彭爱华
- 作品数：4 被引量：33H指数：3
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究被引量：11
- 2003年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Tb ,Gd)离子的化学掺杂 .利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性 .用扫描电子显微镜研究了薄膜的表面形貌 .用卢瑟福背散射谱分析了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .结果表明 ,Tb的掺入显著增强了多孔硅的发光强度 ,并且发光峰位出现蓝移 .这是由于Tb3+ 的 4f能级5D4 —7F3,5D4 —7F2 和5D4 —7F0 的跃迁发光引起的 .而在掺入Gd情况下 ,则观察到蓝光发射 .初步分析了稀土掺杂多孔硅的发光机理 .
- 彭爱华谢二庆姜宁张志敏李鹏贺德衍
- 关键词：稀土掺杂多孔硅光致发光发光机理
- 多孔硅基光电子材料的制备和性能研究
- 多孔硅的研究与开发对于实现硅基光电集成电路具有重要意义。稀土掺杂多孔硅可以获得从紫外、可见到红外波段的有效发光，可应用于各类光电器件中。本论文主要在多孔硅的制备工艺改进和稀土掺杂对多孔硅发光性能改善方面开展了工作。同时对...
- 彭爱华
- 关键词：发光性能场发射特性
- 文献传递
- 射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜被引量：15
- 2004年
- 利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和红外 (IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析 .XRD结果表明 ,低温制备的SiC薄膜为非晶相 ,而在高温下 (>80 0℃ ) ,薄膜呈现 4H SiC和 3C SiC结晶相 .IR谱显示 ,溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收 .此外 ,还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了研究 。
- 林洪峰谢二庆马紫微张军彭爱华贺德衍
- 关键词：射频溅射法X射线衍射分析
- 稀土掺杂多孔硅的蓝光发射被引量：11
- 2004年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Pr,Dy ,Sc)离子的化学掺杂 .用扫描电镜研究了多孔硅薄膜的表面形貌 ,用卢瑟福背散射谱研究了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .利用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性 ,发现稀土掺杂增强了多孔硅的蓝光发射 ,尤其是Dy的掺杂可产生较强的蓝光发射 ,其强度可与多孔硅的红光强度相比较 ,适当的Pr和Sc的掺杂也可一定程度地增强多孔硅的蓝光发射 .稀土掺杂多孔硅后产生蓝光发射的可能机理为 :稀土掺杂引入新的表面态 ,形成硅、氧、稀土间新的键合方式O—Si—O—Re—O ,从而在多孔硅表面形成新的发光中心 ;稀土离子丰富的能态在多孔硅发光过程中起到了能量传递作用 ,从而增强了多孔硅的蓝光发射 .
- 彭爱华谢二庆贾昌文蒋然林洪峰贺德衍
- 关键词：稀土掺杂光致发光电化学蓝光发射
