ge-Ni/GaAs界面处很薄的 β-Ga_2O_3对 An-Ce-Ni欧姆接触性能影响不大.但长期存放后在Au-Ge-Ni表面上形成的Ga_2O_3对欧姆接触就有影响.
- 陈克铭王森陈维德方浦明
- 关键词：N-GAAS混频器微波器件淀积肖特基结化学组分
- 8mm全平面结构PIN管和开关保护器
- 1991年
- 一、引言随着国内毫米波集成发展的需要,用不到两年的时间,于一九八九年研制成功全平面结构梁式引线PIN二极管,解决了国内的急需。将其应用在鳍线开关电路上,得到典型特性如下:频率f33GHz—37GHz,正向插损I_f<1.0dB,反向隔离I_->20dB,驻波系数<1.2,开关速度τ<80ns,承受功率P_w～1W,并具有良好的可靠性和一致性。它的研制成功,为大功率窗式PIN阵列开关保护器的研究打下的工艺基础。
- 王良臣方浦明王莉周春郑东
- 关键词：毫米波PIN管开关电路
