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张金平

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇导电类型
  • 2篇电路
  • 2篇电路制造
  • 2篇元胞
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇终端区
  • 2篇晶体管
  • 2篇绝缘栅
  • 2篇绝缘栅双极晶...
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路制造
  • 1篇损耗
  • 1篇隔离区
  • 1篇关断
  • 1篇关断损耗

机构

  • 2篇华为技术有限...

作者

  • 2篇朱以胜
  • 2篇张金平

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种绝缘栅双极晶体管
本发明实施例提供了一种IGBT，涉及集成电路制造领域，可改善IGBT关断时拖尾电流的问题，该IGBT包括位于正面的元胞区和环绕元胞区的终端区，第一导电类型的IGBT漂移区，以及位于背面的IGBT集电极区，IGBT集电极区...
朱以胜张金平
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一种绝缘栅双极晶体管
本发明实施例提供了一种IGBT，涉及集成电路制造领域，可改善IGBT关断时拖尾电流的问题，该IGBT包括位于正面的元胞区和环绕元胞区的终端区，第一导电类型的IGBT漂移区，以及位于背面的IGBT集电极区，IGBT集电极区...
朱以胜张金平
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