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张育民

作品数：43 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 6篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 12篇光导
  • 11篇光导开关
  • 10篇衬底
  • 9篇氮化镓
  • 9篇电极
  • 9篇掺杂
  • 8篇欧姆接触
  • 7篇GAN
  • 5篇半导体
  • 5篇镓
  • 4篇入射
  • 4篇欧姆接触电极
  • 4篇牺牲层
  • 4篇接触电极
  • 4篇刻蚀
  • 4篇半绝缘
  • 4篇垂直型
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化镓材料
  • 3篇载流子

机构

  • 43篇中国科学院
  • 4篇中国科学技术...
  • 3篇苏州纳维科技...
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇中国科技大学

作者

  • 43篇徐科
  • 43篇张育民
  • 38篇王建峰
  • 7篇徐俞
  • 5篇胡晓剑
  • 4篇任国强
  • 3篇张纪才
  • 3篇叶斌斌
  • 2篇史建平
  • 2篇张锦平
  • 2篇王国斌
  • 2篇曾雄辉
  • 2篇刘宗亮
  • 2篇王建峰
  • 1篇杨辉
  • 1篇徐科
  • 1篇黄凯
  • 1篇王淼
  • 1篇刘建奇
  • 1篇牛牧童

传媒

  • 5篇人工晶体学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇第13届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 6篇2025
  • 11篇2024
  • 6篇2023
  • 3篇2022
  • 7篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2008
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于恒温电解液振荡的电化学剥离GaN衬底的方法
本发明公开了一种基于恒温电解液振荡的电化学剥离GaN衬底的方法。所述方法包括：提供待处理的样品，所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结构层，且所述牺牲层上还形成有欧姆接触电极；以所述样品作为工作电...
王骁王建峰张育民徐科
评估微纳米级发光二极管性能老化的方法
本发明公开了一种评估微纳米级发光二极管性能老化的方法，其包括：获取待测样品的原子级晶体结构图，得到辐照前晶体结构图像；采用激光辐照待测样品；获取激光辐照后的待测样品的原子级晶体结构图，得到辐照后晶体结构图像；对辐照前晶体...
王敏学易觉民王淼牛牧童张育民王建峰徐科
半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法
本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括：s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包...
叶斌斌徐真逸张育民王建峰徐科
文献传递
氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性被引量：3
2021年
氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti与GaN之间的反应。研究发现Ti薄层的厚度和退火温度对欧姆接触有重要影响。在Ti薄层厚度为5 nm时,随着退火温度的升高,ITO/Ti/GaN之间的接触逐渐转变为欧姆接触,且接触电阻率随之减小;但当退火温度超过700℃时,欧姆接触变差,这与ITO中的In、Sn和O元素向界面扩散有关;适当提高Ti薄层的厚度可以有效改善ITO/Ti/GaN欧姆电极的热稳定性,但过厚的Ti薄层会对GaN基光电器件的透过率产生影响。
卫新发梁国松张育民王建峰王建峰
关键词：光导半导体开关
氮化物同质外延的原位检测系统及方法
本发明公开了一种氮化物同质外延的原位检测系统及方法。所述的方法包括：在第一半导体层上同质外延生长第二半导体层时，同时以第一、第二入射光持续照射第二半导体层的表面，并使第一入射光在所述第二半导体层的表面被散射，以产生第一散...
王国斌张育民徐俞徐科
平面型光导开关及其制作方法
本发明公开了一种平面型光导开关及其制作方法，在平面型光导开关的内部引入电阻相对较低的导电区或导电层，将电流由表面输运转变为体内输运，可有效缓解电极边缘处的电流集中现象，从而显著降低了表面闪络放电现象的发生，提高了平面型光...
孙远航张育民王建峰徐科
垂直型PIN二极管结构的制作方法及垂直型PIN二极管结构
本发明公开了一种垂直型PIN二极管结构的制作方法及垂直型PIN二极管结构，制作方法包括：提供衬底，衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；在第一表面上形成外延结构，外延结构包括沿远离衬底方向依次设置的N型缓冲层、本征层、P...
朱启志孙远航张育民宋文涛王建峰徐科
高热稳定性的光导开关及其设计方法和制造方法
本申请公开了一种高热稳定性的光导开关及其设计方法和制造方法,设计方法，包括设定目标工作波长；确定衬底的材料；确定设计工作波长；确定光学薄膜的材料；确定增透膜的目标透光率，基于所述目标透光率、所述设计工作波长和所述光学薄膜...
孙远航张育民孟文利梁国松王建峰徐科
用于电化学剥离GaN衬底的装置
本实用新型公开了一种用于电化学剥离GaN衬底的装置，包括：盛装电解液的反应槽、直流电源、工作电极、对电极以及欧姆接触电极，其中，所述工作电极包括待处理的样品，所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结...
王骁王建峰张育民徐科
文献传递
镓金属薄膜的制作方法以及氮化镓衬底的保护方法
提供了一种镓金属薄膜的制作方法，其中，利用金属有机化学气相沉积法在衬底的表面制作形成镓金属薄膜。还提供了一种氮化镓衬底的保护方法。本发明通过在衬底表面制作镓金属薄膜，能够防止衬底表面直接暴露于空气中。在这种情况下，在衬底...
邵凯恒蔡亚伟夏嵩渊张育民王建峰徐科
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